STP270N8F7

ST(意法半导体) · 通用MOSFET

型号参数与资料

型号
STP270N8F7
品牌
ST(意法半导体)
类别
通用MOSFET
系列DeepGATE™,STripFET™ VII
连续漏极电流Id180A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)193nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)13600pF @ 50V
栅极电压Vgs±20V
Pd-功率耗散(Max)315W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs2.5m Ohms@90A,10V
工作温度-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳TO-220-3
封装/外壳TO-220AB
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds80V
连续漏极电流Id180A

通用MOSFET   TO-220-3 TO-220AB

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

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