参数	值
产品	未分类
型号编码	ES6U2T2R
说明	未分类   SOT-563,SOT-666
品牌	ROHM(罗姆)
起订量	8
最小包	8
现货	500 [库存更新时间：2025-04-19]
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	1.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	110pF @ 10V
栅极电压Vgs	±10V
FET类型	肖特基二极管(隔离式)
功率	700mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	180mΩ@1.5A,4.5V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-563,SOT-666
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	1.5A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 1mA