参数	值
产品	未分类
型号编码	ES6U1T2R
说明	未分类   6-WEMT SOT-563,SOT-666
品牌	ROHM(罗姆)
起订量	8
最小包	8
现货	500 [库存更新时间：2025-04-12]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	12V
连续漏极电流Id	1.3A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	2.4nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	290pF @ 6V
FET类型	肖特基二极管(隔离式)
功率	700mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	260 毫欧 @ 1.3A,4.5V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	6-WEMT
封装/外壳	SOT-563,SOT-666