参数 | 值 |
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产品 | 通用三极管 |
型号编码 | EMD62T2R |
说明 | 通用三极管 EMT |
品牌 | ROHM(罗姆) |
起订量 | 1 |
最小包 | 8000 |
现货 | 482 [库存更新时间:2025-04-10] |
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) | 47K Ohms |
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA,5mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
频率-跃迁 | 250MHz |
封装/外壳 | EMT |
集电极最大允许电流Ic | 100mA |
集电极_发射极击穿电压VCEO | 50V |
功率 | 3/20W |
典型电阻器比率 | 1 Ohms |
典型输入电阻器 | 47kOhms |
峰值直流集电极电流 | 100mA,-100mA |
最大工作频率 | 250MHz |
最大直流电集电极电流 | 100mA,-100mA |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 80 |
输出电压 | 50mV,-70mV |
FET类型 | Enhancement |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 50V,-50V |
集电极连续电流 | 100mA,-100mA |