参数	值
产品	未分类
型号编码	EMC5DXV5T1G
说明	未分类   SOT-553 SOT-553
品牌	ON(安森美)
起订量	4000
最小包	4000
现货	8479 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电阻器-基底（R1）（欧姆）	47k,4.7k
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）	47k,10k
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	80 @ 5mA,10V / 20 @ 5mA,10V
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 300µA,10mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
封装/外壳	SOT-553
FET类型	NPN+PNP
集电极最大允许电流Ic	100mA
集电极_发射极击穿电压VCEO	50V
封装/外壳	SOT-553
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	47k,4.7k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	47k,10k
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	80 @ 5mA,10V / 20 @ 5mA,10V