参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	DMTH10H010LCT
说明	功率MOSFET   TO-220-3
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	50
最小包	50
现货	342 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	108A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	53.7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2592pF @ 50V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	2.4W(Ta),166W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	9.5mΩ@13A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-220-3