参数 | 值 |
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产品 | MOSFET |
型号编码 | DMN3200U-7 |
说明 | MOSFET SOT-23-3 |
起订量 | 3 |
最小包 | 3 |
现货 | 460 [库存更新时间:2025-04-09] |
FET类型 | N-Channel |
Pd-功率耗散(Max) | 650mW(Ta) |
RdsOn(Max)@Id,Vgs | 90mΩ@2.2A,4.5V |
栅极电压Vgs | ±8V |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 290 pF @ 10 V |
封装/外壳 | SOT-23-3 |
工作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
漏源极电压Vds | 30V |
连续漏极电流Id | 2.2A(Ta) |
驱动电压 | 1.5V,4.5V |