参数	值
产品	小信号MOSFET
型号编码	DMG3415UFY4-7
说明	小信号MOSFET   DFN
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	0
最小包	0
现货	160 [库存更新时间：2025-04-23]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	281.9pF @ 10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	DFN
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	16V
连续漏极电流Id	2.5A
Rds On(Max)@Id,Vgs	31mΩ
栅极电压Vgs	8V
Qg-栅极电荷	10nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	650mW
系列	DMG3415
FET类型	P-Channel
下降时间	568ns
上升时间	175ns
典型关闭延迟时间	885ns
典型接通延迟时间	79ns