| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | DF23MR12W1M1B11BOMA1 |
| 说明 | 通用MOSFET AG-EASY1BM-2 |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 222 [库存更新时间：2024-05-22] |
| FET类型 | 2N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 1.2KV |
| 连续漏极电流Id | 30A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 45m Ohms@25A,15V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5.5V @ 10mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 620nC @ 15V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2000pF @ 800V |
| Pd-功率耗散(Max) | 20mW |
| 工作温度 | -40°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | AG-EASY1BM-2 |
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