参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | BUK9Y19-75B,115 |
说明 | 功率MOSFET SOT669 |
品牌 | Nexperia(安世) |
起订量 | 1500 |
最小包 | 1500 |
现货 | 3161 [库存更新时间:2024-05-23] |
封装/外壳 | SOT669 |
FET类型 | N-Channel |
Rds On(max)@Id,Vgs | 21mΩ@4.5V,18mΩ@10V,19mΩ@5V |
Pd-功率耗散(Max) | 106W |
工作温度 | 175℃ |
栅极电压Vgs | 1.65V |
漏源极电压Vds | 75V |
输入电容 | 2322pF |
输出电容 | 258pF |
连续漏极电流Id | 48.2A |