参数	值
产品	未分类
型号编码	BSP129L6327HTSA1
说明	未分类   PG-SOT223-4 TO-261-4
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	484 [库存更新时间：2025-11-22]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	240V
连续漏极电流Id	350mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	0V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 108µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	5.7nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	108pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
FET类型	耗尽模式
功率	1.8W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	6 欧姆 @ 350mA,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-SOT223-4
封装/外壳	TO-261-4