参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSO615NGHUMA1
说明	通用MOSFET   SO PG-DSO-8
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	159 [库存更新时间：2025-04-08]
封装/外壳	SO
FET类型	N-Channel
FET类型	2N-Channel
FET类型	逻辑电平门
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	2.6A
Rds On(Max)@Id,Vgs	150 毫欧 @ 2.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	380pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	2W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-DSO-8