| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | BSO615NGHUMA1 |
| 说明 | 通用MOSFET SO PG-DSO-8 |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 159 [库存更新时间：2024-05-31] |
| 封装/外壳 | SO |
| FET类型 | N-Channel |
| FET类型 | 2N-Channel |
| FET类型 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 连续漏极电流Id | 2.6A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 150 毫欧 @ 2.6A,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 20µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 380pF @ 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | PG-DSO-8 |
IC普拉斯 元器件现货
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