参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	AUIRGS4062D1
说明	功率MOSFET   D²PAK
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	50
最小包	50
现货	386 [库存更新时间：2025-04-03]
IGBT 类型	沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）	600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	59A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	72A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）	1.77V @ 15V,24A
Pd-功率耗散(Max)	246W
开关能量	532µJ(开),311µJ(关)
输入类型	标准
25°C 时 Td（开/关）值	19ns/90ns
测试条件	400V,24A,10 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）	102ns
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	D²PAK