参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	AUIRFB4410
说明	功率MOSFET   10.67mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2379 [库存更新时间：2024-05-08]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 150µA
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	180nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5150pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	50V
连续漏极电流Id	88A
Rds On(Max)@Id,Vgs	10mΩ
最小栅阈值电压	2V
引脚数目	3
晶体管配置	单
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	200W
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	10.67mm
高度	16.51mm
系列	HEXFET
宽度	4.83mm
晶体管材料	Si
典型关断延迟时间	55 ns
典型接通延迟时间	24 ns