参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	AUIRF7665S2TR
说明	功率MOSFET   MG-WDSON-4
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	4800
最小包	4800
现货	9890 [库存更新时间：2025-04-19]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	4.1A(Ta),14.4A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	13nC
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	515pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
Pd-功率耗散(Max)	2.4W(Ta),30W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	62mΩ@8.9A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	MG-WDSON-4