参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	AUIRF7648M2TR
说明	功率MOSFET   DIRECTFET™M4
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	4800
最小包	4800
现货	9979 [库存更新时间：2025-04-03]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.9V @ 150µA
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta),63W(Tc)
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4.9V @ 150µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	53nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2170pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	7mΩ@41A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	14A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	53nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2170pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
封装/外壳	DIRECTFET™ M4