参数	值
产品	未分类
型号编码	APTM20DHM10G
说明	未分类   SP6 SP6
品牌	Microsemi(美高森美)
起订量	0
最小包	0
现货	491 [库存更新时间：2025-04-06]
FET类型	2 N 沟道(双)非对称型
FET类型	标准
漏源极电压Vds	200V
连续漏极电流Id	175A
Rds On(Max)@Id,Vgs	12 毫欧 @ 87.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	224nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	13700pF @ 25V
功率	694W
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SP6
封装/外壳	SP6