参数	值
产品	未分类
型号编码	APTM50DAM35TG
说明	未分类   SP4 SP4
品牌	Microsemi(美高森美)
起订量	0
最小包	0
现货	491 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	500V
连续漏极电流Id	99A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	280nC @ 10V
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	14000pF @ 25V
功率	781W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	39 毫欧 @ 49.5A,10V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SP4
封装/外壳	SP4