参数	值
产品	未分类
型号编码	APTM10DHM09TG
说明	未分类   SP4 SP4
品牌	Microsemi(美高森美)
起订量	0
最小包	0
现货	491 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	2 N 沟道(双)非对称型
FET类型	标准
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	139A
Rds On(Max)@Id,Vgs	10 毫欧 @ 69.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	350nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	9875pF @ 25V
功率	390W
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SP4
封装/外壳	SP4