参数	值
产品	未分类
型号编码	APTM100H80FT1G
说明	未分类   SP1 SP1
品牌	Microsemi(美高森美)
起订量	0
最小包	0
现货	491 [库存更新时间：2026-01-25]
FET类型	4 个 N 通道(H 桥)
FET类型	标准
漏源极电压Vds	1000V(1KV)
连续漏极电流Id	11A
Rds On(Max)@Id,Vgs	960 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3876pF @ 25V
功率	208W
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SP1
封装/外壳	SP1