参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	APT50GN60BDQ2G
说明	通用MOSFET   TO-247[B]
品牌	Microsemi(美高森美)
起订量	1
最小包	1
现货	378 [库存更新时间：2024-04-27]
IGBT类型	沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极（Ic）（最大值）	107A
脉冲电流-集电极(Icm)	150A
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）	1.85V @ 15V,50A
Pd-功率耗散(Max)	366W
开关能量	1185µJ(开),1565µJ(关)
输入类型	标准
25°C时Td（开/关）值	20ns/230ns
测试条件	400V,50A,4.3 欧姆,15V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-247 [B]