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    AOT20B65M1

    产品:IGBT晶体管

    库存:423 Pcs [库存更新时间:2024-04-26]

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    产品概述
    参数
    产品IGBT晶体管
    型号编码AOT20B65M1
    说明IGBT晶体管   TO220
    起订量0
    最小包0
    现货423 [库存更新时间:2024-04-26]
    电压 - 集射极击穿(最大值)650V
    电流 - 集电极(Ic)(最大值)40A
    脉冲电流 - 集电极 (Icm)60A
    不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)2.15V @ 15V,20A
    功率227W
    开关能量470µJ(开),270µJ(关)
    输入类型标准
    25°C 时 Td(开/关)值26ns/122ns
    测试条件400V,20A,15 欧姆,15V
    反向恢复时间(trr)322ns
    工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
    关闭开关能量0.27mJ
    关闭时间135ns
    包装类型
    安装THT
    封装/外壳TO220
    开启开关能量0.47mJ
    开启时间51ns
    FET类型IGBT
    栅极 - 发射极电压±30V
    耗电114W
    脉冲集电极电流60A
    集电极-发射极电压650V
    集电极-发射极饱和电压1.7V
    集电极电流20A

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