参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AONR21321 |
说明 | 功率MOSFET DFN3x3EP |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 334 [库存更新时间:2025-04-09] |
封装/外壳 | DFN 3x3 EP |
FET类型 | P-Channel |
ESD Diode | No |
Schottky Diode | No |
漏源极电压Vds | -30V |
栅极电压Vgs | 25V |
连续漏极电流Id | -24A |
Pd-功率耗散(Max) | 24W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 16.5mΩ@10V |
Rds On(Max)@4.5V | 29.5mΩ |
VGS(th) | -2.3 |
Ciss(pF) | 1180 |
Coss(pF) | 185 |
Crss(pF) | 155 |
Qg*(nC) | 11 |
Qgd(nC) | 3 |
Trr(ns) | 10 |
Qrr(nC) | 15 |