参数	值
产品	未分类
型号编码	AON7444
说明	未分类   8-DFN(3x3) 8-PowerSMD,扁平引线 DFN8
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	5000
最小包	5000
现货	10376 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	9A(Ta),33A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	34nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2000pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	30V
功率	3.1W(Ta),42W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	22 毫欧 @ 9A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-DFN(3x3)
封装/外壳	8-PowerSMD,扁平引线
安装	SMD
封装/外壳	DFN8
开启状态电阻	22m Ohms
FET类型	N-MOSFET
极化	单极
栅极-源极电压	±20V
漏极-源极电压	60V
漏极电流	21A
耗电	17W