参数	值
产品	未分类
型号编码	AON7760
说明	未分类   8-DFN-EP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN DFN8
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6376 [库存更新时间：2025-04-12]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	25V
连续漏极电流Id	33A(Ta),75A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	76nC @ 10V
栅极电压Vgs	±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5520pF @ 12.5V
功率	4.1W(Ta),34.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2 毫欧 @ 20A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-DFN-EP(3.3x3.3)
封装/外壳	8-PowerWDFN
安装	SMD
封装/外壳	DFN8
开启状态电阻	2m Ohms
FET类型	N-MOSFET
极化	单极
栅极-源极电压	±16V
漏极-源极电压	25V
漏极电流	59A
耗电	14W