参数	值
产品	未分类
型号编码	AON7412
说明	未分类   8-DFN(3x3) 8-PowerSMD,扁平引线 DFN8
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	5000
最小包	5000
现货	10376 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	10A(Ta),16A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	15nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	466pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	15V
功率	3.1W(Ta),20.8W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	20 毫欧 @ 10A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-DFN(3x3)
封装/外壳	8-PowerSMD,扁平引线
安装	SMD
封装/外壳	DFN8
开启状态电阻	20m Ohms
FET类型	N-MOSFET
极化	单极
栅极-源极电压	±25V
漏极-源极电压	30V
漏极电流	12.5A
耗电	8.3W