参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AOD9N40 |
说明 | 功率MOSFET TO-252 |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 269 [库存更新时间:2025-04-01] |
封装/外壳 | TO-252 |
FET类型 | N-Channel |
ESD Diode | No |
Schottky Diode | No |
漏源极电压Vds | 400V |
栅极电压Vgs | 30V |
连续漏极电流Id | 8A |
Pd-功率耗散(Max) | 125W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 800mΩ@10V |
VGS(th) | 4.5 |
Ciss(pF) | 962 |
Coss(pF) | 73 |
Crss(pF) | 8 |
Qg*(nC) | 19.5* |
Qgd(nC) | 7.1 |
Td(on)(ns) | 24 |
Td(off)(ns) | 55 |
Trr(ns) | 195 |
Qrr(nC) | 1900 |