参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	AOB12N65L
说明	功率MOSFET   TO-263
起订量	0
最小包	0
现货	423 [库存更新时间：2025-04-05]
封装/外壳	TO-263
FET类型	N-Channel
ESD Diode	No
Schottky Diode	No
漏源极电压Vds	650V
栅极电压Vgs	30V
连续漏极电流Id	12A
Pd-功率耗散(Max)	278W
Rds On(Max)@Id,Vgs	720mΩ@10V
VGS(th)	4.5
Ciss(pF)	1792
Coss(pF)	152
Crss(pF)	11.5
Qg*(nC)	39.8
Qgd(nC)	16.8
Td(on)(ns)	36
Td(off)(ns)	120
Trr(ns)	375
Qrr(nC)	7500