IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 隔离器 | PC852XNNIP0F | SHARP ASIA | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:1000% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:100µs,20µs 输入类型:DC 输出类型:达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:350V 电流-输出/通道:150mA 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:1.2V 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | PC3H7CJ0000F | SHARP ASIA | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 1mA 电流传输比（最大值）:160% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:4-Mini-Flat |
| 隔离器 | VO4257H | Vishay(威世) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电压-断态:700V 静态dV/dt（最小值）:5KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:2mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:300mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP 认可:BSI,cUR,FIMKO,UR |
| 隔离器 | VO0601T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:4000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:5KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:100ns,100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:20mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 隔离器 | VO2601-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:5KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 Current-Output/Channel:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:100ns,100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:20mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | VO3052-X007T | Vishay(威世) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms Voltage-OffState:600V 静态dV/dt（最小值）:1.5KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:10mA Current-OnState(It(RMS))(Max):100mA 电流-保持（Ih）:200µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD 认可:cUR,UR |
| 隔离器 | VO2223A-X007T | Vishay(威世) | 输出类型:Triac,功率 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电压-断态:600V 静态dV/dt（最小值）:210V/µs(标准) 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:10mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1A 电流-保持（Ih）:25mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V(最大) 电流-DC正向（If）:50mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SMD 认可:cUR,UR |
| 隔离器 | VOS617A-7X001T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,4µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.18V Current-DCForward(If)(Max):50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SSOP |
| 隔离器 | VO617A-9 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | VO0631T | Vishay(威世) | 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/0 电压-隔离:4000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:5KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:100ns,100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:15mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 隔离器 | VOM452T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 16mA 电流传输比（最大值）:50% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:200ns,500ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:25V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:5-SOP |
| 隔离器 | VO4158D | Vishay(威世) | 输出类型:Triac 过零电路:是 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电压-断态:800V 静态dV/dt（最小值）:5KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:1.6mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:300mA 电流-保持（Ih）:500µA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP 认可:cUR,FIMKO,UR |
| 隔离器 | VO618A-4X017T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 1mA 电流传输比（最大值）:320% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | VO615A-3X009T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.43V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | VOL618A-3X001T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 1mA 电流传输比（最大值）:200% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.16V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-LSOP |
| 隔离器 | H11D1-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,6µs 上升/下降时间（典型值）:2.5µs,5.5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:300V 电流-输出/通道:100mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | H11L1SM | ISOCOM | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:4170Vrms 输入类型:DC 输出类型:开路集电极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:1MHz 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:4µs,4µs 上升/下降时间（典型值）:100ns,100ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:30mA 电压-电源:3 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | 4N25-X009T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.36V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:500mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | PC910L0NSZ | SHARP | 系列:OPIC™ 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:10KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路集电极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:75ns,75ns 上升/下降时间（典型值）:10ns,20ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.6V 电流-DC正向（If）:20mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP |
| 隔离器 | S2S4LY0F | SHARP | 输出类型:Triac 过零电路:是 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电压-断态:600V 静态dV/dt（最小值）:100V/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）:3.5mA 接通时间:50µs(最大) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD 认可:CSA,UR,VDE |
| 隔离器 | CNY75C | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:7µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:4.2µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | CNY17F-2X016 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.39V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | CNY65AYST | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:13900VDC 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:150% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2.4µs,2.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:32V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.32V 电流-DC正向（If）:75mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 85°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | CNY17-4X009T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.39V Current-DCForward(If)(Max):60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | CNY65A | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:13900VDC 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2.4µs,2.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:32V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:75mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 85°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | PC357N7J000F | SHARP | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | PC357N1J000F | SHARP | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V Current-DCForward(If)(Max):50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:4-Mini-Flat |
| 隔离器 | PC357N7J000F | SHARP ASIA | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | H11D1-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,6µs 上升/下降时间（典型值）:2.5µs,5.5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:300V 电流-输出/通道:100mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | H11D1-X009 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,6µs 上升/下降时间（典型值）:2.5µs,5.5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:300V 电流-输出/通道:100mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | ILD2-X009 | Vishay(威世) | 通道数:2 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:500% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:1.2µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2.6µs,2.2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | ILD205T | Vishay(威世) | 通道数:2 电压-隔离:4000Vrms 电流传输比（最小值）:40% @ 10mA 电流传输比（最大值）:80% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:30mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 隔离器 | IL300-DEFG-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 上升/下降时间（典型值）:1µs,1µs 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 电压-输出（最大值）:500mV 电流-输出/通道:70µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | IL4218-X019T | Vishay(威世) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电压-断态:800V 静态dV/dt（最小值）:10KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:700µA(标准) 电流-通态（It（RMS））（最大值）:300mA 电流-保持（Ih）:200µA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD 认可:BSI,CSA,cUR,FIMKO,UR,VDE |
| 隔离器 | IL300-DEFG | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 上升/下降时间（典型值）:1µs,1µs 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 电压-输出（最大值）:500mV 电流-输出/通道:70µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-DIP |
| 隔离器 | IL300-DEFG-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 上升/下降时间（典型值）:1µs,1µs 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 电压-输出（最大值）:500mV 电流-输出/通道:70µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | ILD256T | Vishay(威世) | 通道数:2 电压-隔离:4000Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:30mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 隔离器 | BM60210FV-CE2 | ROHM(罗姆) | 系列:汽车级,AEC-Q100 通道数:1 Ohms 共模瞬态抗扰度（最小值）:100KV/µs 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:75ns,75ns 上升/下降时间（典型值）:50ns,50ns 电流-输出高，低:3A,3A 电流-峰值输出:5A 电压-电源:10 V ~ 24 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-SSOP-BW |
| 隔离器 | ILD620 | Vishay(威世) | 通道数:2 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:20µs,2µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-DIP |
| 隔离器 | ILQ1 | Vishay(威世) | 通道数:4 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 电流传输比（最大值）:300% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:700ns,1.4µs 上升/下降时间（典型值）:1.9µs,1.4µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:50V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:16-DIP |
| 隔离器 | ILD615-3 | Vishay(威世) | 通道数:2 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-DIP |
| 隔离器 | K844P | Vishay(威世) | 通道数:4 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:16-DIP |
| 隔离器 | LH1262CAC | Vishay(威世) | 通道数:2 电压-隔离:5300Vrms 打开/关闭时间（典型值）:35µs,90µs 输入类型:DC 输出类型:光电型 电压-输出（最大值）:15V 电流-输出/通道:1µA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.26V 电流-DC正向（If）:50mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | MOC8101-X017T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 10mA 电流传输比（最大值）:80% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | MOC8102-X009 | Vishay(威世) | 封装/外壳:6-SMD 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:73% @ 10mA 电流传输比（最大值）:117% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C |
| 隔离器 | FOD3150SDV | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:20KV/µs 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:500ns,500ns 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:60ns,60ns 电流-输出高，低:1A,1A 电流-峰值输出:1.5A 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V 电流-DC正向（If）:25mA 电压-电源:15 V ~ 30 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD 认可:IEC,UL |
| 隔离器 | FOD8383 | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:35KV/µs 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:210ns,210ns 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:35ns,25ns 电流-输出高，低:2.5A,2.5A 电流-峰值输出:3A 电压-正向（Vf）（典型值）:1.43V 电流-DC正向（If）:25mA 电压-电源:15 V ~ 30 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:5-SOP 认可:UL |
| 隔离器 | FOD3120SD | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:35KV/µs 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:400ns,400ns 脉宽失真（最大）:100ns 上升/下降时间（典型值）:60ns,60ns 电流-输出高，低:2A,2A 电流-峰值输出:3A 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V Current-DCForward(If)(Max):25mA 电压-电源:15 V ~ 30 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD 认可:UL |
| 隔离器 | FOD3120TSV | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:35KV/µs 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:400ns,400ns 脉宽失真（最大）:100ns 上升/下降时间（典型值）:60ns,60ns 电流-输出高，低:2A,2A 电流-峰值输出:3A 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V 电流-DC正向（If）:25mA 电压-电源:15 V ~ 30 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD 认可:IEC,UL |
| 隔离器 | FOD3150S | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:8-SMD 认可:UL 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:20KV/µs 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:500ns,500ns 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:60ns,60ns 电流-输出高，低:1A,1A 电流-峰值输出:1.5A 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V 电流-DC正向（If）:25mA 电压-电源:15 V ~ 30 V 工作温度:-40°C ~ 100°C |
| 隔离器 | FOD8318 | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4243Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:35KV/µs 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:500ns,500ns 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:34ns,34ns 电流-输出高，低:2.5A,2.5A 电流-峰值输出:3A 电压-电源:15 V ~ 30 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:16-SO 认可:UL |
| 隔离器 | FOD3120SDV | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:35KV/µs 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:400ns,400ns 脉宽失真（最大）:100ns 上升/下降时间（典型值）:60ns,60ns 电流-输出高，低:2A,2A 电流-峰值输出:3A 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V 电流-DC正向（If）:25mA 电压-电源:15 V ~ 30 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD 认可:IEC,UL |
| 隔离器 | H11AV1SR2VM | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:300% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:15µs,15µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | MOC216R2M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:7.5µs,5.7µs 上升/下降时间（典型值）:3.2µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.07V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SO Tall |
| 隔离器 | FODM3023_NF098 | Fairchild(仙童) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电压-断态:400V 静态dV/dt（最小值）:10V/µs(标准) 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:5mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:70mA 电流-保持（Ih）:300µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:4-Mini-Flat 认可:cUR,UR |
| 隔离器 | FODM3022_NF098 | Fairchild(仙童) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电压-断态:400V 静态dV/dt（最小值）:10V/µs(标准) 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:10mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:70mA 电流-保持（Ih）:300µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:4-Mini-Flat 认可:cUR,UR |
| 隔离器 | FOD073L | Fairchild(仙童) | 通道数:2 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:400% @ 500µA 电流传输比（最大值）:7000% @ 500µA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,25µs 输入类型:DC 输出类型:达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:7V 电流-输出/通道:60mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:20mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SO Tall |
| 隔离器 | MOC3162SM | Fairchild(仙童) | 输出类型:Triac 过零电路:是 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电压-断态:600V 静态dV/dt（最小值）:1KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）:500µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD 认可:UL |
| 隔离器 | MOCD223R2M | Fairchild(仙童) | 通道数:2 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:500% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:10µs,125µs 上升/下降时间（典型值）:8µs,110µs 输入类型:DC 输出类型:达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:1V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SO Tall |
| 隔离器 | MOC217R2VM | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:7.5µs,5.7µs 上升/下降时间（典型值）:3.2µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.07V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SO Tall |
| 隔离器 | SFH615AA-X007 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:2µs,25µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | HCPL3700SV | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:2500Vrms 打开/关闭时间（典型值）:6µs,25µs 上升/下降时间（典型值）:45µs,0.5µs 输入类型:AC,DC 输出类型:达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:20V 电流-输出/通道:30mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | CNY173SR2VM | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | H11AG1SM | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | FODM8801BR2 | Fairchild(仙童) | 系列:OptoHit™ 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:130% @ 1mA 电流传输比（最大值）:260% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,6µs 上升/下降时间（典型值）:5µs,5.5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:75V 电流-输出/通道:30mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V Current-DCForward(If)(Max):20mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:4-Mini-Flat |
| 隔离器 | FOD8160R2 | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/1 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:20KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开集,肖特基箝位 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:90ns,80ns 上升/下降时间（典型值）:22ns,9ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流-DC正向（If）:25mA 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:5-SOP |
| 隔离器 | H11F3M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:7500Vpk 打开/关闭时间（典型值）:45µs,45µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:MOSFET 电压-输出（最大值）:15V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | H11G1SR2M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:1000% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,100µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:100V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:1V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | CNY17-3X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.39V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | FODM2705R2 | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:3µs,3µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:40V 电流-输出/通道:80mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V(最大) 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:4-Mini-Flat |
| 隔离器 | FOD852300 | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:1000% @ 1mA 电流传输比（最大值）:15000% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:100µs,20µs 输入类型:DC 输出类型:达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:300V 电流-输出/通道:150mA 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:1.2V 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | PC357N3J000F | SHARP | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V Current-DCForward(If)(Max):50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:4-Mini-Flat |
| 隔离器 | IL4118-X017T | Vishay(威世) | 输出类型:Triac 过零电路:是 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电压-断态:800V 静态dV/dt（最小值）:10KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:1.3mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:300mA 电流-保持（Ih）:200µA 接通时间:35µs 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD 认可:BSI,CSA,cUR,FIMKO,UR,VDE |
| 隔离器 | TCDT1122 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | IL4216-X009 | Vishay(威世) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电压-断态:600V 静态dV/dt（最小值）:10KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:700µA(标准) 电流-通态（It（RMS））（最大值）:300mA 电流-保持（Ih）:200µA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD 认可:BSI,CSA,cUR,FIMKO,UR |
| 隔离器 | MOC8104-X016 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:256% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | TCLT1107 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SOP,5 引脚 |
| 隔离器 | MOC8102-X017 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:73% @ 10mA 电流传输比（最大值）:117% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | APT1221 | Panasonic(松下) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电压-断态:600V 静态dV/dt（最小值）:500V/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:10mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:100mA 电流-保持（Ih）:3.5mA 接通时间:100µs(最大) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.21V 电流-DC正向（If）:50mA 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:4-DIP 认可:cUR,VDE |
| 隔离器 | PC357N2J000F | SHARP | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:130% @ 5mA 电流传输比（最大值）:260% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:4-Mini-Flat |
| 隔离器 | H11D1SR2M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:300V 电流-输出/通道:100mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:80mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | LTV-357T | Lite-On(光宝) | 电压-隔离:3750Vrms 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 封装/外壳:4-SOP 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:35V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 封装/外壳:4-SOP(2.54mm) |
| 隔离器 | H11F1M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:7500Vpk 打开/关闭时间（典型值）:45µs,45µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:MOSFET 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | 4N25VM | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:500mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | HCPL2731SD | Fairchild(仙童) | 通道数:2 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:500% @ 1.6mA 打开/关闭时间（典型值）:300ns,5µs 输入类型:DC 输出类型:达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:18V 电流-输出/通道:60mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V Current-DCForward(If)(Max):20mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | FOD817A300 | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | H11AV1SR2M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:300% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:15µs,15µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | CNY17-2X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.39V Current-DCForward(If)(Max):60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | VO4158D | Vishay(威世) | 输出类型:Triac 过零电路:是 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电压-断态:800V 静态dV/dt（最小值）:5KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:1.6mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:300mA 电流-保持（Ih）:500µA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP 认可:cUR,FIMKO,UR |
| 隔离器 | IL300-DEFG-X001 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 上升/下降时间（典型值）:1µs,1µs 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 电压-输出（最大值）:500mV 电流-输出/通道:70µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-DIP |
| 隔离器 | CNY17F2TVM | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | IL300-F-X017T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 上升/下降时间（典型值）:1µs,1µs 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 电压-输出（最大值）:500mV 电流-输出/通道:70µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | CNY17-4X006 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.39V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | SFH6156-1X001T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:40% @ 10mA 电流传输比（最大值）:80% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | TCET1107G | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | ILQ620GB-X009T | Vishay(威世) | 通道数:4 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:20µs,2µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:16-SMD |
| 隔离器 | FOD817D3SD | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:300% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V Current-DCForward(If)(Max):50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | ILQ615-4X009T | Vishay(威世) | 通道数:4 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 320mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:16-SMD |
| 隔离器 | FODM8801AR2 | Fairchild(仙童) | 系列:OptoHit™ 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 1mA 电流传输比（最大值）:160% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,6µs 上升/下降时间（典型值）:5µs,5.5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:75V 电流-输出/通道:30mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:20mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:4-Mini-Flat |
| 隔离器 | MOC3083SR2VM | Fairchild(仙童) | 输出类型:Triac 过零电路:是 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms Voltage-OffState:800V 静态dV/dt（最小值）:600V/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）:500µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V Current-DCForward(If)(Max):60mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD 认可:IEC/EN/DIN,UL |