IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 隔离器 | ICPL3120 | ISOCOM | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:500ns,500ns 脉宽失真（最大）:100ns 上升/下降时间（典型值）:100ns,100ns 电流-输出高，低:2A,2A 电流-峰值输出:2.5A 电压-正向（Vf）（典型值）:1.37V 电流-DC正向（If）:25mA 电压-电源:15 V ~ 30 V 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:8-DIP |
| 隔离器 | IS281-4 | ISOCOM | 通道数:4 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:3µs,4µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V Current-DCForward(If)(Max):50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:16-SOIC(0.173",4.40mm 宽) |
| 隔离器 | IS181D | ISOCOM | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:300% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD,鸥翼型 |
| 隔离器 | MOC8113 | ISOCOM | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:4.2µs,23µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,14µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:90mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | IS127 | ISOCOM | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:1000% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:300V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:1.2V 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD,鸥翼型 |
| 隔离器 | TLP620-2GB | ISOCOM | 通道数:2 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:55V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | TLP521-4GB | ISOCOM | 通道数:4 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:55V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:16-DIP |
| 隔离器 | TLP321-2 | ISOCOM | 通道数:2 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-DIP |
| 隔离器 | SFH615A-2XSMT/R | ISOCOM | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:4.2µs,23µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,14µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.65V(最大) Current-DCForward(If)(Max):50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD,鸥翼型 |
| 隔离器 | CPC1301GRTR | IXYS | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:1000% @ 1mA 电流传输比（最大值）:8000% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:1µs,80µs 上升/下降时间（典型值）:40µs,2.6µs 输入类型:DC 输出类型:达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:350V 电流-DC正向（If）:1mA Vce饱和值（最大值）:1.2V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | CPC1303GRTR | IXYS | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 200µA 电流传输比（最大值）:2500% @ 200µA 打开/关闭时间（典型值）:2µs,8µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:200µA Vce饱和值（最大值）:500mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | CPC1580PTR | IXYS | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电压-正向（Vf）（典型值）:1.27V Current-DCForward(If)(Max):50mA 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:8-扁平封装 认可:UR |
| 隔离器 | ILQ1 | ISOCOM | 通道数:4 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 电流传输比（最大值）:300% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:700ns,1.4µs 上升/下降时间（典型值）:1.9µs,1.4µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:50V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:16-DIP |
| 隔离器 | ISQ1 | ISOCOM | 通道数:4 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 电流传输比（最大值）:300% @ 10mA 上升/下降时间（典型值）:2.6µs,2.2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:50V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA 工作温度:-25°C ~ 100°C 封装/外壳:16-DIP |
| 隔离器 | MOC8112 | ISOCOM | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:4.2µs,23µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,14µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:90mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | 6N135SMT/R | ISOCOM | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:7% @ 16mA 电流传输比（最大值）:50% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:150ns,700ns 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:20V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | MCT210 | ISOCOM | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:150% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:1µs,50µs 上升/下降时间（典型值）:1µs,11µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.33V 电流-DC正向（If）:100mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | SFH601-3 | ISOCOM | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:100V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | LOC110STR | IXYS | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | LOC111 | IXYS | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP |
| 隔离器 | IS181GB | ISOCOM | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V Current-DCForward(If)(Max):50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD,鸥翼型 |
| 隔离器 | CNY17F-3 | ISOCOM | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 上升/下降时间（典型值）:5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | 6N139SMT/R | ISOCOM | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:500% @ 1.6mA 打开/关闭时间（典型值）:1µs,7µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:18V 电流-输出/通道:60mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 电流-DC正向（If）:20mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | ISQ1 | ISOCOM | 通道数:4 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 电流传输比（最大值）:300% @ 10mA 上升/下降时间（典型值）:2.6µs,2.2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:50V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA 工作温度:-25°C ~ 100°C 封装/外壳:16-DIP |
| 隔离器 | IS181GB | ISOCOM | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V Current-DCForward(If)(Max):50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD,鸥翼型 |
| 隔离器 | IS355 | ISOCOM | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:600% @ 1mA 电流传输比（最大值）:7500% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电流-输出/通道:80mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:1V 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD,鸥翼型 |
| 隔离器 | ISP817CXSMT/R | ISOCOM | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD,鸥翼型 |
| 隔离器 | IS849 | ISOCOM | 通道数:4 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:15µs,15µs (最大) 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:16-DIP |
| 隔离器 | MOC3020 | ISOCOM | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电压-断态:400V 静态dV/dt（最小值）:1KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:30mA 电流-保持（Ih）:250µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:50mA 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP 认可:CQC,CSA,TUV,UL,VDE |
| 隔离器 | MOC3020 | ISOCOM | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电压-断态:400V 静态dV/dt（最小值）:1KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:30mA 电流-保持（Ih）:250µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:50mA 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP 认可:CQC,CSA,TUV,UL,VDE |
| 隔离器 | LOC110-F | IXYS | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP |
| 隔离器 | LDA111STR | IXYS | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:300% @ 1mA 电流传输比（最大值）:30000% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:8µs,345µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:1mA Vce饱和值（最大值）:1V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | LOC110PTR | IXYS | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-扁平封装 |
| 隔离器 | LOC110STR | IXYS | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | CNY17F-3 | ISOCOM | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 上升/下降时间（典型值）:5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | 4N35SM | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | 4N35M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | 4N28M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:10% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:500mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | 4N32SM | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:500% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,100µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:80mA Vce饱和值（最大值）:1V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | CNY173SR2VM | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | CNY17F2TVM | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | CNY17F3SR2VM | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V Current-DCForward(If)(Max):60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | CNY17F2M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | FOD814A | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 1mA 电流传输比（最大值）:150% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 105°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | FOD0710 | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:3750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:20KV/µs 输入类型:逻辑 输出类型:推挽式/图腾柱 电流-输出/通道:10mA 数据速率:12.5Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:40ns,40ns 上升/下降时间（典型值）:5ns,4.5ns 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SO Tall |
| 隔离器 | FOD0721R2 | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:3750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:20KV/µs 输入类型:逻辑 输出类型:推挽式/图腾柱 电流-输出/通道:10mA 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:40ns,40ns 上升/下降时间（典型值）:5ns,4.5ns 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SO Tall |
| 隔离器 | FOD814A300 | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 1mA 电流传输比（最大值）:150% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 105°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | FOD2711ASD | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V(最大) Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | FOD2743ATV | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 1mA 电流传输比（最大值）:100% @ 1mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.07V Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-MDIP |
| 隔离器 | FOD2741ASD | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V(最大) Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-MDIP |
| 隔离器 | FOD8320R2 | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:35KV/µs 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:400ns,400ns 脉宽失真（最大）:100ns 上升/下降时间（典型值）:60ns,60ns 电流-输出高，低:2A,2A 电流-峰值输出:3A 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V Current-DCForward(If)(Max):25mA 电压-电源:16 V ~ 30 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:5-SOP 认可:UL |
| 隔离器 | FODM2701R2 | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:3µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:40V 电流-输出/通道:80mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V(最大) 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:4-Mini-Flat |
| 隔离器 | FOD817DSD | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:300% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | FODM121AR2V | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:3µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:80mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V(最大) Current-DCForward(If)(Max):50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:4-Mini-Flat |
| 隔离器 | FODM3023_NF098 | Fairchild(仙童) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电压-断态:400V 静态dV/dt（最小值）:10V/µs(标准) 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:5mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:70mA 电流-保持（Ih）:300µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:4-Mini-Flat 认可:cUR,UR |
| 隔离器 | FODM8801CR2 | Fairchild(仙童) | 系列:OptoHit™ 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 1mA 电流传输比（最大值）:400% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,6µs 上升/下降时间（典型值）:5µs,5.5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:75V 电流-输出/通道:30mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V Current-DCForward(If)(Max):20mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:4-Mini-Flat |
| 隔离器 | FODM3083R2 | Fairchild(仙童) | 输出类型:Triac 过零电路:是 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms Voltage-OffState:800V 静态dV/dt（最小值）:600V/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:5mA Current-OnState(It(RMS))(Max):70mA 电流-保持（Ih）:300µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V(最大) Current-DCForward(If)(Max):60mA 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:4-Mini-Flat 认可:cUL,UL |
| 隔离器 | FOD8320R2V | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:35KV/µs 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:400ns,400ns 脉宽失真（最大）:100ns 上升/下降时间（典型值）:60ns,60ns 电流-输出高，低:2A,2A 电流-峰值输出:3A 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V 电流-DC正向（If）:25mA 电压-电源:16 V ~ 30 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:5-SOP 认可:IEC/EN/DIN,UL |
| 隔离器 | FODB102 | Fairchild(仙童) | 系列:Microcoupler™ 通道数:1 Ohms 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:1µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:75V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V(最大) Current-DCForward(If)(Max):30mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:4-BGA(3.5x3.5) |
| 隔离器 | FODM452 | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 16mA 电流传输比（最大值）:50% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:400ns,350ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:20V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.6V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:5-Mini-Flat |
| 隔离器 | FODM8801BR2 | Fairchild(仙童) | 系列:OptoHit™ 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:130% @ 1mA 电流传输比（最大值）:260% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,6µs 上升/下降时间（典型值）:5µs,5.5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:75V 电流-输出/通道:30mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V Current-DCForward(If)(Max):20mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:4-Mini-Flat |
| 隔离器 | CNY17-2 | ISOCOM | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 上升/下降时间（典型值）:5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | CPC1302GSTR | IXYS | 通道数:2 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:1000% @ 1mA 电流传输比（最大值）:8000% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,60µs 上升/下降时间（典型值）:40µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:350V 电流-DC正向（If）:1mA Vce饱和值（最大值）:1.2V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | FDA217STR | IXYS | 通道数:2 电压-隔离:3750Vrms 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:2ms,0.5ms 电压-正向（Vf）（典型值）:1.26V 电流-DC正向（If）:5mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SMD 认可:EN,IEC,TUV |
| 隔离器 | LDA110STR | IXYS | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:300% @ 1mA 电流传输比（最大值）:30000% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:8µs,345µs 输入类型:AC,DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:100mA Vce饱和值（最大值）:1V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | HCPL2531SD | Fairchild(仙童) | 通道数:2 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 电流传输比（最大值）:50% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:450ns,300ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:20V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.45V Current-DCForward(If)(Max):25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | HCPL0531R2 | Fairchild(仙童) | 通道数:2 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 电流传输比（最大值）:50% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:450ns,300ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:20V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SO Tall |
| 隔离器 | H11AG1M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | H11B1M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:500% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:25µs,18µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:80mA Vce饱和值（最大值）:1V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | H11AA4SM | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 输入类型:AC,DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.17V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | H11AA1TVM | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 输入类型:AC,DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.17V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | H11AA4M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 输入类型:AC,DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.17V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | H11AA1SM | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 输入类型:AC,DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.17V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | HCPL0501R2 | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 电流传输比（最大值）:50% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:450ns,300ns 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:20V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.45V Current-DCForward(If)(Max):25mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SO Tall |
| 隔离器 | HCPL0701R2 | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:500% @ 1.6mA 电流传输比（最大值）:2600% @ 1.6mA 打开/关闭时间（典型值）:300ns,1.6µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:18V 电流-输出/通道:60mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:20mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SO Tall |
| 隔离器 | H11B1M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:500% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:25µs,18µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:80mA Vce饱和值（最大值）:1V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | H11L1SR2M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:4170Vrms 输入类型:DC 输出类型:开路集电极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:1MHz 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:4µs,4µs 上升/下降时间（典型值）:100ns,100ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:30mA 电压-电源:3 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | HCPL2631SV | Fairchild(仙童) | 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/0 电压-隔离:2500Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:5KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路集电极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:75ns,75ns 上升/下降时间（典型值）:50ns,12ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:30mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-MDIP |
| 隔离器 | HMHAA280 | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:3µs,3µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V(最大) 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-Mini-Flat |
| 隔离器 | MCT2ESR2VM | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:7500Vpk 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:2µs,2µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,1.5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | MCT5211SR2M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:150% @ 1.6mA 打开/关闭时间（典型值）:14µs,2.5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V Current-DCForward(If)(Max):50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | MOC3012M | Fairchild(仙童) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电压-断态:250V 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）:100µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-DIP 认可:UL |
| 隔离器 | MOC206R2M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:7.5µs,5.7µs 上升/下降时间（典型值）:3.2µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SO Tall |
| 隔离器 | MOC207R2M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:7.5µs,5.7µs 上升/下降时间（典型值）:3.2µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SO Tall |
| 隔离器 | MOC3011SM | Fairchild(仙童) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电压-断态:250V 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）:100µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD 认可:UL |
| 隔离器 | MOC3021M | Fairchild(仙童) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电压-断态:400V 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:15mA 电流-保持（Ih）:100µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-DIP 认可:UL |
| 隔离器 | MOC205R2M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:40% @ 10mA 电流传输比（最大值）:80% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:7.5µs,5.7µs 上升/下降时间（典型值）:3.2µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SO Tall |
| 隔离器 | MOC3023SM | Fairchild(仙童) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电压-断态:400V 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）:100µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD 认可:UL |
| 隔离器 | MOC3011M | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:6-DIP 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms Voltage-OffState:250V 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）:100µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 认可:UL |
| 隔离器 | MOC216M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:7.5µs,5.7µs 上升/下降时间（典型值）:3.2µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.07V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SO Tall |
| 隔离器 | MOC217M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:7.5µs,5.7µs 上升/下降时间（典型值）:3.2µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.07V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SO Tall |
| 隔离器 | MOC3081SM | Fairchild(仙童) | 输出类型:Triac 过零电路:是 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电压-断态:800V 静态dV/dt（最小值）:600V/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:15mA 电流-保持（Ih）:500µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD 认可:UL |
| 隔离器 | MOC3082M | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:6-DIP 认可:UL 输出类型:Triac 过零电路:是 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms Voltage-OffState:800V 静态dV/dt（最小值）:600V/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）:500µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 85°C |
| 隔离器 | MOC3023TVM | Fairchild(仙童) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电压-断态:400V 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）:100µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-DIP 认可:IEC/EN/DIN,UL |
| 隔离器 | MOC3062SM | Fairchild(仙童) | 输出类型:Triac 过零电路:是 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电压-断态:600V 静态dV/dt（最小值）:600V/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）:500µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD 认可:UL |
| 隔离器 | MOC3043SR2M | Fairchild(仙童) | 输出类型:Triac 过零电路:是 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电压-断态:400V 静态dV/dt（最小值）:1KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）:400µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD 认可:UL |
| 隔离器 | MOCD217R2M | Fairchild(仙童) | 通道数:2 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:7.5µs,5.7µs 上升/下降时间（典型值）:3.2µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.05V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SO Tall |
| 隔离器 | MOC3163SR2M | Fairchild(仙童) | 输出类型:Triac 过零电路:是 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms Voltage-OffState:600V 静态dV/dt（最小值）:1KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）:500µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V Current-DCForward(If)(Max):60mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD 认可:UL |
| 隔离器 | MOC3052SM | Fairchild(仙童) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms Voltage-OffState:600V 静态dV/dt（最小值）:1KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）:220µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD 认可:UR |
| 隔离器 | MOCD208R2M | Fairchild(仙童) | 通道数:2 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:40% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:7.5µs,5.7µs 上升/下降时间（典型值）:3.2µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SO Tall |