IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 运算放大器 | LM258ADT | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1.1MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:700µA 电流-输出/通道:60mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LM358ADT | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1.1MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:700µA Current-Output/Channel:60mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LM358ADT | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1.1MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:700µA Current-Output/Channel:60mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LM393DT | ST(意法半导体) | 元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:18mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LM339DT | ST(意法半导体) | 元件数:4 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 32 V,±1 V ~ 16 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | LM339DT | ST(意法半导体) | 元件数:4 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 32 V,±1 V ~ 16 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | TL082IDT | ST(意法半导体) | 放大器类型:J-FET 电路数:2 压摆率:16 V/µs 增益带宽积:4MHz 电流-输入偏置:20pA 电压-输入失调:3mV 电流-电源:1.4mA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:6 V ~ 36 V,±3 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | TS321ILT | ST(意法半导体) | 电路数:1 Ohms 压摆率:0.4 V/µs 增益带宽积:800kHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:500µV 电流-电源:600µA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 运算放大器 | TSV911ILT | ST(意法半导体) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:4.5 V/µs 增益带宽积:8MHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:100µV 电流-电源:820µA 电流-输出/通道:35mA 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 运算放大器 | BA2904F-E2 | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:0.2 V/µs 增益带宽积:500kHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA Current-Output/Channel:30mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOP |
| 运算放大器 | BU7442FVM-TR | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:0.3 V/µs 增益带宽积:600kHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:100µA 电流-输出/通道:10mA 电压-电源，单/双（±）:1.7 V ~ 5.5 V,±0.85 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-MSOP |
| 运算放大器 | BU7242SF-E2 | ROHM(罗姆) | 电路数:2 输出类型:满摆幅 压摆率:0.4 V/µs 增益带宽积:900kHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:180µA 电流-输出/通道:12mA 电压-电源，单/双（±）:1.8 V ~ 5.5 V,±0.9 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOP |
| 运算放大器 | TL082IDT | ST(意法半导体) | 放大器类型:J-FET 电路数:2 压摆率:16 V/µs 增益带宽积:4MHz 电流-输入偏置:20pA 电压-输入失调:3mV 电流-电源:1.4mA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:6 V ~ 36 V,±3 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | TSM103WAIDT | ST(意法半导体) | FET类型:放大器 封装/外壳:8-SO CMRR - 共模抑制比:70 dB GBP-增益带宽产品:900 kHz Ib - 输入偏流:150 nA SR - 转换速率:0.4 V/us Vos - 输入偏置电压:3 mV en - 输入电压噪声密度:50nV/sqrtHz 关闭:No Shutdown 双重电源电压:±3V,±5V,±9V 宽度:4mm(Max) 工作电源电压:3Vto32V,±1.5Vto±16V 工作电源电流(mA):1.2 mA 放大器类型:GeneralPurposeAmplifier 最大双重电源电压:±16V 最小双重电源电压:±1.5V 电压增益 dB:100dB 电源电压-最大:32 V 电源电压-最小:3 V 电源类型:Single,Dual 系列:TSM103W 通道数量:2 Channel 长度:5mm(Max) 高度:1.65mm(Max) 工作温度:-40°C ~ 105°C |
| 运算放大器 | BU7462F-E2 | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:300µA 电流-输出/通道:12mA 电压-电源，单/双（±）:1.7 V ~ 5.5 V,±0.85 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOP |
| 运算放大器 | BU7442SFVM-TR | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:0.3 V/µs 增益带宽积:600kHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:100µA 电流-输出/通道:10mA 电压-电源，单/双（±）:1.7 V ~ 5.5 V,±0.85 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-MSOP |
| 运算放大器 | BU7442FVM-TR | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:0.3 V/µs 增益带宽积:600kHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:100µA 电流-输出/通道:10mA 电压-电源，单/双（±）:1.7 V ~ 5.5 V,±0.85 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-MSOP |
| 运算放大器 | BU7241G-TR | ROHM(罗姆) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:0.4 V/µs 增益带宽积:900kHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:70µA 电流-输出/通道:12mA 电压-电源，单/双（±）:1.8 V ~ 5.5 V,±0.9 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:5-SSOP |
| 运算放大器 | BU7462SFVM-TR | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:300µA 电流-输出/通道:12mA 电压-电源，单/双（±）:1.7 V ~ 5.5 V,±0.85 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-MSOP |
| 运算放大器 | BU7242SFVM-TR | ROHM(罗姆) | CMRR - 共模抑制比:45 dB GBP-增益带宽产品:900 kHz Ib - 输入偏流:1 pA PSRR - 电源抑制比:60dB SR - 转换速率:0.4 V/us Vos - 输入偏置电压:9 mV 关闭:No Shutdown 工作电源电压:1.8Vto5.5V,±0.9Vto±2.75V 工作电源电流(mA):360 uA 最大双重电源电压:±2.75V 最小双重电源电压:±0.9V 每个通道的输出电流:10 mA 电压增益 dB:95dB 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 电源类型:Single,Dual 系列:BU7242SFVM 通道数量:2 Channel 工作温度:-40°C ~ 105°C |
| 运算放大器 | BU7462SF-E2 | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:300µA 电流-输出/通道:12mA 电压-电源，单/双（±）:1.7 V ~ 5.5 V,±0.85 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOP |
| 运算放大器 | MC34074DR2G | ON(安森美) | 电路数:4 压摆率:13 V/µs 增益带宽积:4.5MHz 电流-输入偏置:100nA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:1.9mA 电流-输出/通道:30mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 44 V,±1.5 V ~ 22 V 工作温度:0°C ~ 70°C 电流 - 输入偏置:100nA 电压 - 输入失调:1mV 电流 - 电源:1.9mA 电流 - 输出/通道:30mA 电压 - 电源，单/双（±）:3 V ~ 44 V,±1.5 V ~ 22 V 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 运算放大器 | BU7442SF-E2 | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:0.3 V/µs 增益带宽积:600kHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:100µA 电流-输出/通道:10mA 电压-电源，单/双（±）:1.7 V ~ 5.5 V,±0.85 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOP |
| 运算放大器 | BU7442F-E2 | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:0.3 V/µs 增益带宽积:600kHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:100µA 电流-输出/通道:10mA 电压-电源，单/双（±）:1.7 V ~ 5.5 V,±0.85 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOP |
| 运算放大器 | BU7266SFVM-TR | ROHM(罗姆) | 放大器类型:CMOS 电路数:2 压摆率:0.0024 V/µs 增益带宽积:4kHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:700nA 电流-输出/通道:4mA 电压-电源，单/双（±）:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-MSOP |
| 运算放大器 | BU7266SF-E2 | ROHM(罗姆) | 放大器类型:CMOS 电路数:2 压摆率:0.0024 V/µs 增益带宽积:4kHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:700nA 电流-输出/通道:4mA 电压-电源，单/双（±）:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOP |
| 运算放大器 | BU7242NUX-TR | ROHM(罗姆) | 电路数:2 输出类型:满摆幅 压摆率:0.4 V/µs 增益带宽积:900kHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:180µA 电流-输出/通道:12mA 电压-电源，单/双（±）:1.8 V ~ 5.5 V,±0.9 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:VSON008X2030 |
| 运算放大器 | OPA2350EA/2K5 | TI(德州仪器) | 电路数:2 输出类型:满摆幅 压摆率:22 V/µs 增益带宽积:38MHz 电流 - 输入偏置:0.5pA 电压 - 输入失调:150µV 电流 - 电源:5.2mA 电流 - 输出/通道:40mA 电压 - 电源，单/双（±）:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VSSOP |
| 运算放大器 | BA2904F-E2 | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:0.2 V/µs 增益带宽积:500kHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA Current-Output/Channel:30mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOP |
| 运算放大器 | BA10358F-E2 | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:0.2 V/µs 增益带宽积:500kHz 电流-输入偏置:45nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA Current-Output/Channel:20mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOP |
| 运算放大器 | BA2904FV-E2 | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:0.2 V/µs 增益带宽积:500kHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA 电流-输出/通道:30mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SSOPB |
| 运算放大器 | BD7542SF-E2 | ROHM(罗姆) | 电路数:2 输出类型:满摆幅 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:600kHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:400µA 电流-输出/通道:1mA 电压-电源，单/双（±）:5 V ~ 14.5 V,±2.5 V ~ 7.25 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOP |
| 运算放大器 | BU7266FVM-TR | ROHM(罗姆) | 放大器类型:CMOS 电路数:2 压摆率:0.0024 V/µs 增益带宽积:4kHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:700nA 电流-输出/通道:4mA 电压-电源，单/双（±）:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-MSOP |
| 运算放大器 | LM2904DT | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1.1MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LM2902DT | ST(意法半导体) | 电路数:4 压摆率:0.4 V/µs 增益带宽积:1.3MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:1.5mA Current-Output/Channel:20mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | LM393DT | ST(意法半导体) | 元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:18mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | MC33078DT | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:7 V/µs 增益带宽积:15MHz 电流-输入偏置:250nA 电压-输入失调:150µV 电流-电源:4mA 电流-输出/通道:37mA 电压-电源，单/双（±）:5 V ~ 30 V,±2.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LM224DT | ST(意法半导体) | 电路数:4 压摆率:0.4 V/µs 增益带宽积:1.3MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:1.5mA Current-Output/Channel:70mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | LM258DT | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1.1MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:700µA Current-Output/Channel:60mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LM2902DT | ST(意法半导体) | 电路数:4 压摆率:0.4 V/µs 增益带宽积:1.3MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:1.5mA Current-Output/Channel:20mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | LM2904DT | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1.1MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LM358DT | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1.1MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA Current-Output/Channel:60mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | TL084CDT | ST(意法半导体) | 放大器类型:J-FET 电路数:4 压摆率:16 V/µs 增益带宽积:4MHz 电流-输入偏置:20pA 电压-输入失调:3mV 电流-电源:1.4mA Current-Output/Channel:40mA 电压-电源，单/双（±）:6 V ~ 36 V,±3 V ~ 18 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | LMV321SEG-7 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:15nA 电压-输入失调:1.7mV 电流-电源:110µA 电流-输出/通道:90mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V,±1.35 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SOT-353 |
| 运算放大器 | TSM103WAIDT | ST(意法半导体) | FET类型:放大器 封装/外壳:8-SO CMRR - 共模抑制比:70 dB GBP-增益带宽产品:900 kHz Ib - 输入偏流:150 nA SR - 转换速率:0.4 V/us Vos - 输入偏置电压:3 mV en - 输入电压噪声密度:50nV/sqrtHz 关闭:No Shutdown 双重电源电压:±3V,±5V,±9V 宽度:4mm(Max) 工作电源电压:3Vto32V,±1.5Vto±16V 工作电源电流(mA):1.2 mA 放大器类型:GeneralPurposeAmplifier 最大双重电源电压:±16V 最小双重电源电压:±1.5V 电压增益 dB:100dB 电源电压-最大:32 V 电源电压-最小:3 V 电源类型:Single,Dual 系列:TSM103W 通道数量:2 Channel 长度:5mm(Max) 高度:1.65mm(Max) 工作温度:-40°C ~ 105°C |
| 运算放大器 | TSV612AIDT | ST(意法半导体) | 电路数:2 输出类型:满摆幅 压摆率:0.04 V/µs 增益带宽积:120kHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:800µV 电流-电源:10.5µA Current-Output/Channel:63mA 电压-电源，单/双（±）:1.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | MC33078DT | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:7 V/µs 增益带宽积:15MHz 电流-输入偏置:250nA 电压-输入失调:150µV 电流-电源:4mA 电流-输出/通道:37mA 电压-电源，单/双（±）:5 V ~ 30 V,±2.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LM258ADT | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1.1MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:700µA 电流-输出/通道:60mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LM2902DT | ST(意法半导体) | 电路数:4 压摆率:0.4 V/µs 增益带宽积:1.3MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:1.5mA Current-Output/Channel:20mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | TCA0372DP1G | ON(安森美) | 电路数:2 压摆率:1.4 V/µs 增益带宽积:1.4MHz 电流-输入偏置:100nA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:5mA 电流-输出/通道:1A 电压-电源，单/双（±）:5 V ~ 40 V,±2.5 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 电流 - 输入偏置:100nA 电压 - 输入失调:1mV 电流 - 电源:5mA 电流 - 输出/通道:1A 电压 - 电源，单/双（±）:5 V ~ 40 V,±2.5 V ~ 20 V 封装/外壳:8-DIP |
| 运算放大器 | TSV612AIDT | ST(意法半导体) | 电路数:2 输出类型:满摆幅 压摆率:0.04 V/µs 增益带宽积:120kHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:800µV 电流-电源:10.5µA Current-Output/Channel:63mA 电压-电源，单/双（±）:1.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | TSV914IDT | ST(意法半导体) | 电路数:4 输出类型:满摆幅 压摆率:4.5 V/µs 增益带宽积:8MHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:100µV 电流-电源:820µA Current-Output/Channel:35mA 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | LM2903DT | ST(意法半导体) | 元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | BA2904FV-E2 | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:0.2 V/µs 增益带宽积:500kHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA 电流-输出/通道:30mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SSOPB |
| 运算放大器 | TL072CDT | ST(意法半导体) | 放大器类型:J-FET 电路数:2 压摆率:16 V/µs 增益带宽积:4MHz 电流-输入偏置:20pA 电压-输入失调:3mV 电流-电源:1.4mA Current-Output/Channel:40mA 电压-电源，单/双（±）:6 V ~ 36 V,±3 V ~ 18 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | TL082CDT | ST(意法半导体) | 放大器类型:J-FET 电路数:2 压摆率:16 V/µs 增益带宽积:4MHz 电流-输入偏置:20pA 电压-输入失调:3mV 电流-电源:1.4mA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:6 V ~ 36 V,±3 V ~ 18 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | TL084CDT | ST(意法半导体) | 放大器类型:J-FET 电路数:4 压摆率:16 V/µs 增益带宽积:4MHz 电流-输入偏置:20pA 电压-输入失调:3mV 电流-电源:1.4mA Current-Output/Channel:40mA 电压-电源，单/双（±）:6 V ~ 36 V,±3 V ~ 18 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | TL074CDT | ST(意法半导体) | 放大器类型:J-FET 电路数:4 压摆率:13 V/µs 增益带宽积:3MHz 电流-输入偏置:20pA 电压-输入失调:3mV 电流-电源:1.4mA Current-Output/Channel:40mA 电压-电源，单/双（±）:6 V ~ 36 V,±3 V ~ 18 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | TS321ILT | ST(意法半导体) | 电路数:1 Ohms 压摆率:0.4 V/µs 增益带宽积:800kHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:500µV 电流-电源:600µA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 运算放大器 | TSM103WAIDT | ST(意法半导体) | FET类型:放大器 封装/外壳:8-SO CMRR - 共模抑制比:70 dB GBP-增益带宽产品:900 kHz Ib - 输入偏流:150 nA SR - 转换速率:0.4 V/us Vos - 输入偏置电压:3 mV en - 输入电压噪声密度:50nV/sqrtHz 关闭:No Shutdown 双重电源电压:±3V,±5V,±9V 宽度:4mm(Max) 工作电源电压:3Vto32V,±1.5Vto±16V 工作电源电流(mA):1.2 mA 放大器类型:GeneralPurposeAmplifier 最大双重电源电压:±16V 最小双重电源电压:±1.5V 电压增益 dB:100dB 电源电压-最大:32 V 电源电压-最小:3 V 电源类型:Single,Dual 系列:TSM103W 通道数量:2 Channel 长度:5mm(Max) 高度:1.65mm(Max) 工作温度:-40°C ~ 105°C |
| 运算放大器 | LMV324TSG-13 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:4 输出类型:满摆幅 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:15nA 电压-输入失调:1.7mV 电流-电源:340µA 电流-输出/通道:90mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V,±1.35 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-TSSOP |
| 运算放大器 | LMV321WG-7 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:LMV 电源电压-最小:2.7 V 关闭:No Shutdown 电源电压-最大:5.5 V 通道数量:1 Channel 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 工作电源电流(mA):110 uA 电源类型:Single Ib-输入偏流:250 nA 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:15nA 电压-输入失调:1.7mV 电流-电源:110µA 电流-输出/通道:90mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V,±1.35 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SOT-25 |
| 运算放大器 | LM358ADT | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1.1MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:700µA Current-Output/Channel:60mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LM324DT | ST(意法半导体) | 电路数:4 压摆率:0.4 V/µs 增益带宽积:1.3MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:1.5mA Current-Output/Channel:70mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | LM293DT | ST(意法半导体) | 元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:18mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SO |