| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| IGBT | IGW40T120 | Infineon(英飞凌) | 系列:IGW40T120 标准包装数量:240 配置:Single 集电极-发射极最大电压VCEO:1200 V 栅极发射机最大电压:± 20 V 集电极最大连续电流Ic:75 A 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.7V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:75A 功率:270W 封装/外壳:Tube 高度:20.95mm 长度:15.9mm 宽度:5.3mm 栅极—射极漏泄电流:600nA 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | RGTH80TS65DGC11 | ROHM(罗姆) | 功率:234W 在25 C的连续集电极电流:70A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH80TS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:70A 集电极连续电流:40A |
| IGBT | IKW30N60T | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.5V 栅极/发射极最大电压:20V 在25 C的连续集电极电流:60A 功率:187W 高度:20.95mm 长度:15.9mm 宽度:5.3mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 封装/外壳:Tube 系列:TRENCHSTOPIGBT 集电极最大连续电流 Ic:60A 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | FF1800R17IP5 | Infineon(英飞凌) | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700V 集电极—射极饱和电压:1.75V 在25 C的连续集电极电流:1800A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:8950W 封装/外壳:AG-PRIME3±5 栅极/发射极最大电压:20V 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | IKP20N65H5 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:42A 功率:125W 系列:TRENCHSTOP5H5 封装/外壳:Tube 高度:15.95mm 长度:10.36mm 工作温度:-40°C ~ 175°C 宽度:4.57mm 栅极—射极漏泄电流:100nA |
| IGBT | BM63767S-VC | ROHM(罗姆) | 湿气敏感性等级(MSL):1(无限) FET类型:IGBT 配置:三相反相器 电流:30A 电压:600V 电压 - 隔离:1500Vrms 封装/外壳:25-PowerDIP模块 |
| IGBT | 2PS12017E44G35911 | Infineon(英飞凌) | RoHS compliant:no 包装方式:TRAY Configuration:2-pack Rated AC Voltage (VRMS):690.0 Housing:PrimeSTACK™ C4 Features:incl. Capacitors Cooling:Air cooled Rated AC Current (ARMS):460.0 Implemented IGBT Modules:FF300R17KE4 Rated fSW (kHz):3.0 |