IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| IGBT | STGIPS10C60T-H | ST(意法半导体) | 系列:SLLIMM™ FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:10A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:25-PowerDIP 模块(0.993",25.23mm) |
| IGBT | STGIPN3H60T-H | ST(意法半导体) | 系列:SLLIMM™ FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:3A 电压:600V 电压-隔离:1000Vrms 封装/外壳:26-PowerDIP 模块(0.846",21.48mm) |
| IGBT | IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/144ns 测试条件:400V,75A,18 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:85ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):300A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.75V @ 15V,75A 功率:395W 开关能量:2.4mJ(开),950µJ(关) 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| IGBT | DDB6U145N16LHOSA1 | Infineon(英飞凌) | 二极管配置:3 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1600V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.43V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:150A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:1600V 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:AG-ISOPACK-1 封装/外壳:模块 电桥类型:三相 峰值平均正向电流:145A 峰值反向重复电压:1600V 引脚数目:6 配置:单 峰值非重复正向浪涌电流:1.2kA 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-40 °C 峰值正向电压:1.43V 峰值反向电流:5mA 长度:94mm 封装/外壳:94 x 42 x 30mm 高度:30mm 宽度:42mm |
| IGBT | STGIPL20K60 | ST(意法半导体) | 系列:SLLIMM™ FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:20A 电压:600V 电压-隔离:2500VDC 封装/外壳:38-PowerDIP 模块(1.146",29.10mm) |