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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| IGBT | IGD06N60TATMA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):18A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.05V @ 15V,6A 功率:88W 开关能量:200µJ 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/130ns 测试条件:400V,6A,23 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| IGBT | 10-F124NID200SH03-LG19F98 | Vincotech(威科) | 电压:2.4KV |
| IGBT | 10-F124NIE200SH03-LG29F98 | Vincotech(威科) | 电压:2.4KV |
| IGBT | 10-FY07BVA050S5-LF44E18 | Vincotech(威科) | 电压:650V |
| IGBT | 10-FY07BVA075S5-LF45E18 | Vincotech(威科) | 电压:650V |
| IGBT | IHW40N135R3 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1350V 集电极—射极饱和电压:1.65V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:80A 功率:429W 系列:RC 栅极—射极漏泄电流:100nA 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | IHW40N120R3 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.55V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:80A 功率:429W 系列:RC 栅极—射极漏泄电流:100nA 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | IHW30N135R3 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1350V 集电极—射极饱和电压:1.65V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:60A 功率:349W 系列:RC 栅极—射极漏泄电流:100nA 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | IHW25N120R2 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.6V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:50A 功率:365W 高度:20.95mm 长度:15.9mm 宽度:5.3mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 系列:600VTRENCHSTOP 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | IHW25N120E1 | Infineon(英飞凌) | RoHS compliant:yes td(off):240.0ns tf:1764.0ns Technology:IGBT RC Soft Switching Eoff:0.19mJ 封装/外壳:TO-247 Budgetary Price €/1k:1.38 ICpuls max:75.0A Ptot max:231.0W IC (@ 25°) max:50.0A Switching Frequency min max:8.0kHz 60.0kHz IF max:50.0A Switching Frequency:RC Soft Switching Series 8-60 kHz QGate:147.0nC Voltage Class max:1200.0V VCE max:1200.0V VF:2.35V VCE(sat):1.5V IFpuls max:75.0A IC (@ 100°) max:25.0A VGE(th):5.8V Eoff (Soft Switching):0.08mJ IGBT 类型:NPT 和沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,25A 功率:231W 开关能量:800µJ(关) 输入类型:标准 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| IGBT | IHW20N135R5 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1350V 集电极—射极饱和电压:1.65V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:40A 功率:288W 系列:RC 栅极—射极漏泄电流:100nA 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | IHW20N135R3 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1350V 集电极—射极饱和电压:1.6V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:40A 功率:310W 系列:RC 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | IHW20N120R5 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.55V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:40A 功率:288W 系列:RC 栅极—射极漏泄电流:100nA 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | IHW20N120R3 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.48V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:40A 功率:310W 系列:RC 栅极—射极漏泄电流:100nA 集电极连续电流:40A 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | IHW15N120R3 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.48V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:30A 功率:254W 系列:RC 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | IHW15N120E1 | Infineon(英飞凌) | RoHS compliant:yes td(off):140.0ns tf:1800.0ns Technology:IGBT RC Soft Switching Eoff:0.07mJ 封装/外壳:TO-247 Budgetary Price €/1k:0.77 ICpuls max:45.0A Ptot max:156.0W IC (@ 25°) max:30.0A Switching Frequency min max:8.0kHz 60.0kHz IF max:30.0A Switching Frequency:RC Soft Switching Series 8-60 kHz QGate:90.0nC Voltage Class max:1200.0V VCE max:1200.0V VF:2.35V VCE(sat):1.5V IFpuls max:45.0A IC (@ 100°) max:15.0A VGE(th):5.8V Eoff (Soft Switching):0.03mJ IGBT 类型:NPT 和沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,15A 功率:156W 开关能量:300µJ(关) 输入类型:标准 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| IGBT | FZ900R12KE4 | Infineon(英飞凌) | 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.1V 在25 C的连续集电极电流:900A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:4300W 封装/外壳:AG-62MM-2 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | FZ600R12KS4 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:3.2V 在25 C的连续集电极电流:700A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:3900W 封装/外壳:AG-62MM-2 高度:36.5mm 长度:106.4mm 宽度:61.4mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| IGBT | FZ400R12KS4 | Infineon(英飞凌) | 配置:SingleDualEmitter 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 在25 C的连续集电极电流:510A 封装/外壳:AG-62MM-2 高度:36.5mm 长度:106.4mm 宽度:61.4mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| IGBT | FS75R12KT3G | Infineon(英飞凌) | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.15V 在25 C的连续集电极电流:100A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:455W 封装/外壳:AG-ECONO3-4 高度:17mm 长度:122mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| IGBT | FS150R12KT4 | Infineon(英飞凌) | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 在25 C的连续集电极电流:150A 封装/外壳:AG-ECONO3-4 高度:17mm 长度:122mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | FS100R12KT3 | Infineon(英飞凌) | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 在25 C的连续集电极电流:140A 封装/外壳:AG-ECONO3-4 高度:17mm 长度:122mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| IGBT | FP75R12KT4 | Infineon(英飞凌) | 配置:3-Phase 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.25V 在25 C的连续集电极电流:150A 栅极—射极漏泄电流:100nA 功率:385W 封装/外壳:AG-ECONO3-3 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | FP50R12KT3 | Infineon(英飞凌) | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 在25 C的连续集电极电流:75A 封装/外壳:AG-ECONO3-3 高度:17mm 长度:122mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| IGBT | FP35R12KT4 | Infineon(英飞凌) | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 在25 C的连续集电极电流:35A 封装/外壳:AG-ECONO2-4 高度:17mm 长度:107.5mm 宽度:45mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | FP25R12KT4 | Infineon(英飞凌) | 配置:3-Phase 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.85V 在25 C的连续集电极电流:25A 栅极—射极漏泄电流:100nA 功率:160W 封装/外壳:AG-ECONO2-4 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | FF900R12IE4 | Infineon(英飞凌) | 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.05V 在25 C的连续集电极电流:900A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:5100W 封装/外壳:AG-PRIME2-1 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | FF75R12RT4 | Infineon(英飞凌) | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.15V 在25 C的连续集电极电流:75A 栅极—射极漏泄电流:100nA 功率:395W 封装/外壳:AG-34MM-1 栅极/发射极最大电压:20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | FF600R12ME4 | Infineon(英飞凌) | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.1V 在25 C的连续集电极电流:995A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:4050W 封装/外壳:AG-ECONOD-5 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | FF450R12ME4 | Infineon(英飞凌) | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.1V 在25 C的连续集电极电流:675A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:2250W 封装/外壳:AG-ECONOD-3 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | FF450R12KT4 | Infineon(英飞凌) | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.1V 在25 C的连续集电极电流:580A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:2400W 封装/外壳:AG-62MM-1 高度:30.5mm 长度:106.4mm 宽度:61.4mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | FF300R12KT4 | Infineon(英飞凌) | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.1V 在25 C的连续集电极电流:450A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:1600W 封装/外壳:AG-62MM-1 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | FF300R12KS4 | Infineon(英飞凌) | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:3.75V 在25 C的连续集电极电流:370A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:1950W 封装/外壳:AG-62MM-1 高度:30.9mm 长度:106.4mm 宽度:61.4mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| IGBT | FF200R12KT4 | Infineon(英飞凌) | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 在25 C的连续集电极电流:320A 封装/外壳:AG-62MM-1 高度:30.5mm 长度:106.4mm 宽度:61.4mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | FF200R12KS4 | Infineon(英飞凌) | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:3.2V 在25 C的连续集电极电流:275A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:1400W 封装/外壳:AG-62MM-1 高度:30.5mm 长度:106.4mm 宽度:61.4mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| IGBT | FF1800R17IP5 | Infineon(英飞凌) | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700V 集电极—射极饱和电压:1.75V 在25 C的连续集电极电流:1800A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:8950W 封装/外壳:AG-PRIME3±5 栅极/发射极最大电压:20V 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | FF150R12RT4 | Infineon(英飞凌) | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.75V 在25 C的连续集电极电流:150A 栅极—射极漏泄电流:100nA 功率:790W 封装/外壳:AG-34MM-1 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | FF150R12KS4 | Infineon(英飞凌) | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:3.2V 在25 C的连续集电极电流:225A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:1250W 封装/外壳:AG-62MM-1 高度:30.5mm 长度:106.4mm 宽度:61.4mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| IGBT | FF100R12RT4 | Infineon(英飞凌) | 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2V 栅极—射极漏泄电流:100nA 功率:555W 栅极/发射极最大电压:20V RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:1 Ohms Configuration:Dual Dimensions (length):94.0mm Housing:34 mm VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.75V IC(nom) / IF(nom):100.0A Dimensions (width):34.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.75V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | FF100R12KS4 | Infineon(英飞凌) | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:3.2V 在25 C的连续集电极电流:150A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:780W 封装/外壳:AG-62MM-1 高度:30.5mm 长度:106.4mm 宽度:61.4mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| IGBT | IKQ50N120CH3 | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:NA td(off):297.0ns tf:30.0ns Technology:IGBT HighSpeed 3 Irrm:34.0A tr:32.0ns Eoff (Hard Switching):1.9mJ 封装/外壳:TO-247-3 VCE max:1200.0 V Eoff (Hard Switching):1.9 mJ ICpuls max:200.0A Ptot max:652.0W IC (@ 25°) max:100.0A Ptot max:652.0 W td(on):34.0 ns Voltage Class max:1200.0 V Switching Frequency min max:18.0kHz 60.0kHz IF max:50.0A Switching Frequency:18-60 kHz QGate:235.0nC Voltage Class max:1200.0V Eon:3.0mJ VCE max:1200.0V VF:1.9 V VCE(sat):2.0 V IF max:50.0 A IFpuls max:200.0A IC (@ 100°) max:50.0A ICpuls max:200.0 A Qrr:3500.0 nC Switching Frequency min max:18.0 kHz 60.0 kHz IC (@ 25°) max:100.0 A IFpuls max:200.0 A IC (@ 100°) max:50.0 A 功率:652W 在25 C的连续集电极电流:100 A 栅极/发射极最大电压:± 20 V 栅极—射极漏泄电流:100nA 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V 集电极—射极饱和电压:2 V 集电极最大连续电流 Ic:100A 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | AOK40B65H2AL | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.6V @ 15V,40A 功率:260W 开关能量:1.17mJ (开), 540µJ (关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/117ns 测试条件:600V、 40A、 7.5 欧姆、 15V 反向恢复时间（trr）:315ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| IGBT | 10-EY12NMC200SH-L068F08T-/3/ | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | 10-EY12NMB200SH-L058F08T-/3/ | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | 10-EY12B2A027SH03-L078L63T-/3/ | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | IKQ75N120CH3 | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:NA td(off):282.0 ns tf:29.0ns Technology:IGBT HighSpeed 3 Irrm:25.0 A tr:47.0ns Eoff (Hard Switching):2.8mJ 封装/外壳:TO-247-3 VCE max:1200.0 V Eoff (Hard Switching):2.8 mJ ICpuls max:300.0A Ptot max:938.0W IC (@ 25°) max:150.0A Ptot max:938.0 W td(on):34.0 ns Voltage Class max:1200.0 V Switching Frequency min max:18.0kHz 60.0kHz IF max:75.0A Switching Frequency:18-60 kHz QGate:370.0 nC Voltage Class max:1200.0V Eon:6.4 mJ VCE max:1200.0V VF:1.9V VCE(sat):2.0V IF max:75.0 A IFpuls max:300.0A IC (@ 100°) max:75.0A ICpuls max:300.0 A Qrr:5100.0 nC Switching Frequency min max:18.0 kHz 60.0 kHz IC (@ 25°) max:150.0 A IFpuls max:300.0 A IC (@ 100°) max:75.0 A 功率:938W 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极/发射极最大电压:± 20 V 栅极—射极漏泄电流:100nA 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V 集电极—射极饱和电压:2 V 集电极最大连续电流 Ic:150A 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | 10-F124NIE150SH03-LG28F98 | Vincotech(威科) | 电压:2.4KV |
| IGBT | 10-F124NID150SH03-LG18F98 | Vincotech(威科) | 电压:2.4KV |
| IGBT | 10-FZ062TA050SM-P987D13 | Vincotech(威科) | 电压:600V |
| IGBT | 30-FT12NMA200SH01-M660F18 | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | RGW00TS65DGC11 | ROHM(罗姆) | 功率:254W 在25 C的连续集电极电流:96 A 封装/外壳:TO-247N-3 栅极/发射极最大电压:30 V 栅极—射极漏泄电流:200nA 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 集电极最大连续电流 Ic:96A 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | AOK40B120H1 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TO247 |
| IGBT | 10-P107NIB150SG06-M136F39Y | Vincotech(威科) | 电压:650V |
| IGBT | IKW50N65ES5 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.7V @ 15V,50A 开关能量:1.23mJ(开),550µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/127ns 测试条件:400V,50A,8.2 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:70ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.35V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:80A 功率:274W 系列:TRENCHSTOP5S5 高度:20.7mm 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 栅极—射极漏泄电流:100nA |
| IGBT | AOK30B135D2_001 | AOS(万国半导体) | |
| IGBT | 10-FZ06NIA075SA-P926F33 | Vincotech(威科) | 电压:600V |
| IGBT | FP150R12KT4_B11 | Infineon(英飞凌) | 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:PIM Three Phase Input Rectifier Dimensions (length):122.0mm Technology:IGBT4 - T4 Qualification:Industrial Housing:EconoPIM™ 3 Features:PressFIT VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.75V IC(nom) / IF(nom):150.0A VF (Tvj=25°C typ):1.7 V Applications:Aircon ; Auxiliary Inverters ; Drives ; Induction Heating Dimensions (width):62.0 mm Voltage Class:1200.0 V |
| IGBT | IKW30N65H5 | Infineon(英飞凌) | 系列:TrenchStop™ IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:55A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):90A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,30A 功率:188W 开关能量:280µJ(开),100µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 测试条件:400V,15A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:70ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| IGBT | 10-FZ12NMA080NS03-M260F38 | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | 10-FY07NPA150SM02-L365F08 | Vincotech(威科) | 电压:650V |
| IGBT | 10-PY07NIB080SM03-L095F03Y | Vincotech(威科) | 电压:650V |
| IGBT | V23990-P589-A41-/3/-PM | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | 10-FZ062TA040FB-P984D18 | Vincotech(威科) | 电压:600V |
| IGBT | 10-FZ06NPA070FP-P969F | Vincotech(威科) | 电压:600V |
| IGBT | EXT-L366-F08_TS | Vincotech(威科) | 电压:650V |
| IGBT | 10-FY07NPA200SM02-L366F08 | Vincotech(威科) | 电压:650V |
| IGBT | 10-0B066PA030SB-M996F09 | Vincotech(威科) | 电压:600V |
| IGBT | 10-PY12NMA160SH01-M820F18Y | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | V23990-P840-A48-PM | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | 10-FY07NBA150S5-M506L98 | Vincotech(威科) | 电压:650V |
| IGBT | 30-FT07NIB300S502-LE06F58-/3/ | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | 10-FY12B2A040SH02-L788L18 | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | 10-FZ06NBA075SA-P916L33 | Vincotech(威科) | 电压:600V |
| IGBT | 10-FY074PA100SM-L583F08 | Vincotech(威科) | 电压:650V |
| IGBT | FP150R12KT4P | Infineon(英飞凌) | 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:PIM Three Phase Input Rectifier Dimensions (length):122.0mm Technology:IGBT4 - T4 Qualification:Industrial Housing:EconoPIM™ 3 Features:TIM VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.75V IC(nom) / IF(nom):150.0 A VF (Tvj=25°C typ):1.7 V Applications:Aircon ; Auxiliary Inverters ; Drives ; Induction Heating Dimensions (width):62.0 mm Voltage Class:1200.0 V |
| IGBT | 70-W424NIA800SH-M800F | Vincotech(威科) | 电压:2.4KV |
| IGBT | 10-FY12M3A025SH-M746F08 | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | IKW15N120H3 | Infineon(英飞凌) | 系列:TrenchStop® IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,15A 功率:217W 开关能量:1.55mJ 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/260ns 测试条件:600V,15A,35 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:260ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| IGBT | A0-VS122PA600M7-L759F70 | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | 10-F006PPA020SB-M685B | Vincotech(威科) | 电压:600V |
| IGBT | V23990-P449-C33-PM | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | 10-FY074PA050SM-M582F38 | Vincotech(威科) | 电压:650V |
| IGBT | IKW50N60H3 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.3V @ 15V,50A 开关能量:2.36mJ 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/235ns 测试条件:400V,50A,7 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:130ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:2.25V 栅极/发射极最大电压:20V 在25 C的连续集电极电流:100A 功率:333W 系列:HighSpeed3 集电极最大连续电流 Ic:50A 高度:20.7mm 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 栅极—射极漏泄电流:100nA |
| IGBT | 70-W212NMA600SC-M200P | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | V23990-P629-L81-PM | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | IKZ75N65EH5 | Infineon(英飞凌) | 系列:TrenchStop™ 5 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:90A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):300A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,75A 功率:395W 开关能量:680µJ(开),430µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/347ns 测试条件:400V,37.5A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:58ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-4 |
| IGBT | 10-FY07NPA200SM02-L366F08-/3/ | Vincotech(威科) | 电压:650V |
| IGBT | A0-VS126PA200M7-L999F70 | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | 70-W624NIA1K2M702-L400FP70 | Vincotech(威科) | 电压:2.4KV |
| IGBT | 10-PG12NAB008MR02-LC59F18T | Vincotech(威科) | 电压:2.4KV |
| IGBT | 30-FT12NMA160SH02-M669F28 | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | 10-FY07HVA050S5-L984F08 | Vincotech(威科) | 电压:600V |
| IGBT | V23990-P629-F73-PM | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | V23990-P545-A20-PM | Vincotech(威科) | 电压:600V |
| IGBT | 10-PZ074PA030SM-L623F08Y | Vincotech(威科) | 电压:650V |
| IGBT | 10-PH12NAB008MR02-LC59F38T | Vincotech(威科) | 电压:2.4KV |
| IGBT | 10-FY074PA100SM01-L583F18 | Vincotech(威科) | 电压:650V |
| IGBT | 20-1C12IBA015SH-LB18A08 | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | 10-PZ126PA080ME-M909F18Y | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | 10-FZ06NBA041FS01-P915L78 | Vincotech(威科) | 电压:600V |