IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 13172425630
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| IGBT | IRGS4620DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):36A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,12A 功率:140W 开关能量:75µJ(开),225µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 测试条件:400V,12A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:68ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAKCOPAK 封装/外壳:D2PAK 最大连续集电极电流:32 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:140W 封装/外壳:D2PAK (TO-263) FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:9.65mm 高度:4.83mm 封装/外壳:10.67 x 9.65 x 4.83mm 最高工作温度:+175 °C 栅极电容:765pF 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRGR4607DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:11A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):12A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.05V @ 15V,4A 功率:58W 开关能量:140µJ(开),62µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/120ns 测试条件:400V,4A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:48ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DPAKCOPAK 封装/外壳:D-Pak 最大连续集电极电流:11 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:58 W 封装/外壳:DPAK (TO-252) FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:6.73mm 宽度:6.22mm 高度:2.39mm 封装/外壳:6.73 x 6.22 x 2.39mm 最高工作温度:+175 °C 栅极电容:250pF 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRGPS66160DPBF | 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:240A 脉冲电流-集电极(Icm):360A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,120A 功率:750W 开关能量:4.47mJ(开),3.43mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:80ns/190ns 测试条件:400V,120A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:95ns 工作温度:-40°C~175°C(TJ) 封装/外壳:SUPER247COPAK 封装/外壳:SUPER-247(TO-274AA) | |
| IGBT | IRGPS46160DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:240A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):360A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.05V @ 15V,120A 开关能量:5.75mJ(开),3.43mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:80ns/190ns 测试条件:400V,120A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:130ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:240 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:750W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:16.1mm 宽度:5.5mm 高度:20.8mm 封装/外壳:16.1 x 5.5 x 20.8mm 额定能量:500µJ | |
| IGBT | IRGP6690DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:140A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):225A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,75A 开关能量:3.1mJ(开),2.8mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/222ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:90ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:140 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:483W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 额定能量:210µJ | |
| IGBT | IRGP6660DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:95A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):144A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,48A 功率:330W 开关能量:600µJ(开),1.3mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/155ns 测试条件:400V,48A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:70ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO247COPAK 封装/外壳:TO-247AC 最大连续集电极电流:95 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:330W 封装/外壳:TO-247AC FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 最高工作温度:+175 °C 额定能量:135µJ 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRGP6640D-EPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:53A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):72A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,24A 功率:200W 开关能量:90µJ(开),600µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/100ns 测试条件:400V,24A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:70ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO247COPAK 封装/外壳:TO-247AD 最大连续集电极电流:53 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:200W 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:15.9mm 宽度:20.7mm 高度:5.31mm 封装/外壳:15.9 x 20.7 x 5.31mm 最低工作温度:-40 °C 额定能量:1140µJ 最高工作温度:+175 °C | |
| IGBT | IRGP6630DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:47A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):54A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,18A 开关能量:75µJ(开),350µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/95ns 测试条件:400V,18A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:70ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:47 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:192W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 栅极电容:1080pF | |
| IGBT | IRGP4750DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):105A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,35A 功率:273W 开关能量:1.3mJ(开),500µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/105ns 测试条件:400V,35A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:150ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO247COPAK 封装/外壳:TO-247AC 最大连续集电极电流:70 A 最大集电极-发射极电压:650 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:273 W 封装/外壳:TO-247AC FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 额定能量:380µJ 最高工作温度:+175 °C 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRGP4690DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:140A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):225A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,75A 功率:454W 开关能量:2.47mJ(开),2.16mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/200ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:155ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO247COPAK 封装/外壳:TO-247AC 最大连续集电极电流:140 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:454W 封装/外壳:TO-247AC FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 最低工作温度:-55 °C 额定能量:470µJ 最高工作温度:+175 °C | |
| IGBT | IRGP4620DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):36A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,12A 功率:140W 开关能量:75µJ(开),225µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 测试条件:400V,12A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:68ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO247COPAK 封装/外壳:TO-247AC 最大连续集电极电流:32 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:140W 封装/外壳:TO-247AC FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 最高工作温度:+175 °C 栅极电容:765pF 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRGB4620DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):36A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,12A 开关能量:75µJ(开),225µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 测试条件:400V,12A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:68ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:32 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:140W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:4.83mm 高度:16.51mm 封装/外壳:10.67 x 4.83 x 16.51mm 额定能量:280µJ | |
| IGBT | IRGB4630DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:47A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):54A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,18A 开关能量:95µJ(开),350µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/105ns 测试条件:400V,18A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:100ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:47 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:206W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:4.83mm 高度:16.51mm 封装/外壳:10.67 x 4.83 x 16.51mm 栅极电容:1040pF | |
| IGBT | IRGB4615DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,8A 功率:99W 开关能量:70µJ(开),145µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/95ns 测试条件:400V,8A,47 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:60ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO220COPAK 封装/外壳:TO-220AB 最大连续集电极电流:23 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:99 W 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:4.83mm 高度:16.51mm 封装/外壳:10.67 x 4.83 x 16.51mm 最高工作温度:+175 °C 额定能量:165µJ 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRG7PH46UD-EP | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,40A 功率:390W 开关能量:2.61mJ(开),1.85mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/410ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:140ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AD | |
| IGBT | IRG7PH35UD-EP | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,20A 开关能量:1.06mJ(开),620µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/160ns 测试条件:600V,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:105ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 最大连续集电极电流:50 A 最大集电极-发射极电压:1200 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:180W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:1MHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 栅极电容:1940pF 额定能量:2150µJ | |
| IGBT | IRG6B330UDPBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:330V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.76V @ 15V,120A 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/176ns 测试条件:196V,25A,10 欧姆 反向恢复时间（trr）:60ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:330V 电流-集电极（Ic）（最大值）:70A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.76V @ 15V,120A 功率:160W 25°C时Td（开/关）值:47ns/176ns 封装/外壳:TO-220AB | |
| IGBT | IKZ50N65NH5XKSA1 | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:85A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,50A 功率:273W 开关能量:350µJ(开),200µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/252ns 测试条件:400V,25A,15 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:46ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-4 封装/外壳:PG-TO247-4 | |
| IGBT | IKZ75N65NH5XKSA1 | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:90A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):300A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,75A 功率:395W 开关能量:880µJ(开),520µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/412ns 测试条件:400V,37.5A,27 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:59ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-4 封装/外壳:PG-TO247-4 | |
| IGBT | IHW40N135R3FKSA1 | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,40A 功率:429W 开关能量:2.5mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/343ns 测试条件:600V、 40A、 7.5 欧姆、 15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 | |
| IGBT | IHW30N120R3FKSA1 | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):90A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.75V @ 15V,30A 功率:349W 开关能量:1.47mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/326ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 | |
| IGBT | IKW30N65NL5XKSA1 | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:85A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.35V @ 15V,30A 功率:227W 开关能量:560µJ(开),1.35mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:59ns/283ns 测试条件:400V,30A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:59ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 | |
| IGBT | VS-GA200SA60UP | 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同 Vce 时的输入电容（Cies）:16.5nF @ 30V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200A 功率:500W 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.9V @ 15V,100A | |
| IGBT | SKW25N120 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 栅极/发射极最大电压:±20V 系列:SKW25N120 封装/外壳:Tube 集电极最大连续电流 Ic:46A 高度:21.1mm 长度:16.03mm 宽度:5.16mm 工作温度:-55°C ~ 150°C | |
| IGBT | SGP15N120 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 栅极/发射极最大电压:±20V 系列:SGP15N120 封装/外壳:Tube 集电极最大连续电流 Ic:30A 高度:9.25mm 长度:10mm 宽度:4.4mm 工作温度:-55°C ~ 150°C | |
| IGBT | SGP07N120 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 栅极/发射极最大电压:±20V 系列:SGP07N120 封装/外壳:Tube 集电极最大连续电流 Ic:16.5A 高度:9.25mm 长度:10mm 宽度:4.4mm 工作温度:-55°C ~ 150°C | |
| IGBT | SGB02N120 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 栅极/发射极最大电压:±20V 系列:SGB02N120 集电极最大连续电流 Ic:6.2A 高度:4.4mm 长度:10mm 宽度:9.25mm 工作温度:-55°C ~ 150°C | |
| IGBT | RGTH50TS65GC11 | 功率:174W 在25 C的连续集电极电流:50A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH50TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:50A 集电极连续电流:25A | |
| IGBT | BM63767S-VA | 功率:59W 封装/外壳:HSDIP-25 工作电源电压:13.5 V to 16.5 V 工作电源电流(mA):900 uA 工作频率:20kHz 输出电流:30 A 输出端数量:3Output 工作温度:-25°C ~ 100°C | |
| IGBT | IRGP4063PBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:96A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):144A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.14V @ 15V,48A 开关能量:625µJ(开),1.28mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/145ns 测试条件:400V,48A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:96 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:330W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm | |
| IGBT | IRGSL4062DPBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:48A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):96A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,24A 功率:250W 开关能量:115µJ(开),600µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/104ns 测试条件:400V,24A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:89ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-262 | |
| IGBT | IRGS6B60KDTRLP | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:13A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):26A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,5A 功率:90W 开关能量:110µJ(开),135µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/215ns 测试条件:400V,5A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:70ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 配置:Single 集电极—射极饱和电压:1.8V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:18A 系列:RC 高度:4.57mm 长度:10.31mm 宽度:9.45mm 栅极—射极漏泄电流:100nA | |
| IGBT | IRGS6B60KDPBF | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:13A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):26A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,5A 开关能量:110µJ(开),135µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/215ns 测试条件:400V,5A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:70ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 最大连续集电极电流:18 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:90W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:9.65mm 高度:4.83mm 封装/外壳:10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| IGBT | IRGS4620DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):36A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,12A 功率:140W 开关能量:75µJ(开),225µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 测试条件:400V,12A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:68ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAKCOPAK 封装/外壳:D2PAK 最大连续集电极电流:32 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:140W 封装/外壳:D2PAK (TO-263) FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:9.65mm 高度:4.83mm 封装/外壳:10.67 x 9.65 x 4.83mm 最高工作温度:+175 °C 栅极电容:765pF 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRGS4615DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,8A 功率:99W 开关能量:70µJ(开),145µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/95ns 测试条件:400V,8A,47 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:60ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAKCOPAK 封装/外壳:D2PAK 最大连续集电极电流:23 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:99 W 封装/外壳:D2PAK (TO-263) FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:9.65mm 高度:4.83mm 封装/外壳:10.67 x 9.65 x 4.83mm 最高工作温度:+175 °C 额定能量:165µJ 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRGS4062DPBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:48A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):96A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,24A 开关能量:115µJ(开),600µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/104ns 测试条件:400V,24A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:89ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:48 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:250W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:4.83mm 高度:9.65mm 封装/外壳:10.67 x 4.83 x 9.65mm | |
| IGBT | IRGS4045DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):18A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,6A 功率:77W 开关能量:56µJ(开),122µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 测试条件:400V,6A,47 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:74ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAKCOPAK 封装/外壳:D²PAK 最大连续集电极电流:6 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:77 W 封装/外壳:D2PAK (TO-263) FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:1MHz 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:9.65mm 高度:4.83mm 封装/外壳:10.67 x 9.65 x 4.83mm 最高工作温度:+175 °C 最低工作温度:-55 °C | |
| IGBT | IRGS30B60KPBF | IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:78A 脉冲电流-集电极(Icm):120A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.35V @ 15V,30A 功率:370W 开关能量:350µJ(开),825µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:46ns/185ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK 封装/外壳:D2PAK | |
| IGBT | IRGS14C40LPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:430V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.75V @ 5V,14A 输入类型:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/6µs 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:430V 电流-集电极（Ic）（最大值）:20A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.75V @ 5V,14A 功率:125W 25°C时Td（开/关）值:900ns/6µs 封装/外壳:D2PAK | |
| IGBT | IRGS10B60KDPBF | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:22A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):44A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,10A 功率:156W 开关能量:140µJ(开),250µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/230ns 测试条件:400V,10A,47 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:90ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D2PAKCOPAK 封装/外壳:D2PAK 最大连续集电极电流:22 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:156W 封装/外壳:D2PAK (TO-263) FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:1MHz 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:9.65mm 高度:4.83mm 封装/外壳:10.67 x 9.65 x 4.83mm 最低工作温度:-55 °C 栅极电容:620pF 额定能量:804µJ 最高工作温度:+150 °C | |
| IGBT | IRGR4607DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:11A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):12A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.05V @ 15V,4A 功率:58W 开关能量:140µJ(开),62µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/120ns 测试条件:400V,4A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:48ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DPAKCOPAK 封装/外壳:D-Pak 最大连续集电极电流:11 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:58 W 封装/外壳:DPAK (TO-252) FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:6.73mm 宽度:6.22mm 高度:2.39mm 封装/外壳:6.73 x 6.22 x 2.39mm 最高工作温度:+175 °C 栅极电容:250pF 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRGPS60B120KDP | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:105A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):240A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.75V @ 15V,60A 开关能量:3.21mJ(开),4.78mJ(关) 输入类型:标准 测试条件:600V,15A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:180ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:105A 脉冲电流-集电极(Icm):240A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.75V @ 15V,60A 功率:595W 封装/外壳:SUPER-247(TO-274AA) | |
| IGBT | IRGPS46160DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:240A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):360A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.05V @ 15V,120A 开关能量:5.75mJ(开),3.43mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:80ns/190ns 测试条件:400V,120A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:130ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:240 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:750W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:16.1mm 宽度:5.5mm 高度:20.8mm 封装/外壳:16.1 x 5.5 x 20.8mm 额定能量:500µJ | |
| IGBT | IRGPS40B120UPBF | IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流-集电极(Icm):160A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:3.71V @ 15V,50A 功率:595W 开关能量:1.4mJ(开),1.65mJ(关) 输入类型:标准 测试条件:600V,40A,4.7 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SUPER247 封装/外壳:SUPER-247(TO-274AA) | |
| IGBT | IRGPS4067DPBF | IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:240A 脉冲电流-集电极(Icm):360A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.05V @ 15V,120A 功率:750W 开关能量:5.75mJ(开),3.43mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:80ns/190ns 测试条件:400V,120A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:130ns 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:SUPER247COPAK 封装/外壳:SUPER-247(TO-274AA) | |
| IGBT | IRGP6630DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:47A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):54A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,18A 开关能量:75µJ(开),350µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/95ns 测试条件:400V,18A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:70ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:47 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:192W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 栅极电容:1080pF | |
| IGBT | IRGP50B60PD1PBF | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.85V @ 15V,50A 开关能量:255µJ(开),375µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/130ns 测试条件:390V,33A,3.3 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:75A 脉冲电流-集电极(Icm):150A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.85V @ 15V,50A 功率:390W 25°C时Td（开/关）值:30ns/130ns 封装/外壳:TO-247AC | |
| IGBT | IRGP4660DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):144A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.9V @ 15V,48A 开关能量:625µJ(开),1.28mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/145ns 测试条件:400V,48A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:115ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:60 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:330W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:1MHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm | |
| IGBT | IRGP4660D-EPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):144A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.9V @ 15V,48A 功率:330W 开关能量:625µJ(开),1.28mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/145ns 测试条件:400V,48A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:115ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AD | |
| IGBT | IRGP4650DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:76A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):105A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.9V @ 15V,35A 功率:268W 开关能量:390µJ(开),632µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/105ns 测试条件:400V,35A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:120ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC | |
| IGBT | IRGP4650D-EPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:76A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):105A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.9V @ 15V,35A 开关能量:390µJ(开),632µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/105ns 测试条件:400V,35A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:120ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:76 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:268W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm | |
| IGBT | IRGP4640DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):72A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.9V @ 15V,24A 开关能量:115µJ(开),600µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/104ns 测试条件:400V,24A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:89ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:40 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:250W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:1MHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm | |
| IGBT | IRGP4640D-EPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):72A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.9V @ 15V,24A 功率:250W 开关能量:115µJ(开),600µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/104ns 测试条件:400V,24A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:89ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC | |
| IGBT | IRGP4266DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:140A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):300A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,75A 开关能量:2.5mJ(开),2.2mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/200ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:170ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:140 A 最大集电极-发射极电压:650 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:455W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:1MHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 栅极电容:4430pF 额定能量:6.4mJ | |
| IGBT | IRGP4069DPBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:76A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):105A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,35A 开关能量:390µJ(开),632µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/105ns 测试条件:400V,35A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:120ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:76A 脉冲电流-集电极(Icm):105A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,35A 功率:268W 25°C时Td（开/关）值:46ns/105ns 封装/外壳:TO-247AC | |
| IGBT | IRGP4069D-EPBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:76A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):105A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,35A 开关能量:390µJ(开),632µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/105ns 测试条件:400V,35A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:120ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:76A 脉冲电流-集电极(Icm):105A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,35A 功率:268W 25°C时Td（开/关）值:46ns/105ns 封装/外壳:TO-247AD | |
| IGBT | IRGP4068DPBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:96A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):144A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.14V @ 15V,48A 开关能量:1.28mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 测试条件:400V,48A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:96A 脉冲电流-集电极(Icm):144A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.14V @ 15V,48A 功率:330W 25°C时Td（开/关）值:-/145ns 封装/外壳:TO-247AC | |
| IGBT | IRGP4068D-EPBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:96A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):144A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.14V @ 15V,48A 开关能量:1.28mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 测试条件:400V,48A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:96 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:330W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.13mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.13 x 20.7mm | |
| IGBT | IRGP4066DPBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:140A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):225A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,75A 开关能量:2.47mJ(开),2.16mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/200ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:155ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:140A 脉冲电流-集电极(Icm):225A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,75A 功率:454W 25°C时Td（开/关）值:50ns/200ns 封装/外壳:TO-247AC | |
| IGBT | IRGP4066D-EPBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:140A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):225A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,75A 开关能量:2.47mJ(开),2.16mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/200ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:155ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:140 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:454W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.13mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.13 x 20.7mm | |
| IGBT | IRGP4063PBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:96A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):144A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.14V @ 15V,48A 开关能量:625µJ(开),1.28mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/145ns 测试条件:400V,48A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:96 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:330W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm | |
| IGBT | IRGP4062DPBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:48A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):72A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,24A 开关能量:115µJ(开),600µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/104ns 测试条件:400V,24A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:89ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:48A 脉冲电流-集电极(Icm):72A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,24A 功率:250W 25°C时Td（开/关）值:41ns/104ns 封装/外壳:TO-247AC | |
| IGBT | IRGP35B60PDPBF | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.55V @ 15V,35A 开关能量:220µJ(开),215µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/110ns 测试条件:390V,22A,3.3 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流-集电极(Icm):120A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.55V @ 15V,35A 功率:308W 25°C时Td（开/关）值:26ns/110ns 封装/外壳:TO-247AC | |
| IGBT | IRGP30B60KD-EP | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.35V @ 15V,30A 开关能量:350µJ(开),825µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/185ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:125ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流-集电极(Icm):120A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.35V @ 15V,30A 功率:304W 25°C时Td（开/关）值:46ns/185ns 封装/外壳:TO-247AD | |
| IGBT | IRGP30B120KD-EP | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:4V @ 15V,60A 开关能量:1.07mJ(开),1.49mJ(关) 输入类型:标准 测试条件:600V,25A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:300ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流-集电极(Icm):120A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:4V @ 15V,60A 功率:300W 封装/外壳:TO-247AD | |
| IGBT | IRGP20B60PDPBF | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.8V @ 15V,20A 开关能量:95µJ(开),100µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/115ns 测试条件:390V,13A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流-集电极(Icm):80A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.8V @ 15V,20A 功率:220W 25°C时Td（开/关）值:20ns/115ns 封装/外壳:TO-247AC | |
| IGBT | IRGIB7B60KDPBF | IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:12A 脉冲电流-集电极(Icm):24A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,8A 功率:39W 开关能量:160µJ(开),160µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:23ns/140ns 测试条件:400V,8A,50 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:95ns 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:FULLPAK220COPAK 封装/外壳:TO-220AB | |
| IGBT | IRGIB6B60KDPBF | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:11A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):22A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,5A 功率:38W 开关能量:110µJ(开),135µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/215ns 测试条件:400V,5A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:70ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包 | |
| IGBT | IRGIB15B60KD1P | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:19A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):38A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,15A 开关能量:127µJ(开),334µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/173ns 测试条件:400V,15A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:67ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:19 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:52W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:10.63mm 宽度:4.83mm 高度:16.12mm 封装/外壳:10.63 x 4.83 x 16.12mm | |
| IGBT | IRGIB10B60KD1P | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:16A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):32A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,10A 功率:44W 开关能量:156µJ(开),165µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/180ns 测试条件:400V,10A,50 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:79ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包 | |
| IGBT | IRGB6B60KDPBF | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:13A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):26A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,5A 开关能量:110µJ(开),135µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/215ns 测试条件:400V,5A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:70ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:13A 脉冲电流-集电极(Icm):26A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,5A 功率:90W 25°C时Td（开/关）值:25ns/215ns 封装/外壳:TO-220AB | |
| IGBT | IRGB4630DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:47A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):54A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,18A 开关能量:95µJ(开),350µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/105ns 测试条件:400V,18A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:100ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:47 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:206W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:4.83mm 高度:16.51mm 封装/外壳:10.67 x 4.83 x 16.51mm 栅极电容:1040pF | |
| IGBT | IRGB4620DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):36A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,12A 开关能量:75µJ(开),225µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 测试条件:400V,12A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:68ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:32 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:140W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:4.83mm 高度:16.51mm 封装/外壳:10.67 x 4.83 x 16.51mm 额定能量:280µJ | |
| IGBT | IRGB4615DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,8A 功率:99W 开关能量:70µJ(开),145µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/95ns 测试条件:400V,8A,47 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:60ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO220COPAK 封装/外壳:TO-220AB 最大连续集电极电流:23 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:99 W 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:4.83mm 高度:16.51mm 封装/外壳:10.67 x 4.83 x 16.51mm 最高工作温度:+175 °C 额定能量:165µJ 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRGB4062DPBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:48A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):72A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,24A 开关能量:115µJ(开),600µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/104ns 测试条件:400V,24A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:89ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:48A 脉冲电流-集电极(Icm):72A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,24A 功率:250W 25°C时Td（开/关）值:41ns/104ns 封装/外壳:TO-220AB | |
| IGBT | IRGB4061DPBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:36A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):72A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,18A 开关能量:95µJ(开),350µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/105ns 测试条件:400V,18A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:100ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:36A 脉冲电流-集电极(Icm):72A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,18A 功率:206W 25°C时Td（开/关）值:40ns/105ns 封装/外壳:TO-220AB | |
| IGBT | IRGB4060DPBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:16A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):32A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,8A 开关能量:70µJ(开),145µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/95ns 测试条件:400V,8A,47 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:60ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:16A 脉冲电流-集电极(Icm):32A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,8A 功率:99W 25°C时Td（开/关）值:30ns/95ns 封装/外壳:TO-220AB | |
| IGBT | IRGB4056DPBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:24A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):48A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,12A 开关能量:75µJ(开),225µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 测试条件:400V,12A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:68ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:24A 脉冲电流-集电极(Icm):48A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,12A 功率:140W 25°C时Td（开/关）值:31ns/83ns 封装/外壳:TO-220AB | |
| IGBT | IRGB30B60KPBF | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:78A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.35V @ 15V,30A 开关能量:350µJ(开),825µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/185ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:78A 脉冲电流-集电极(Icm):120A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.35V @ 15V,30A 功率:370W 25°C时Td（开/关）值:46ns/185ns 封装/外壳:TO-220AB | |
| IGBT | IRGB20B60PD1PBF | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.8V @ 15V,20A 开关能量:95µJ(开),100µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/115ns 测试条件:390V,13A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:28ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流-集电极(Icm):80A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.8V @ 15V,20A 功率:215W 25°C时Td（开/关）值:20ns/115ns 封装/外壳:TO-220AB | |
| IGBT | IRGB15B60KDPBF | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:31A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):62A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,15A 开关能量:220µJ(开),340µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/184ns 测试条件:400V,15A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:92ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:31A 脉冲电流-集电极(Icm):62A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,15A 功率:208W 25°C时Td（开/关）值:34ns/184ns 封装/外壳:TO-220AB | |
| IGBT | IRGB14C40LPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:430V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.75V @ 5V,14A 输入类型:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/6µs 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:430V 电流-集电极（Ic）（最大值）:20A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.75V @ 5V,14A 功率:125W 25°C时Td（开/关）值:900ns/6µs 封装/外壳:TO-220AB | |
| IGBT | IRGB10B60KDPBF | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:22A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):44A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,10A 功率:156W 开关能量:140µJ(开),250µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/230ns 测试条件:400V,10A,47 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:90ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB | |
| IGBT | IRG7PH46UDPBF | IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流-集电极(Icm):160A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2V @ 15V,40A 功率:390W 开关能量:2.61mJ(开),1.85mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:45ns/410ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:140ns 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO247COPAK 封装/外壳:TO-247AC | |
| IGBT | IRG7PH42UPBF | IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 脉冲电流-集电极(Icm):90A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2V @ 15V,30A 功率:385W 开关能量:2.11mJ(开),1.18mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:25ns/229ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO247 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:90A 封装/外壳:TO-247AC | |
| IGBT | IRG7PH42UDPBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:85A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):90A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,30A 开关能量:2.11mJ(开),1.18mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/229ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:153ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:85A 脉冲电流-集电极(Icm):90A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2V @ 15V,30A 功率:320W 25°C时Td（开/关）值:25ns/229ns 封装/外壳:TO-247AC | |
| IGBT | IRG7PH35UDPBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,20A 开关能量:1.06mJ(开),620µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/160ns 测试条件:600V,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:105ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:50A 脉冲电流-集电极(Icm):60A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,20A 功率:180W 25°C时Td（开/关）值:30ns/160ns 封装/外壳:TO-247AC | |
| IGBT | IRG4RC20FPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:22A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):44A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,12A 功率:66W 开关能量:190µJ(开),920µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/194ns 测试条件:480V,12A,50 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK 封装/外壳:D-Pak 最大连续集电极电流:22 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 封装/外壳:DPAK (TO-252) FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:6.73mm 宽度:6.22mm 高度:2.39mm 封装/外壳:6.73 x 6.22 x 2.39mm 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-55 °C | |
| IGBT | IRG4RC10UDPBF | 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:8.5A 脉冲电流-集电极(Icm):34A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.6V @ 15V,5A 功率:38W 开关能量:140µJ(开),120µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:40ns/87ns 测试条件:480V,5A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:28ns 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAKCOPAK 封装/外壳:D-Pak | |
| IGBT | IRG4RC10SDPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):18A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,8A 开关能量:310µJ(开),3.28mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 测试条件:480V,8A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:28ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流-集电极(Icm):18A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,8A 功率:38W 25°C时Td（开/关）值:76ns/815ns 封装/外壳:D-Pak | |
| IGBT | IRG4RC10KDTRPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:9A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):18A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.62V @ 15V,5A 开关能量:250µJ(开),140µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:49ns/97ns 测试条件:480V,5A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:28ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:9A 脉冲电流-集电极(Icm):18A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.62V @ 15V,5A 功率:38W 25°C时Td（开/关）值:49ns/97ns 封装/外壳:D-Pak | |
| IGBT | IRG4PSH71UDPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:99A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,70A 开关能量:8.8mJ(开),9.4mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/250ns 测试条件:960V,70A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:110ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:99A 脉冲电流-集电极(Icm):200A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,70A 功率:350W 25°C时Td（开/关）值:46ns/250ns 封装/外壳:SUPER-247(TO-274AA) | |
| IGBT | IRG4PSH71KDPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:78A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):156A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:3.9V @ 15V,42A 开关能量:5.68mJ(开),3.23mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:67ns/230ns 测试条件:800V,42A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:107ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 最大连续集电极电流:78 A 最大集电极-发射极电压:1200 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:350W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:16.1mm 宽度:5.3mm 高度:20.8mm 封装/外壳:16.1 x 5.3 x 20.8mm | |
| IGBT | IRG4PSC71UDPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:85A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,60A 开关能量:3.26mJ(开),2.27mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:90ns/245ns 测试条件:480V,60A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:82ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:85A 脉冲电流-集电极(Icm):200A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2V @ 15V,60A 功率:350W 25°C时Td（开/关）值:90ns/245ns 封装/外壳:SUPER-247(TO-274AA) | |
| IGBT | IRG4PSC71KPBF | 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:85A 脉冲电流-集电极(Icm):200A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.3V @ 15V,60A 功率:350W 开关能量:790µJ(开),1.98mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:34ns/54ns 测试条件:480V,60A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SUPER247 封装/外壳:SUPER-247(TO-274AA) | |
| IGBT | IRG4PSC71KDPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:85A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.3V @ 15V,60A 开关能量:3.95mJ(开),2.33mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:82ns/282ns 测试条件:480V,60A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:82ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:85A 脉冲电流-集电极(Icm):200A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.3V @ 15V,60A 功率:350W 25°C时Td（开/关）值:82ns/282ns 封装/外壳:SUPER-247(TO-274AA) | |
| IGBT | IRG4PH50UPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):180A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:3.7V @ 15V,24A 开关能量:530µJ(开),1.41mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/200ns 测试条件:960V,24A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:45A 脉冲电流-集电极(Icm):180A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:3.7V @ 15V,24A 功率:200W 25°C时Td（开/关）值:35ns/200ns 封装/外壳:TO-247AC | |
| IGBT | IRG4PH50SPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:57A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):114A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.7V @ 15V,33A 开关能量:1.8mJ(开),19.6mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 测试条件:960V,33A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:57A 脉冲电流-集电极(Icm):114A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.7V @ 15V,33A 功率:200W 25°C时Td（开/关）值:32ns/845ns 封装/外壳:TO-247AC | |
| IGBT | IRG4PH50KPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):90A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:3.5V @ 15V,24A 功率:200W 开关能量:1.21mJ(开),2.25mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/200ns 测试条件:960V,24A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC | |
| IGBT | IRG4PH50KDPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):90A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:3.5V @ 15V,24A 功率:200W 开关能量:3.83mJ(开),1.9mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:87ns/140ns 测试条件:800V,24A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:90ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 最大连续集电极电流:45 A 最大集电极-发射极电压:1200 V 栅极电压Vgs:±20V FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:15.9mm 宽度:5.3mm 高度:20.3mm 封装/外壳:15.9 x 5.3 x 20.3mm |