参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STP90N6F6
说明	通用MOSFET   TO-220-3 TO-220
品牌	ST(意法半导体)
起订量	0
最小包	0
现货	125 [库存更新时间：2026-05-03]
系列	DeepGATE™,STripFET™ VI
连续漏极电流Id	84A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	74.9nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	4295pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	136W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	6.8m Ohms@38.5A,10V
工作温度	175°C(TJ)
封装/外壳	TO-220-3
封装/外壳	TO-220
FET类型	N-Channel
Ciss-输入电容	4295 pF
连续漏极电流Id	84A
典型关闭延迟时间	73 ns
FET类型	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
Pd-功率耗散(Max)	136W
配置	Single
Qg-栅极电荷	74.9 nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	6.8mΩ
漏源极电压Vds	60V
栅极电压Vgs	4V
Vgs-栅源极击穿电压	± 20 V
上升时间	42 ns
下降时间	16 ns