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    未分类 SK12-LTP MICRO COMMERCIAL 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:500mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 20V 不同 Vr，F 时的电容:110pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:DO-214AA(SMB) 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
    未分类 SK15-LTP MICRO COMMERCIAL 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:720mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 50V 不同 Vr，F 时的电容:30pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:DO-214AA(SMB) 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
    未分类 2SA1201-O-TP MICRO COMMERCIAL
    未分类 SK32B-LTP MICRO COMMERCIAL 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:500mV @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 20V 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:DO-214AA(SMB) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
    未分类 1N5386B-TP MICRO COMMERCIAL
    未分类 SMAJP4KE15A-TP MICRO COMMERCIAL
    整流二极管 SD103BWS-TP MICRO COMMERCIAL FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:350mA 正向电压Vf:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:10ns 反向漏电流Ir:5µA @ 20V 结电容Cj:50pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:SOD-323 工作温度-结:-65°C ~ 125°C
    未分类 FR105-TP MICRO COMMERCIAL
    整流二极管 SK13-LTP MICRO COMMERCIAL FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:1A 正向电压Vf:500mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500µA @ 30V 封装/外壳:DO-214AA(SMB) 工作温度-结:-55°C ~ 125°C
    未分类 SK32A-LTP MICRO COMMERCIAL 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:500mV @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 20V 不同 Vr，F 时的电容:250pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:DO-214AC(SMA) 工作温度 - 结:-50°C ~ 125°C
    未分类 SR1200-TP MICRO COMMERCIAL
    未分类 KBP204G-BP MICRO COMMERCIAL 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 2A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:4-SIP,GBP 封装/外壳:GBP
    未分类 P4KE400A-TP MICRO COMMERCIAL FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:342V 击穿电压VBR(min):380V 箝位电压VCL(max):548V 峰值脉冲电流Ipp:750mA 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-41
    未分类 1.5KE200A-TP MICRO COMMERCIAL
    未分类 TIP31C-BP MICRO COMMERCIAL FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA,3A 电流 - 集电极截止（最大值）:300µA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 3A,4V 功率:2W 频率 - 跃迁:3MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB
    未分类 PB66-BP MICRO COMMERCIAL 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:4-方形,PB-6 封装/外壳:PB-6
    未分类 SDB106-TP MICRO COMMERCIAL
    未分类 1N4454-TP MICRO COMMERCIAL
    未分类 MMBD4448HADW-TP MICRO COMMERCIAL 二极管配置:2 对共阳极 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 70V 工作温度 - 结:150°C(最大) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SOT-363
    未分类 DB3-TP MICRO COMMERCIAL 电压 - 导通:28 ~ 36V 电流 - 击穿:100µA 电流 - 峰值输出:2A 工作温度:-40°C ~ 110°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35G
    未分类 1N4151-TP MICRO COMMERCIAL
    未分类 MP158-BP MICRO COMMERCIAL
    未分类 BZX84C16-TP MICRO COMMERCIAL 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V 偏差:±6% 功率:7/20W 阻抗（最大值）（Zzt）:40 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 11.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23
    整流二极管 US1JE-TP MICRO COMMERCIAL FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:10µA @ 600V 结电容Cj:17pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:SMAE 工作温度-结:-50°C ~ 150°C
    未分类 2SA1201-Y-TP MICRO COMMERCIAL FET类型:P-Channel 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA,5V 功率:1W 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-243AA 封装/外壳:SOT-89
    未分类 5KP28CA-TP MICRO COMMERCIAL
    未分类 BZX84C6V2W-TP MICRO COMMERCIAL 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 偏差:±6% 功率:1/5W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:3µA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SC-70,SOT-323 封装/外壳:SOT-323
    未分类 5KP100CA-TP MICRO COMMERCIAL
    未分类 5KP75CA-TP MICRO COMMERCIAL
    未分类 5KP70CA-TP MICRO COMMERCIAL FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:70V 击穿电压VBR(min):77.8V 箝位电压VCL(max):113V 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW) 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:R6,轴向 封装/外壳:R-6
    未分类 P4KE43A-TP MICRO COMMERCIAL
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    未分类 SA54CA-TP MICRO COMMERCIAL
    未分类 P6KE110CA-TP MICRO COMMERCIAL FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:94V 击穿电压VBR(min):105V 箝位电压VCL(max):152V 峰值脉冲电流Ipp:4A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 封装/外壳:DO-15
    未分类 P4KE10CA -TP MICRO COMMERCIAL
    未分类 P6KE100CA-TP MICRO COMMERCIAL FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:85.5V 击穿电压VBR(min):95V 箝位电压VCL(max):137V 峰值脉冲电流Ipp:4.4A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 封装/外壳:DO-15
    未分类 MMXZ5229B-TP MICRO COMMERCIAL 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 偏差:±5% 功率:1/5W 阻抗（最大值）（Zzt）:22 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SC-76,SOD-323 封装/外壳:SOD-323
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    未分类 1N5387B-TP MICRO COMMERCIAL
    未分类 MMXZ5227B-TP MICRO COMMERCIAL 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 偏差:±5% 功率:1/5W 阻抗（最大值）（Zzt）:24 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:15µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SC-76,SOD-323 封装/外壳:SOD-323
    未分类 P4KE36A-TP MICRO COMMERCIAL
    整流二极管 SMAZ12-TP MICRO COMMERCIAL 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:7 Ohms 反向漏电流Ir:1µA @ 9.1V 正向电压Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC(SMAJ) 封装/外壳:SMA 齐纳电压Vz:12V 功率耗散Pd:1W
    未分类 AZ23C5V6-TP MICRO COMMERCIAL 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 偏差:±5% 功率:3/10W 阻抗（最大值）（Zzt）:40 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:1V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23
    整流二极管 BAS40V-TP MICRO COMMERCIAL 配置:2 个独立式 FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:200mA 正向电压Vf:1V @ 40mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:200nA @ 30V 工作温度-结:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-563
    未分类 AZ23C8V2-TP MICRO COMMERCIAL
    未分类 1N5996B-TP MICRO COMMERCIAL 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 偏差:±5% 功率:1/2W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 5.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35
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    未分类 UMT1N-TP MICRO COMMERCIAL FET类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA,6V 功率:3/20W 频率 - 跃迁:140MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SOT-363
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    未分类 SL110A-TP MICRO COMMERCIAL 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:600mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 100V 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:DO-214AC(SMA) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
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    未分类 P4KE440CA-TP MICRO COMMERCIAL FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:376V 击穿电压VBR(min):418V 箝位电压VCL(max):602V 峰值脉冲电流Ipp:680mA 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-41
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    未分类 MD75S16M2-BP MICRO COMMERCIAL 二极管类型:三相 电压 - 峰值反向（最大值）:1.6KV 电流 - 平均整流（Io）:75A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.6V @ 150A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:300µA @ 1600V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:模块
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    未分类 MMBZ5235B-TP MICRO COMMERCIAL 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 偏差:±5% 功率:7/20W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:3µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23
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    未分类 MCQ4459-TP MICRO COMMERCIAL FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:11nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:625pF @ 15V 功率:1.4W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:72 毫欧 @ 5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
    未分类 MCQ4406-TP MICRO COMMERCIAL FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:10A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13nC @ 5V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1550pF @ 15V 功率:1.4W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:16 毫欧 @ 10A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
    未分类 MCMN2012-TP MICRO COMMERCIAL FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:12A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:32nC @ 5V 栅极电压Vgs:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1800pF @ 4V Rds On(Max)@Id,Vgs:11 毫欧 @ 9.7A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DFN2020-6J 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘

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