IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 接口 | MC74HC4052ADWR2G | ON(安森美) | 开关电路:SP4T 多路复用器/解复用器电路:4:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:100 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:10 欧姆 电压- 电源，单（V+）:2 V ~ 6 V 电压-电源，双（V±）:±2 V ~ 6 V -3db带宽:95MHz 沟道电容（CS(off），CD（off））:80pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:100nA 串扰:-60dB @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | USB3315C-CP-TR | Microchip | 系列:flexPWR™ FET类型:收发器 协议:USB 2.0 驱动器/接收器数:1/1 接收器滞后:150mV 电压-电源:1.8 V ~ 3.3 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:24-QFN(4x4) |
| 接口 | USB5534B-5000JZX | Microchip | 功能:集线器控制器 接口:USB 标准:USB 3.0 电压-电源:1.25V, 3.3V 工作温度:0°C ~ 85°C 封装/外壳:64-QFN(9x9) |
| 接口 | USB2641-HZH-02 | Microchip | 电压-电源:3.3V 封装/外壳:48-QFN(7x7) |
| 接口 | USB2512BI-AEZG-TR | Microchip | 功能:集线器控制器 接口:USB 标准:USB 2.0 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 电流-电源:60mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:36-QFN(6x6) |
| 接口 | USB3503A-1-GL-TR | Microchip | 功能:集线器控制器 接口:USB 标准:USB 2.0 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:25-WLCSP(1.97x1.97) |
| 接口 | USB2533I-1080AEN | Microchip | 系列:flexPWR™ 功能:集线器控制器 接口:USB 标准:USB 2.0 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SQFN(6x6) |
| 接口 | USB5534B-6080JZX | Microchip | 功能:集线器控制器 接口:USB 标准:USB 3.0 电压-电源:1.25V, 3.3V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:64-QFN(9x9) |
| 接口 | USB2514BT-I/M2 | Microchip | 功能:集线器控制器 接口:USB 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 电流-电源:70mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:36-SQFN(6x6) |
| 接口 | USB3803C-1-GL-TR | Microchip | 功能:集线器控制器 接口:USB 标准:USB 2.0 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:25-WLCSP |
| 接口 | MC74LVXT8051DR2G | ON(安森美) | 多路复用器/解复用器电路:8:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:25 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:8 欧姆 电压- 电源，单（V+）:2 V ~ 6 V -3db带宽:80MHz 沟道电容（CS(off），CD（off））:10pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:100nA 串扰:-60dB @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | NCN8026AMNTXG | ON(安森美) | 电压-电源:1.6 V ~ 5.5 V 封装/外壳:24-QFN(4x4) |
| 接口 | NCN6001MUTWG | ON(安森美) | 接口:微控制器 电压-电源:2.75 V ~ 5.5 V 封装/外壳:20-uFLGA |
| 接口 | ST202EBWR | ST(意法半导体) | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:2/2 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:230kbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SO |
| 接口 | DG409DY-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SP4T 多路复用器/解复用器电路:4:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:100 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:15 欧姆(最大) 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 36 V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:150ns,150ns 电荷注入:20pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:14pF,25pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | ST26C32ABTR | ST(意法半导体) | FET类型:接收器 协议:RS422,RS423 驱动器/接收器数:0/4 接收器滞后:60mV 数据速率:20Mbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-TSSOP |
| 接口 | ST3232ECTR | ST(意法半导体) | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:2/2 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-TSSOP |
| 接口 | ST3232CWR | ST(意法半导体) | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:2/2 双工:全 接收器滞后:300mV 数据速率:400kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SO |
| 接口 | ST3232BDR | ST(意法半导体) | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:2/2 双工:全 接收器滞后:300mV 数据速率:400kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SO |
| 接口 | ST485CDR | ST(意法半导体) | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 接收器滞后:70mV 数据速率:2.5Mbps 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO |
| 接口 | ST485EBDR | ST(意法半导体) | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 接收器滞后:70mV 数据速率:5Mbps 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SO |
| 接口 | ST3232CTR | ST(意法半导体) | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:2/2 双工:全 接收器滞后:300mV 数据速率:400kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-TSSOP |
| 接口 | ST3237EBPR | ST(意法半导体) | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:5/3 双工:全 接收器滞后:300mV 数据速率:1Mbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-SSOP |
| 接口 | ST3232BTR | ST(意法半导体) | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:2/2 双工:全 接收器滞后:300mV 数据速率:400kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-TSSOP |
| 接口 | ST7540TR | ST(意法半导体) | FET类型:收发器 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 电压-电源:5 V ~ 9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-HTSSOP |
| 接口 | ST75185CTR | ST(意法半导体) | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:3/5 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:120Kbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:20-TSSOP |
| 接口 | WIZ110SR | WIZNET INC | 协议:以太网 功能:桥,RS232 至 TCP/IP 接口:RS232 电压-电源:5V 工作温度:0°C ~ 80°C 封装/外壳:模块 |
| 接口 | NCV7351D1ER2G | ON(安森美) | FET类型:收发器 协议:CAN 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | NCV7342D10R2G | ON(安森美) | 系列:汽车级,AEC-Q100 FET类型:收发器 协议:CAN 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | NLAS3799BLMNR2G | ON(安森美) | 开关电路:DPDT 多路复用器/解复用器电路:2:2 电路数:2 导通电阻（最大值）:400 毫欧 通道至通道匹配（ΔRon）:50 毫欧(最大) 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 4.5 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:50ns,30ns -3db带宽:19MHz 电荷注入:51pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:3pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500nA 串扰:-90dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-WQFN(1.8x2.6) |
| 接口 | NLAS4053DTG | ON(安森美) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:3 导通电阻（最大值）:26 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:10 欧姆 电压- 电源，单（V+）:3 V ~ 5 V 电压-电源，双（V±）:±3V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:23ns,23ns -3db带宽:180MHz 电荷注入:12pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:10pF,10pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:100nA 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:16-TSSOP |
| 接口 | NLAS5223BMNR2G | ON(安森美) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:350 毫欧 通道至通道匹配（ΔRon）:50 毫欧(最大) 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 4.5 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:50ns,50ns -3db带宽:19MHz 电荷注入:38pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:60pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500nA 串扰:-70dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-WQFN(1.4x1.8) |
| 接口 | 73S8024RN-ILR/F1 | MAXIM(美信) | 电压-电源:2.7 V ~ 5.5 V 封装/外壳:28-SO |
| 接口 | 73S8023C-IMR/F | MAXIM(美信) | 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 封装/外壳:32-QFN(5x5) |
| 接口 | DG303ACWE+T | MAXIM(美信) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:50 欧姆 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 18 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:300ns,250ns 电荷注入:12pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:14pF,14pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:5nA 串扰:-74dB @ 500kHz 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | DG411DY+ | MAXIM(美信) | 开关电路:SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:45 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:3 欧姆(最大) 电压- 电源，单（V+）:10 V ~ 30 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:5pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:9pF,9pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串扰:-85dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SO |
| 接口 | DG202CJ+ | MAXIM(美信) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:200 欧姆 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 18 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:600ns,450ns 电荷注入:20pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:5pF,5pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:5nA 串扰:-90dB @ 100kHz 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:16-PDIP |
| 接口 | DG418LEUA+ | MAXIM(美信) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:35 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:100 毫欧 电压- 电源，单（V+）:9 V ~ 36 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,185ns 电荷注入:15pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:8pF,8pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-uMAX |
| 接口 | DG409CY+ | MAXIM(美信) | 开关电路:SP4T 多路复用器/解复用器电路:4:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:100 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:1.5 欧姆 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 30 V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:150ns,150ns 电荷注入:2pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:3pF,14pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-92dB @ 100kHz 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:16-SO 通道数量:2 Channel 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装/外壳:SOIC-16 Narrow 封装/外壳:Tube 功率:0.696W 开关电流（典型值）:0.075 mA FET类型:Analog Multiplexer 开启电阻（最大值）:175 0hms 传播延迟时间:175 ns 开启时间（最大值）:600 ns 关闭时间（最大值）:300 ns 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:5 V 电源电流:- 0.001 mA at - 15 V, 0.075 mA at 15 V |
| 接口 | DG413FDY+T | MAXIM(美信) | 开关电路:SPST - 常开/常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:35 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:200 毫欧 电压- 电源，单（V+）:9 V ~ 36 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:5pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:15pF,47pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串扰:-105dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SO 开关配置:SPST 最小工作温度:- 40 C 电源电流:- 0.155 mA at - 15 V, 0.355 mA at 15 V 电源电流（最大值）:0.6 mA 电源电压-最大:36 V 电源电压-最小:9 V 开关电流（最大值）:0.355 mA at 15 V, - 0.155 mA at - 15 V 开启电阻（最大值）:85 0hms 开启时间（最大值）:250 ns 关闭时间（最大值）:145 ns 工作电源电压:12 V, 15 V, 18 V, 24 V, 28 V 最大工作温度:+ 85 C 封装/外壳:SOIC-16 Narrow 功率:0.696W |
| 接口 | DG413EUE+ | MAXIM(美信) | 开关电路:SPST - 常开/常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:45 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:3 欧姆(最大) 电压- 电源，单（V+）:10 V ~ 30 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:5pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:9pF,9pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串扰:-85dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-TSSOP |
| 接口 | DG509ADJ+ | MAXIM(美信) | 开关电路:SP4T 多路复用器/解复用器电路:4:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:450 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:27 欧姆 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 18 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:1.5µs,1µs 沟道电容（CS(off），CD（off））:5pF,12pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:1nA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-PDIP |
| 接口 | PCA9517ADMR2G | ON(安森美) | FET类型:缓冲器,转接驱动器 通道数:2 电压-电源:0.9 V ~ 5.5 V 电流-电源:1mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:Micro8™ |
| 接口 | LE58QL021BVC | Microsemi(美高森美) | 功能:用户线路接口概念(SLIC) 接口:PCM 电路数:4 电压-电源:3.3V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:44-TQFP(10x10) |
| 接口 | PI2EQX6874ZFE | PERICOM | 系列:ReDriver™ FET类型:缓冲器,转接驱动器 输出:CML 数据速率（最大值）:6.5Gbps 通道数:8 延迟时间:750ps 信号调节:输入均衡,输出预加重 电压-电源:1.2V 电流-电源:800mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:56-TQFN(11x5) |
| 接口 | PI2EQX3201BLZFEX | PERICOM | 系列:ReDriver™ FET类型:缓冲器,转接驱动器 输出:CML 数据速率（最大值）:3Gbps 通道数:2 延迟时间:2.0ns 信号调节:输入均衡,输出去加重 电压-电源:1.5 V,1.8 V 电流-电源:90mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:36-TQFN-EP(6x5) |
| 接口 | PI2USB4122ZHE | PERICOM | 多路复用器/解复用器电路:4:1 通道数:2 电压- 电源，单（V+）:1.8V -3db带宽:2.6GHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:42-TQFN(9x3.5) |
| 接口 | PI3L301DAEX | PERICOM | 多路复用器/解复用器电路:2:1 通道数:8 导通电阻（最大值）:8 欧姆 电压- 电源，单（V+）:3 V ~ 3.6 V -3db带宽:700MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TSSOP |
| 接口 | PI3PCIE2215ZHE | PERICOM | 系列:PCI Express®,TDP™ 多路复用器/解复用器电路:2:1 通道数:2 导通电阻（最大值）:12 欧姆 电压- 电源，单（V+）:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:28-TQFN-EP(3.5x5.5) |
| 接口 | PI5A100WE | PERICOM | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:10 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:800 毫欧 电压- 电源，单（V+）:2 V ~ 6 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:15ns,7ns -3db带宽:230MHz 电荷注入:10pC(最大) 沟道电容（CS(off），CD（off））:8pF,14pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:10µA(标准) 串扰:-100dB @ 10MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | PI5A3157CEX | PERICOM | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:13 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:150 毫欧 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 5.5 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:5.2ns,3.5ns -3db带宽:250MHz 电荷注入:7pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:2.3pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:100nA 串扰:-54dB @ 10MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SC-70-6 |
| 接口 | PI7C9X7952BFDE | PERICOM | 协议:PCI 功能:桥,PCI 至 UART 接口:UART 电压-电源:1.8V, 3.3V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:128-LQFP |
| 接口 | PI7C9X113SLFDE | PERICOM | 接口:PCI 电压-电源:3.3V 封装/外壳:128-LQFP |
| 接口 | PI7C8148BNJE | PERICOM | 接口:PCI 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:160-LFBGA(15x15) |
| 接口 | PS391ESEEX | PERICOM | 开关电路:SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:45 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:500 毫欧 电压- 电源，单（V+）:3 V ~ 15 V 电压-电源，双（V±）:±3 V ~ 8 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:130ns,75ns -3db带宽:100MHz 电荷注入:3pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:12pF,12pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:100pA 串扰:-90dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | PI90LV028AWE | PERICOM | FET类型:接收器 协议:LVDS 驱动器/接收器数:0/2 数据速率:400Mbps 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | DS4520E+TRL | MAXIM(美信) | I/O数:9 接口:I²C 中断输出:无 输出类型:开路漏极 电流-灌/拉输出:12mA 时钟频率:400kHz 电压-电源:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-TSSOP |
| 接口 | DS8023-RRX+ | MAXIM(美信) | 接口:模拟 电压-电源:2.7 V ~ 6 V 封装/外壳:28-SOIC |
| 接口 | DS8007A-EAG+T | MAXIM(美信) | 接口:并联 电压-电源:2.7 V ~ 6 V 封装/外壳:48-LQFP |
| 接口 | RE46C165S16F | Microchip | FET类型:烟雾探测器 输入类型:光电 输出类型:电压 电流-电源:6µA 工作温度:-25°C ~ 75°C 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | MT8981DP1 | Microsemi(美高森美) | 功能:开关 电路数:1 Ohms 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 电流-电源:6mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:44-PLCC(16.51x16.51) |
| 接口 | MT8809AE1 | Microsemi(美高森美) | 多路复用器/解复用器电路:8:8 通道数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:65 欧姆 电压- 电源，单（V+）:4.5 V ~ 13.2 V -3db带宽:45MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:28-PDIP |
| 接口 | MT9172AP1 | Microsemi(美高森美) | 功能:用户线路接口概念(SLIC) 电路数:1 Ohms 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 电流-电源:10mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-PLCC |
| 接口 | MT88L70AS1 | Microsemi(美高森美) | 功能:DTMF 接收器 电路数:1 Ohms 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 电流-电源:2mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:18-SOIC |
| 接口 | MT8806APR1 | Microsemi(美高森美) | 多路复用器/解复用器电路:8:4 通道数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:65 欧姆 电压- 电源，单（V+）:4.5 V ~ 13.2 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V -3db带宽:45MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:28-PLCC |
| 接口 | VSC7414XKT-01 | Microsemi(美高森美) | 功能:信道扩展器 接口:2 线 电路数:1 Ohms 电压-电源:1.2V 封装/外壳:284-TQFP(24x24) |
| 接口 | MT89L80AP1 | Microsemi(美高森美) | 功能:开关 电路数:1 Ohms 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 电流-电源:4mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:44-PLCC(16.51x16.51) |
| 接口 | PM8532B-F3EI | Microsemi(美高森美) | 接口:PCI Express 封装/外壳:模块 |
| 接口 | MT8816AF1 | Microsemi(美高森美) | 多路复用器/解复用器电路:8:16 通道数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:65 欧姆 电压- 电源，单（V+）:4.5 V ~ 13.2 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V -3db带宽:45MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TQFP |
| 接口 | MT8815AP1 | Microsemi(美高森美) | 多路复用器/解复用器电路:8:12 通道数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:65 欧姆 电压- 电源，单（V+）:4.5 V ~ 13.2 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V -3db带宽:45MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-PLCC |
| 接口 | MT8952BP1 | Microsemi(美高森美) | 功能:控制器 电路数:1 Ohms 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 电流-电源:1µA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-PLCC(11.51x11.51) |
| 接口 | PM8536B-FEI | Microsemi(美高森美) | 接口:PCI Express 封装/外壳:模块 |
| 接口 | MT88L89AS1 | Microsemi(美高森美) | 功能:DTMF 收发器 电路数:1 Ohms 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 电流-电源:3.1mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-SOIC |
| 接口 | MT8812APR1 | Microsemi(美高森美) | 多路复用器/解复用器电路:8:12 通道数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:65 欧姆 电压- 电源，单（V+）:4.5 V ~ 13.2 V -3db带宽:45MHz 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:44-PLCC |
| 接口 | VSC7424XJG-02 | Microsemi(美高森美) | 功能:以太网开关 接口:串行 电路数:1 Ohms 电压-电源:1V 封装/外壳:672-BGA |
| 接口 | VSC7425XJG-02 | Microsemi(美高森美) | 功能:以太网开关 接口:串行 电路数:1 Ohms 电压-电源:1V 封装/外壳:672-BGA |
| 接口 | VSC8552XKS-01 | Microsemi(美高森美) | 功能:以太网 电路数:1 Ohms 电压-电源:1V 封装/外壳:256-BGA(17x17) |
| 接口 | SY56034ARMG | Microchip | 系列:Precision Edge® 多路复用器/解复用器电路:2:1 通道数:2 电压- 电源，单（V+）:1.2V, 1.8V, 2.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-MLF®(5x5) |
| 接口 | MAX13036ATI+T | MAXIM(美信) | 接口:SPI 串行 电压-电源:6 V ~ 26 V 封装/外壳:28-TQFN(5x5) |
| 接口 | MAX13237EETE+T | MAXIM(美信) | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:3Mbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-TQFN(5x5) 传播延迟时间 ns:0.15 us 关闭:Yes 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 激励器数量:1 Ohms 电源电流:1 mA 输入/输出端数量:4 功能:Transceiver 工作温度:- 40 C to + 85 C 工作电源电压:3 V to 5.5 V 数据速率:3 Mbps |
| 接口 | MAX13052ESA+ | MAXIM(美信) | FET类型:收发器 协议:CAN 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:70mV 数据速率:1Mbps 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | MAX13052ASA+ | MAXIM(美信) | FET类型:收发器 协议:CAN 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:70mV 数据速率:1Mbps 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | MAX13433EESD+ | MAXIM(美信) | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:15mV 数据速率:16Mbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOIC |
| 接口 | MAX13084EESA+ | MAXIM(美信) | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:100mV 数据速率:500kbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | MAX13088EESA+T | MAXIM(美信) | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 接收器滞后:100mV 数据速率:16Mbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | MAX1454AUE/V+T | MAXIM(美信) | 系列:汽车级,AEC-Q100 FET类型:传感器调节器 接口:数字 电流-电源:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-TSSOP |
| 接口 | MAX14689EWL+T | MAXIM(美信) | 系列:Beyond-the-Rails™ 开关电路:DPDT 多路复用器/解复用器电路:2:2 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:450 毫欧 通道至通道匹配（ΔRon）:5 毫欧 电压- 电源，单（V+）:1.6 V ~ 5.5 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:200µs,30µs -3db带宽:110MHz 沟道电容（CS(off），CD（off））:25pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:100nA 串扰:-100dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:9-WLP(1.26x1.26) |
| 接口 | MAX14764ETA+T | MAXIM(美信) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:20 欧姆 电压- 电源，单（V+）:3 V ~ 5.5 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:200µs,400µs -3db带宽:115MHz 电荷注入:19pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:32pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:10nA 串扰:-92dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TDFN-EP(3x3) |
| 接口 | MAX14770EESA+ | MAXIM(美信) | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 接收器滞后:50mV 数据速率:20Mbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | MAX14763ETA+T | MAXIM(美信) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:2 欧姆 电压- 电源，单（V+）:3 V ~ 5.5 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:1.8µs,1ns -3db带宽:100MHz 电荷注入:1370pC 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250nA 串扰:-83dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TDFN(3x3) 标准包装数量:2500 系列:MAX14763 |
| 接口 | MAX14777GTP+T | MAXIM(美信) | 系列:Beyond-the-Rails™ 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:10 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:200 毫欧(最大) 电压- 电源，单（V+）:3 V ~ 5.5 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:40µs,100µs -3db带宽:380MHz 电荷注入:225pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:12pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:20nA 串扰:-101dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:20-TQFN(4x4) |
| 接口 | MAX14789EGSA+T | MAXIM(美信) | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:20mV 数据速率:25Mbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | MAX14782EASA+T | MAXIM(美信) | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 接收器滞后:10mV 数据速率:500kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | MAX14780EESA+T | MAXIM(美信) | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 接收器滞后:50mV 数据速率:20Mbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | MAX14786EASD+T | MAXIM(美信) | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:20mV 数据速率:25Mbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SOIC |
| 接口 | MAX14787EGSA+T | MAXIM(美信) | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:20mV 数据速率:500kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | USB2422T-I/MJ | Microchip | 功能:集线器控制器 接口:USB 标准:USB 2.0 电压-电源:3.3V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:24-QFN(4x4) |
| 接口 | USB3340-EZK-TR | Microchip | 系列:RapidCharge Anywhere™ FET类型:收发器 协议:USB 2.0 驱动器/接收器数:1/1 接收器滞后:150mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-QFN |
| 接口 | USB2507-ADT | Microchip | 功能:集线器控制器 接口:USB 标准:USB 2.0 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 电流-电源:100mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:80-TQFP(12x12) |
| 接口 | USB2244I-AEZG-06 | Microchip | 电压-电源:3.3V 封装/外壳:36-QFN(6x6) |