IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 接口 | Z16C3010VEG | ZILOG | 系列:USC® 电压-电源:4.75 V ~ 5.5 V 封装/外壳:68-PLCC |
| 接口 | Z0220112VEGR4078 | ZILOG | 数据格式:V.21,V.22,V.23,Bell 103,Bell 212A 波特率:2.4k 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:44-PLCC |
| 接口 | Z84C1008VEG | ZILOG | 系列:Z80 电压-电源:5V 封装/外壳:44-PLCC |
| 接口 | Z84C4006PEG | ZILOG | 系列:Z80 封装/外壳:40-PDIP |
| 接口 | Z0220112VSGR4078 | ZILOG | 数据格式:V.21,V.22,V.23,Bell 103,Bell 212A 波特率:2.4k 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:44-PLCC |
| 接口 | Z8523016VSG | ZILOG | 接口:总线 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:44-PLCC |
| 接口 | Z85C3016VSG | ZILOG | 接口:总线 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:44-PLCC |
| 接口 | Z16C3516VSG | ZILOG | 系列:IUSC™ 接口:USB 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 封装/外壳:68-PLCC |
| 接口 | Z84C4310AEG | ZILOG | 系列:Z80 封装/外壳:44-LQFP |
| 接口 | Z84C1008PEG | ZILOG | 系列:Z80 电压-电源:5V 封装/外壳:40-DIP |
| 接口 | Z85C3008VSG | ZILOG | 接口:总线 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:44-PLCC |
| 接口 | Z84C9008VSG | ZILOG | 系列:Z80 电压-电源:5V 封装/外壳:84-PLCC |
| 接口 | Z0292212VSGR3910 | ZILOG | 数据格式:V.21,V.22,V.23,V.29,Bell 103,Bell 212A 波特率:9.6k 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:44-PLCC |
| 接口 | Z8023010VSG | ZILOG | 系列:IUSC™ 接口:总线 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:44-PLCC |
| 接口 | Z84C4010PEG | ZILOG | 系列:Z80 |
| 接口 | Z8523016PEG | ZILOG | 接口:总线 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:40-PDIP |
| 接口 | Z84C2006VEG | ZILOG | 系列:Z80 封装/外壳:44-PLCC |
| 接口 | Z8523L10VEG | ZILOG | 接口:总线 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:44-PLCC |
| 接口 | Z85C3008VEG | ZILOG | 接口:总线 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:44-PLCC |
| 接口 | AS21P2TLRQ | ST(意法半导体) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:500 毫欧 通道至通道匹配（ΔRon）:100 毫欧 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 4.3 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:65ns,40ns -3db带宽:55MHz 电荷注入:49pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:5pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:20nA 串扰:-72dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-QFN(1.8x1.4) |
| 接口 | AS11P2TLRQ | ST(意法半导体) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:50 毫欧 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 4.5 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:28ns,21ns -3db带宽:150MHz 电荷注入:33pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:25pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:20nA 串扰:-80dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:6-DFN(1.2x1.0) |
| 接口 | DG4157DL-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:120 毫欧(最大) 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 5.5 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:37ns,23ns -3db带宽:117MHz 电荷注入:50pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:20pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:2nA 串扰:-63dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SC-70-6(SOT-363) |
| 接口 | DG303BDJ-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:DPST - 常开/常闭 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:50 欧姆 电压-电源，双（V±）:±15V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:300ns,250ns 电荷注入:8pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:14pF,14pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:1nA 串扰:-74dB @ 500kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:14-PDIP |
| 接口 | FSA2156L6X | Fairchild(仙童) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:360 毫欧(标准) 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 4.3 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:55ns,65ns -3db带宽:80MHz 电荷注入:6pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:38pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:10nA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:6-MicroPak |
| 接口 | FSUSB11MTCX | Fairchild(仙童) | 多路复用器/解复用器电路:2:1 开关电路:SPDT 通道数:2 导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 5.5 V -3db带宽:350MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:14-TSSOP |
| 接口 | DG723DN-T1-GE4 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常开/常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:200 毫欧 电压- 电源，单（V+）:1.8 V ~ 5.5 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:30ns,35ns -3db带宽:366MHz 电荷注入:2.2pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:8pF,9pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串扰:-90dB @ 10MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TDFN(2x2) |
| 接口 | DG419BDY-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:25 欧姆 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±15V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:89ns,80ns 电荷注入:38pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:12pF,12pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串扰:-88dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | DG411DJ-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:35 欧姆 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 44 V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:5pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:9pF,9pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串扰:-85dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-PDIP |
| 接口 | DG333ADW-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:45 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:2 欧姆(最大) 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 40 V 电压-电源，双（V±）:±4 V ~ 22 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:10pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:8pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串扰:-80dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-SOIC |
| 接口 | DG442DY-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:85 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:4 欧姆(最大) 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±15V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:250ns,210ns 电荷注入:-1pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:4pF,4pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-100dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | USB3503AI-1-GL-TR | Microchip | 功能:集线器控制器 接口:USB 标准:USB 2.0 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:25-WLCSP(1.97x1.97) |
| 接口 | LAN9218I-MT | Microchip | 协议:以太网 功能:控制器 接口:并联 标准:10/100 Base-T/TX PHY 电压-电源:3.3V 电流-电源:40mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-TQFP(14x14) |
| 接口 | LAN91C96I-MU | Microchip | 协议:以太网 功能:控制器 接口:并联 标准:10 Base-T PHY 电压-电源:3.3V 电流-电源:50mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-TQFP(14x14) |
| 接口 | FSA4159L6X | Fairchild(仙童) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:900 毫欧 通道至通道匹配（ΔRon）:50 毫欧 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 5.5 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:30ns,20ns -3db带宽:180MHz 电荷注入:15pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:12pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:10nA 串扰:-60dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:6-MicroPak |
| 接口 | DG508BEJ-E3 | Vishay(威世) | 多路复用器/解复用器电路:8:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:380 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:10 欧姆 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:250ns,240ns -3db带宽:250MHz 电荷注入:2pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:3pF,13pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:1nA 串扰:-88dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:16-PDIP |
| 接口 | FSAL200QSCX | Fairchild(仙童) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:12 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:400 毫欧 电压- 电源，单（V+）:3 V ~ 5.5 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:20ns,10ns -3db带宽:137MHz 电荷注入:7pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:13pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:100µA 串扰:-70dB @ 30MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-QSOP |
| 接口 | FSA2259UMX | Fairchild(仙童) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:500 毫欧(标准) 通道至通道匹配（ΔRon）:80 毫欧 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 4.4 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:55ns,30ns -3db带宽:50MHz 电荷注入:25pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:30pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:10nA 串扰:-100dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-UMLP(1.8x1.4) |
| 接口 | FSA2267L10X | Fairchild(仙童) | 多路复用器/解复用器电路:2:1 开关电路:SPDT 通道数:2 导通电阻（最大值）:350 毫欧(标准) 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 3.6 V -3db带宽:45MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-MicroPak™ |
| 接口 | STG3693QTR | ST(意法半导体) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:5.2 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:300 毫欧 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 4.3 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:15ns,5ns -3db带宽:800MHz 电荷注入:5pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:5pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:20nA 串扰:-78dB @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:16-QFN(2.6x1.8) |
| 接口 | FSAV430MTCX | Fairchild(仙童) | 多路复用器/解复用器电路:2:1 开关电路:SPDT 通道数:4 导通电阻（最大值）:6 欧姆 电压- 电源，单（V+）:3 V ~ 3.6 V -3db带宽:1.1GHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-TSSOP |
| 接口 | DG201BDJ-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:85 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:2 欧姆 电压- 电源，单（V+）:4.5 V ~ 25 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 22 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:300ns,200ns 电荷注入:1pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:5pF,5pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-95dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-DIP |
| 接口 | DG417BDY-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:25 欧姆 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±15V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:89ns,80ns 电荷注入:38pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:12pF,12pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | STG3856QTR | ST(意法半导体) | 开关电路:SP3T 多路复用器/解复用器电路:3:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:1 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:10 毫欧 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 4.3 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:40ns,20ns -3db带宽:100MHz 电荷注入:55pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:5pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:20nA 串扰:-84dB @ 100kHz 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:12-QFN(2.2x1.4) |
| 接口 | DG470EY-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:6 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:120 毫欧 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 15 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:166ns,108ns 电荷注入:58pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:37pF,85pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-63dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | DG469EY-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:6 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:120 毫欧 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 15 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:166ns,108ns 电荷注入:58pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:37pF,85pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-63dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | DG451EQ-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:5.3 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:120 毫欧 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 15 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:118ns,97ns 电荷注入:22pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:31pF,34pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-85dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:16-TSSOP |
| 接口 | FSA2257MUX | Fairchild(仙童) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:1.5 欧姆(标准) 通道至通道匹配（ΔRon）:700 毫欧 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 5.5 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:35ns,15ns -3db带宽:200MHz 电荷注入:10pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:12pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:2nA 串扰:-75dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-MSOP |
| 接口 | FSA2267AMUX | Fairchild(仙童) | 多路复用器/解复用器电路:2:1 开关电路:SPDT 通道数:2 导通电阻（最大值）:350 毫欧(标准) 电压- 电源，单（V+）:2.3 V ~ 4.3 V -3db带宽:45MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-MSOP |
| 接口 | FSA2267AL10X | Fairchild(仙童) | 多路复用器/解复用器电路:2:1 开关电路:SPDT 通道数:2 导通电阻（最大值）:350 毫欧(标准) 电压- 电源，单（V+）:2.3 V ~ 4.3 V -3db带宽:45MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-MicroPak™ |
| 接口 | DG455EQ-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:5.3 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:120 毫欧 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 15 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:118ns,97ns 电荷注入:22pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:31pF,34pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-85dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:16-TSSOP |
| 接口 | FSA2268UMX | Fairchild(仙童) | 多路复用器/解复用器电路:2:1 开关电路:SPDT 通道数:2 导通电阻（最大值）:300 毫欧(标准) 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 4.3 V -3db带宽:50MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-UMLP(1.8x1.4) |
| 接口 | FSA2269L10X | Fairchild(仙童) | 多路复用器/解复用器电路:2:1 开关电路:SPDT 通道数:2 导通电阻（最大值）:300 毫欧(标准) 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 4.5 V -3db带宽:50MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-MicroPak™ |
| 接口 | FSA2257L10X | Fairchild(仙童) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:60 毫欧 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 5.5 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:35ns,15ns -3db带宽:200MHz 电荷注入:10pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:12pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:2nA 串扰:-75dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-MicroPak™ |
| 接口 | FSAV430QSCX | Fairchild(仙童) | 多路复用器/解复用器电路:2:1 开关电路:SPDT 通道数:4 导通电阻（最大值）:6 欧姆 电压- 电源，单（V+）:3 V ~ 3.6 V -3db带宽:1.1GHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-QSOP |
| 接口 | DG469EQ-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:6 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:120 毫欧 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 15 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:166ns,108ns 电荷注入:58pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:37pF,85pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-63dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-MSOP |
| 接口 | FSA4159P6X | Fairchild(仙童) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:900 毫欧 通道至通道匹配（ΔRon）:50 毫欧 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 5.5 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:30ns,20ns -3db带宽:180MHz 电荷注入:15pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:12pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:10nA 串扰:-60dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SC-70-6 |
| 接口 | DG452EY-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:5.3 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:120 毫欧 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 15 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:118ns,97ns 电荷注入:22pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:31pF,34pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-85dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | FSA4157P6X | Fairchild(仙童) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:60 毫欧 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 5.5 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:35ns,15ns -3db带宽:300MHz 电荷注入:20pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:12pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:2nA(标准) 串扰:-70dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SC-70-6 |
| 接口 | FSA2567MPX | Fairchild(仙童) | 开关电路:4PDT 通道数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:10 欧姆 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 4.3 V -3db带宽:475MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-MLP(3x3) |
| 接口 | DG454EY-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:5.3 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:120 毫欧 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 15 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:118ns,97ns 电荷注入:22pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:31pF,34pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-85dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | DG509BEY-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SP4T 多路复用器/解复用器电路:4:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:380 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:10 欧姆 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:250ns,240ns -3db带宽:250MHz 电荷注入:2pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:3pF,8pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:1nA 串扰:-88dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | DG451EY-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:5.3 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:120 毫欧 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 15 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:118ns,97ns 电荷注入:22pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:31pF,34pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-85dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | DG452EQ-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:5.3 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:120 毫欧 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 15 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:118ns,97ns 电荷注入:22pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:31pF,34pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-85dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:16-TSSOP |
| 接口 | FSA2466UMX | Fairchild(仙童) | 开关电路:DPDT 多路复用器/解复用器电路:2:2 电路数:2 导通电阻（最大值）:1.6 欧姆(标准) 通道至通道匹配（ΔRon）:40 毫欧 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 4.45 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:50ns,32ns -3db带宽:240MHz 电荷注入:8pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:6pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:10nA 串扰:-90dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-UMLP(1.8x2.6) |
| 接口 | DG419DJ-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:35 欧姆 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±15V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:60pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:8pF,8pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-迷你型 DIP |
| 接口 | STG3684AUTR | ST(意法半导体) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:500 毫欧 通道至通道匹配（ΔRon）:100 毫欧 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 4.3 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:55ns,30ns -3db带宽:55MHz 电荷注入:49pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:5pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:20nA 串扰:-72dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-QFN(1.8x1.4) |
| 接口 | DG428DJ-E3 | Vishay(威世) | 多路复用器/解复用器电路:8:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:100 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:5 欧姆 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±15V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:150ns,150ns 电荷注入:1pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:11pF,40pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:18-PDIP |
| 接口 | DG409DY-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SP4T 多路复用器/解复用器电路:4:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:100 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:15 欧姆(最大) 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 36 V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:150ns,150ns 电荷注入:20pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:14pF,25pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | DG405DY-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:DPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:45 欧姆 电压-电源，双（V±）:±15V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:150ns,100ns 电荷注入:60pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:12pF,12pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-90dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | DG333ALDW-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:45 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:2 欧姆(最大) 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 40 V 电压-电源，双（V±）:±4 V ~ 22 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:10pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:8pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串扰:-80dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-SOIC |
| 接口 | DG333ADJ-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:45 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:2 欧姆(最大) 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 40 V 电压-电源，双（V±）:±4 V ~ 22 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:10pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:8pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串扰:-80dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-DIP |
| 接口 | DG419DY-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:35 欧姆 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±15V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:60pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:8pF,8pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | DG213DY-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常开/常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:60 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:1 欧姆 电压- 电源，单（V+）:3 V ~ 40 V 电压-电源，双（V±）:±3 V ~ 22 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:130ns,100ns 电荷注入:1pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:5pF,5pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-95dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | DG409DJ-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SP4T 多路复用器/解复用器电路:4:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:100 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:15 欧姆(最大) 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:150ns,150ns 电荷注入:20pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:3pF,14pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-PDIP |
| 接口 | DG441DY-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:85 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:4 欧姆(最大) 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±15V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:220ns,120ns 电荷注入:-1pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:4pF,4pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-100dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | DG407DJ-E3 | Vishay(威世) | 多路复用器/解复用器电路:8:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:100 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:5 欧姆 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:200ns,150ns 电荷注入:15pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:8pF,65pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:28-PDIP |
| 接口 | DG441DJ-E3 | Vishay(威世) | 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±15V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:220ns,120ns 电荷注入:-1pC 开关电路:SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:85 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:4 欧姆(最大) 沟道电容（CS(off），CD（off））:4pF,4pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-100dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-PDIP |
| 接口 | DG407BDN-E3 | Vishay(威世) | 多路复用器/解复用器电路:8:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:60 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:3 欧姆 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:107ns,88ns 电荷注入:11pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:6pF,54pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:28-PLCC(11.51x11.51) |
| 接口 | FSAV330MX | Fairchild(仙童) | 多路复用器/解复用器电路:2:1 开关电路:SPDT 通道数:4 导通电阻（最大值）:10 欧姆 电压- 电源，单（V+）:4 V ~ 5.5 V -3db带宽:300MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | DG211BDY-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:85 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:2 欧姆 电压- 电源，单（V+）:4.5 V ~ 25 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 22 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:300ns,200ns 电荷注入:1pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:5pF,5pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-95dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | DG403DJ-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常开/常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:45 欧姆 电压-电源，双（V±）:±15V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:150ns,100ns 电荷注入:10pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:12pF,12pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-90dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-PDIP |
| 接口 | DG403DY-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常开/常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:45 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:3 欧姆 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 34 V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 17 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:150ns,100ns 电荷注入:60pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:12pF,12pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-90dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | DG419DY-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:35 欧姆 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±15V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:60pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:8pF,8pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | DG444DY-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:85 欧姆 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 36 V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:250ns,140ns 电荷注入:-1pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:4pF,4pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-100dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | DG407BDN-T1-E3 | Vishay(威世) | 多路复用器/解复用器电路:8:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:60 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:3 欧姆 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:107ns,88ns 电荷注入:11pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:6pF,54pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:28-PLCC(11.51x11.51) |
| 接口 | DG411DY-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:35 欧姆 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 44 V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:5pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:9pF,9pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串扰:-85dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | AS11P2TLRQ | ST(意法半导体) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:50 毫欧 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 4.5 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:28ns,21ns -3db带宽:150MHz 电荷注入:33pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:25pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:20nA 串扰:-80dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:6-DFN(1.2x1.0) |
| 接口 | FSA2268TUMX | Fairchild(仙童) | 多路复用器/解复用器电路:2:1 开关电路:SPDT 通道数:2 导通电阻（最大值）:300 毫欧(标准) 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 4.3 V -3db带宽:50MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-UMLP(1.8x1.4) |
| 接口 | DG2750DN-T1-E4 | Vishay(威世) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:1 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:100 毫欧 电压- 电源，单（V+）:1.8 V ~ 5 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:2.1µs,130ns -3db带宽:49MHz 电荷注入:4pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:36pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:50nA(标准) 串扰:-60dB @ 300kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-迷你型QFN(1.4x1.8) |
| 接口 | DG304BDJ-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:50 欧姆 电压-电源，双（V±）:±15V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:110ns,70ns(标准) 电荷注入:30pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:14pF,14pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:5nA 串扰:-74dB @ 500kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:14-PDIP |
| 接口 | DG444BDY-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:80 欧姆 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±15V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:300ns,200ns 电荷注入:1pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:5pF,5pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-95dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | DG417BDQ-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:25 欧姆 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±15V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:89ns,80ns 电荷注入:38pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:12pF,12pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-MSOP |
| 接口 | STG3820BJR | ST(意法半导体) | 开关电路:DPDT 多路复用器/解复用器电路:2:2 电路数:4 导通电阻（最大值）:5.8 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:300 毫欧 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 4.3 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:15ns,13ns -3db带宽:800MHz 电荷注入:6.4pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:2pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:20nA 串扰:-78dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:覆晶 30 |
| 接口 | DG418DY-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:35 欧姆 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±15V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:60pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:8pF,8pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | DG408DJ-E3 | Vishay(威世) | 多路复用器/解复用器电路:8:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:100 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:15 欧姆(最大) 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:150ns,150ns 电荷注入:20pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:3pF,26pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-PDIP |
| 接口 | DG413DJ-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常开/常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:35 欧姆 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 44 V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:5pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:9pF,9pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串扰:-85dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-PDIP |
| 接口 | DG212BDJ-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:85 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:2 欧姆 电压- 电源，单（V+）:4.5 V ~ 25 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 22 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:300ns,200ns 电荷注入:1pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:5pF,5pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-95dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-PDIP |
| 接口 | DG412DJ-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:35 欧姆 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 44 V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:5pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:9pF,9pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串扰:-85dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-PDIP |
| 接口 | DG403DY-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常开/常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:45 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:3 欧姆 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 34 V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 17 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:150ns,100ns 电荷注入:60pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:12pF,12pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-90dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | USB3740B-AI9-TR | Microchip | 系列:flexPWR™ 协议:USB 功能:开关 标准:USB 2.0 电压-电源:1.8 V ~ 5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:10-QFN(1.6x2.1) |