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    圆柱型 JUWT1475MPD Nichicon(尼吉康) 封装/外壳:径向,Can 容值:4.7F 偏差:±20% 电压:2.7V ESR:1 Ohms@1KHz
    组合型 DRMT5R0255 Korchip(高奇普) 电压:5V 容值:2.5F ESR:120 Ohms 偏差:-20%,+40%
    组合型 DRMH5R0255 Korchip(高奇普) 容值:2.5F 电压:5V ESR:240 Ohms 偏差:-20%,+40%
    叠片型 MAL219612105E3 Vishay(威世) 封装/外壳:径向,Can 容值:1F 偏差:-20%,+80% 电压:5.5V
    圆柱型 DRT2R5705 Korchip(高奇普) 容值:7F 电压:2.5V ESR:50 Ohms 偏差:-20%,+40%
    组合型 DRMH5R0504 Korchip(高奇普) 电压:5V 容值:0.5F ESR:600 Ohms 偏差:-20%,+40%
    圆柱型 DRT2R5505 Korchip(高奇普) 容值:5F 电压:2.5V ESR:60 Ohms 偏差:-20%,+40%
    叠片型 DCST5R5224HF Korchip(高奇普) 电压:5.5V 容值:0.22F ESR:75 Ohms 偏差:-20%,+80%
    组合型 DRMH5R0155 Korchip(高奇普) 电压:5V 容值:1.5F ESR:300 Ohms 偏差:-20%,+40%
    圆柱型 BMOD0001 P005 B02 Maxwell(麦克斯威) ESR:143mOhms 封装/外壳:17.50mm x 9.50mm 容值:1.5F 电压:5V 偏差:-10%,+20%
    圆柱型 BMOD0002 P005 B02 Maxwell(麦克斯威) ESR:85mOhms 封装/外壳:21.50mm x 12.00mm 容值:2.5F 电压:5V 偏差:-10%,+20%
    组合型 SCMR18D105MRBB0 AVX 容值:1F 电压:5.4VDC 偏差:±20% 封装/外壳:8mm/9.5mm 电压:5.4V
    圆柱型 MAL222591009E3 Vishay(威世) 容值:60F 电压:2.7V 偏差:-20%,+50% 封装/外壳:径向,Can
    圆柱型 MAL223091009E3 Vishay(威世) 容值:60F 电压:3VDC ESR:17m Ohms 偏差:-20%,+50% 电压:3V 封装/外壳:18*40
    矩形 FM0V104ZFTP18 KEMET(基美) 容值:0.1F 偏差:-20%,+80% 电压:3.5V
    叠片型 DMF3Z5R5H474M3DTA0 Murata(村田) 偏差:±20% ESR:45m Ohms 封装/外壳:3-SMD,鸥翼型 容值:470mF 电压:5.5V

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