IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 晶体管输出光耦 | TCET1114 | Vce饱和压降(最大):300mV 上升/下降时间(典型值):3us,4.7us 封装/外壳:4-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-40°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):6us,5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):320% @ 10mA 电流传输比(最小值):160% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | TCLT1105 | 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SOIC(0.295",7.50mm 宽)5 引线 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:150% @ 5mA 打开 / 关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs | |
| 晶体管输出光耦 | SFH6286-2 | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):3.5us,5us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):6us,5.5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.1V 电压-输出(最大值):55V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):50mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):200% @ 1mA 电流传输比(最小值):63% @ 1mA 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 光电二极管输出光耦 | APV2121SX | ||
| 光电二极管输出光耦 | APV2121SZ | ||
| 光电二极管输出光耦 | APV2111VW | ||
| 光电二极管输出光耦 | APV1122AZ | ||
| 光电二极管输出光耦 | APV1121SX | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1232AZ | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1222WAY | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1232A | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1231S | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1222WA | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1222WAW | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1221WAY | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1222AZ | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1221W | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1221WA | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1222AX | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1221AX | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1221WAW | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1221AZ | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1212WAY | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1212WAW | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1212WA | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1212AX | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1212AZ | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1212W | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1211WAY | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1211WAW | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1211WA | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1211W | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1211AZ | ||
| 双向晶闸管输出型光耦 | APT1211AX | ||
| 晶体管输出光耦 | VOM452T | 封装/外壳:6-SOIC(0.173"",4.40mm 宽),5 引线 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):200ns,500ns 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电压-输出(最大值):25V 电压-隔离:3750Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):25mA 电流-输出/通道:8mA 电流传输比(最大值):50% @ 16mA 电流传输比(最小值):20% @ 16mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | SFH620A-3X016 | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:4-DIP(0.400"",10.16mm) 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):320% @ 10mA 电流传输比(最小值):100% @ 10mA 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 三极与SCR输出光耦 | MOC3062SR2M | 输出类型:Triac 过零电路:是 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电压 - 断态:600V 静态 dV/dt（最小值）:600V/µs 电流 - LED 触发器（Ift）（最大值）:10mA 电流 - 保持（Ih）:500µA(标准) 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 电流 - DC 正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD 认可:UL | |
| 晶体管输出光耦 | HCPL2530SD | 通道数:2 电压 - 隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:7% @ 16mA 电流传输比（最大值）:50% @ 16mA 打开 / 关闭时间（典型值）:450ns,500ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:20V 电流 - 输出/通道:8mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流 - DC 正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD | |
| 晶体管输出光耦 | IL350 | 上升/下降时间(典型值):350us,- 封装/外壳:8-SOP(0.220"",5.60mm 宽) 电压-正向(Vf)(典型值):1.8V 电压-隔离:3000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):30mA 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | IL300-EF-X006 | 上升/下降时间(典型值):1us,1us 封装/外壳:8-DIP(0.400"",10.16mm) 工作温度:-55°C ~ 100°C 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):500mV 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:70uA(标准) 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | IL300-EF-X001 | 上升/下降时间(典型值):1us,1us 封装/外壳:8-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-55°C ~ 100°C 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):500mV 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:70uA(标准) 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | IL300-EFG-X007T | 上升/下降时间(典型值):1us,1us 封装/外壳:8-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 100°C 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-隔离:44200Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | IL300-DE-X007T | 上升/下降时间(典型值):1us,1us 封装/外壳:8-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 100°C 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-隔离:44200Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 通道数:1 | |
| 逻辑输出光耦 | 6N137-X006 | 上升/下降时间(典型值):23ns,7ns 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):75ns,75ns 共模瞬变抗扰度(最小值):1kV/us 封装/外壳:8-DIP(0.400"",10.16mm) 工作温度:-40°C ~ 100°C 数据速率:10MBd 电压-供电:4.5V ~ 5.5V 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):20mA 电流-输出/通道:50mA 输入-侧1/侧2:1/0 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 通道数:1 | |
| 可控硅光耦合器 | VOM3053T | 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-40°C ~ 100°C 电压-断态:600V 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 电压-隔离:3750Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-LED触发(Ift)(最大值):5mA 电流-保持(Ih):300uA(标准) 电流-通态(It(RMS))(最大值):70mA 认证机构:CQC,cUR,UR 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 静态dV/dt(最小值):1.5kV/us | |
| 晶体管输出光耦 | 4N25V | 封装/外壳:PDIP-6 输出类型:NPNPhototransistor 通道数量:1Channel If - 正向电流:50mA 最大集电极/发射极电压:32V 最大集电极电流:50mA 绝缘电压:5000Vrms 最大集电极/发射极饱和电压:0.3V Vf - 正向电压:1.4V Vr - 反向电压:5V 功率:1/4W 系列:4N25GV 高度:4.2mm 长度:8.8mm 宽度:6.4mm 电流传递比:100% 下降时间:6.7us 上升时间:7us 工作温度:-55°C ~ 100°C | |
| 晶体管输出光耦 | CNY117F-2X007T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.39V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):125% @ 10mA 电流传输比(最小值):63% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | 6N138-X009 | 封装/外壳:8-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):2us,2us 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电压-输出(最大值):7V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):25mA 电流-输出/通道:60mA 电流传输比(最小值):300% @ 1.6mA 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | CNY117F-1X017T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.39V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):80% @ 10mA 电流传输比(最小值):40% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | SFH615AA-X017 | Vce饱和压降(最大):400mV 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):2us,25us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):600% @ 5mA 电流传输比(最小值):50% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VO617A-4X017T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):320% @ 5mA 电流传输比(最小值):160% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | TCET4100 | Vce饱和压降(最大):300mV 上升/下降时间(典型值):3us,4.7us 封装/外壳:16-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):6us,5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):600% @ 5mA 电流传输比(最小值):50% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:4 | |
| 晶体管输出光耦 | LTV-217-A-G | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 电压 - 隔离:3750Vrms 打开 / 关闭时间（典型值）:3µs,3µs 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 封装/外壳:4-SSOP | |
| 晶体管输出光耦 | LTV-217-D-G | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:300% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开 / 关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SSOP | |
| 晶体管输出光耦 | SFH6156-3TX001 | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):200% @ 10mA 电流传输比(最小值):100% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | SFH6206-3 | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):320% @ 10mA 电流传输比(最小值):100% @ 10mA 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | TCLT1015 | Vce饱和压降(最大):300mV 上升/下降时间(典型值):3us,4.7us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):6us,5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):150% @ 5mA 电流传输比(最小值):50% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | CQY80N | Vce饱和压降(最大):300mV 上升/下降时间(典型值):7us,6.7us 封装/外壳:6-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):11us,7us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):32V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最小值):50% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | SFH620AGB | Vce饱和压降(最大):400mV 封装/外壳:4-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):2us,25us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):600% @ 5mA 电流传输比(最小值):100% @ 5mA 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | ILD615-1X009 | 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:8-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.15V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):80% @ 10mA 电流传输比(最小值):40% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:2 | |
| 高速光耦 | ELW2611 | CMR(V/us):10000 Dimension(mm):11.15x9x3.9 Function:High Speed IFT[mA]:5 NumberofChannels:1 封装/外壳:WDIP8 Topr(Max)(degC):85 Topr(Min)(degC):-40 Viso(Vrms):5000 | |
| 逻辑输出光耦 | ELW137S(TA)-V | 通道数:1 Ohms 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:1/0 电压 - 隔离:5000Vrms 输入类型:DC 输出类型:开路集电极 电流 - 输出/通道:50mA 数据速率:10Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:100ns,100ns 上升/下降时间（典型值）:40ns,10ns 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流 - DC 正向（If）:50mA 电压 - 电源:7V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SMD | |
| 高速光耦 | ELW136 | CMR(V/us):1000 CTR(%):19~50 Dimension(mm):11.15x9x3.9 Function:High Speed NumberofChannels:1 封装/外壳:WDIP8 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-55 Viso(Vrms):5000 | |
| 高速光耦 | ELW2601 | CMR(V/us):5000 Dimension(mm):11.15x9x3.9 Function:High Speed IFT[mA]:5 NumberofChannels:1 封装/外壳:WDIP8 Topr(Max)(degC):85 Topr(Min)(degC):-40 Viso(Vrms):5000 | |
| 可控硅光耦合器 | ELT3081 | Dimension(mm):6.5x4.58x3.5 Function:Zero Crossing TRIAC IFT[mA]:15 IT(rms)(mA):70 NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP4 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-55 VDRM(Max)(V):800 Viso(Vrms):5000 | |
| 高速光耦 | ELW137 | Dimension(mm):11.15x9x3.9 Function:High Speed IFT[mA]:5 NumberofChannels:1 封装/外壳:WDIP8 Topr(Max)(degC):85 Topr(Min)(degC):-40 Viso(Vrms):5000 | |
| 可控硅光耦合器 | ELT3043 | Dimension(mm):6.5x4.58x3.5 Function:Zero Crossing TRIAC IFT[mA]:5 IT(rms)(mA):70 NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP4 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-55 VDRM(Max)(V):400 Viso(Vrms):5000 | |
| 可控硅光耦合器 | ELT3083 | Dimension(mm):6.5x4.58x3.5 Function:Zero Crossing TRIAC IFT[mA]:5 IT(rms)(mA):70 NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP4 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-55 VDRM(Max)(V):800 Viso(Vrms):5000 | |
| 可控硅光耦合器 | ELT3082 | Dimension(mm):6.5x4.58x3.5 Function:Zero Crossing TRIAC IFT[mA]:10 IT(rms)(mA):70 NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP4 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-55 VDRM(Max)(V):800 Viso(Vrms):5000 | |
| 逻辑输出光耦 | ELM611(TA)-V | ||
| 可控硅光耦合器 | ELT3063 | Dimension(mm):6.5x4.58x3.5 Function:Zero Crossing TRIAC IFT[mA]:5 IT(rms)(mA):70 NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP4 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-55 VDRM(Max)(V):600 Viso(Vrms):5000 | |
| 可控硅光耦合器 | ELT3062 | Dimension(mm):6.5x4.58x3.5 Function:Zero Crossing TRIAC IFT[mA]:10 IT(rms)(mA):70 NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP4 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-55 VDRM(Max)(V):600 Viso(Vrms):5000 | |
| 可控硅光耦合器 | ELT3061 | Dimension(mm):6.5x4.58x3.5 Function:Zero Crossing TRIAC IFT[mA]:15 IT(rms)(mA):70 NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP4 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-55 VDRM(Max)(V):600 Viso(Vrms):5000 | |
| 可控硅光耦合器 | ELT3042 | Dimension(mm):6.5x4.58x3.5 Function:Zero Crossing TRIAC IFT[mA]:10 IT(rms)(mA):70 NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP4 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-55 VDRM(Max)(V):400 Viso(Vrms):5000 | |
| 晶体管输出光耦 | ELQ3H7(TA) | 通道数:4 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:5µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:16-SSOP | |
| 晶体管输出光耦 | ELM453(TA)-V | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 16mA 电流传输比（最大值）:50% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:400ns,350ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:20V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 隔离:3750Vrms 打开 / 关闭时间（典型值）:400ns,350ns 电压 - 输出（最大值）:20V 电流 - 输出/通道:8mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流 - DC 正向（If）:25mA 封装/外壳:5-SOP | |
| 可控硅光耦合器 | ELM3063(TA)-V | 输出类型:Triac 过零电路:是 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:3750Vrms 电压 - 断态:600V 静态 dV/dt（最小值）:1KV/µs 电流 - LED 触发器（Ift）（最大值）:5mA 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:70mA 电流 - 保持（Ih）:280µA(标准) 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V(最大) 电流 - DC 正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 110°C 认可:DEMKO,FIMKO,NEMKO,SEMKO,UL,VDE 封装/外壳:4-SOP | |
| 三极与SCR输出光耦 | ELM3053(TA) | 工作温度:-40°C~110°C 正向电流If:60mA | |
| 可控硅光耦合器 | ELM3064(TA) | 输出类型:Triac 过零电路:是 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:3750Vrms 电压 - 断态:600V 静态 dV/dt（最小值）:1KV/µs 电流 - LED 触发器（Ift）（最大值）:3mA 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:70mA 电流 - 保持（Ih）:280µA(标准) 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V(最大) 电流 - DC 正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 封装/外壳:4-SOP 认可:DEMKO,FIMKO,NEMKO,SEMKO,UL | |
| 可控硅光耦合器 | ELM3022(TA) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:3750Vrms 电压 - 断态:400V 静态 dV/dt（最小值）:10V/µs(标准) 电流 - LED 触发器（Ift）（最大值）:10mA 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:70mA 电流 - 保持（Ih）:5mA 接通时间:100µs(最大) 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 110°C 认可:DEMKO,FIMKO,NEMKO,SEMKO,UL 封装/外壳:4-SOP | |
| 晶体管输出光耦 | ELD3H7(TA)-V | 通道数:2 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:5µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:8-SMD | |
| 晶体管输出光耦 | EL852 | BVCEO(Min)(V):350 CTR(%):1000~15000 Dimension(mm):6.5x4.58x3.5 Function:Photo Darlington IF[mA]:1 NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP4 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-55 VCE(SAT)(Max)(V):1.2 Viso(Vrms):5000 tf(uS):100 | |
| 晶体管输出光耦 | EL851S1(TA) | 通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:350V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD | |
| 达林顿输出光耦 | EL825 | BVCEO(Min)(V):40 CTR(%):600~7500 Dimension(mm):9.76x6.6x3.5 Function:Photo Darlington IF[mA]:1 NumberofChannels:2 封装/外壳:DIP8 Topr(Max)(degC):110 Topr(Min)(degC):-55 VCE(SAT)(Max)(V):1 Viso(Vrms):5000 tf(uS):53 | |
| 晶体管输出光耦 | EL851 | BVCEO(Min)(V):350 CTR(%):50~600 Dimension(mm):6.5x4.58x3.5 Function:Photo Transistor IF[mA]:5 NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP4 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-55 VCE(SAT)(Max)(V):0.4 Viso(Vrms):5000 tf(uS):5 | |
| 晶体管输出光耦 | EL817M(C)-V | ||
| 晶体管输出光耦 | EL354N(A)(TA)-VG | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 1mA 电流传输比（最大值）:150% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:6µs,8µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SOP | |
| 晶体管输出光耦 | EL4504 | CMR(V/us):15000 CTR(%):25~60 Dimension(mm):9.76x6.6x3.5 Function:High Speed NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP8 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-55 Viso(Vrms):5000 | |
| 高速光耦 | EL4503 | CMR(V/us):15000 CTR(%):19~50 Dimension(mm):9.76x6.6x3.5 Function:High Speed NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP8 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-55 Viso(Vrms):5000 | |
| IGBT输出光耦 | EL3120 | CMR(V/us):25000 Dimension(mm):9.76x6.6x3.5 Function:IGBT Gate Driver NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP8 Topr(Max)(degC):110 Topr(Min)(degC):-40 Viso(Vrms):5000 | |
| 逻辑输出光耦 | EL2631 | CMR(V/us):10000 Dimension(mm):9.76x6.6x3.5 Function:High Speed IFT[mA]:5 NumberofChannels:2 封装/外壳:DIP8 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-40 Viso(Vrms):5000 | |
| 高速光耦 | EL2630 | CMR(V/us):5000 Dimension(mm):9.76x6.6x3.5 Function:High Speed IFT[mA]:5 NumberofChannels:2 封装/外壳:DIP8 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-40 Viso(Vrms):5000 | |
| 逻辑输出光耦 | EL2611 | CMR(V/us):10000 Dimension(mm):9.76x6.6x3.5 Function:High Speed IFT[mA]:5 NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP8 Topr(Max)(degC):85 Topr(Min)(degC):-40 Viso(Vrms):5000 | |
| 逻辑输出光耦 | EL260L | CMR(V/us):10000 Dimension(mm):9.76x6.6x3.5 Function:High Speed IFT[mA]:5 NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP8 Topr(Max)(degC):85 Topr(Min)(degC):-40 Viso(Vrms):5000 | |
| 逻辑输出光耦 | EL2601 | CMR(V/us):5000 Dimension(mm):9.76x6.6x3.5 Function:High Speed IFT[mA]:5 NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP8 Topr(Max)(degC):85 Topr(Min)(degC):-40 Viso(Vrms):5000 | |
| 高速光耦 | EL2531 | CMR(V/us):1000 CTR(%):19~50 Dimension(mm):9.76x6.6x3.5 Function:High Speed NumberofChannels:2 封装/外壳:DIP8 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-40 Viso(Vrms):5000 | |
| 高速光耦 | EL2530 | CMR(V/us):1000 CTR(%):7~50 Dimension(mm):9.76x6.6x3.5 Function:High Speed NumberofChannels:2 封装/外壳:DIP8 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-40 Viso(Vrms):5000 | |
| 高速光耦 | EL2200 | CMR(V/us):1000 Dimension(mm):9.76x6.6x3.5 Function:High Speed IFT[mA]:1.6 NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP8 Topr(Max)(degC):85 Topr(Min)(degC):-40 Viso(Vrms):5000 | |
| 逻辑输出光耦 | EL0631(TA)-V | 通道数:2 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:2/0 电压 - 隔离:3750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:10KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路集电极 电流 - 输出/通道:50mA 数据速率:10Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:100ns,100ns 上升/下降时间（典型值）:40ns,10ns 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流 - DC 正向（If）:20mA 电压 - 电源:7V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SOP | |
| 晶体管输出光耦 | CNY65(B)-V | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:8200Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:200% @ 5mA 打开 / 关闭时间（典型值）:6µs,7µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.6V 电流 - DC 正向（If）:75mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 85°C 封装/外壳:4-DIP |