IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 高速光耦 | ELW2611 | CMR(V/us):10000 Dimension(mm):11.15x9x3.9 Function:High Speed IFT[mA]:5 NumberofChannels:1 封装/外壳:WDIP8 Topr(Max)(degC):85 Topr(Min)(degC):-40 Viso(Vrms):5000 | |
| 高速光耦 | ELW136 | CMR(V/us):1000 CTR(%):19~50 Dimension(mm):11.15x9x3.9 Function:High Speed NumberofChannels:1 封装/外壳:WDIP8 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-55 Viso(Vrms):5000 | |
| 高速光耦 | ELW2601 | CMR(V/us):5000 Dimension(mm):11.15x9x3.9 Function:High Speed IFT[mA]:5 NumberofChannels:1 封装/外壳:WDIP8 Topr(Max)(degC):85 Topr(Min)(degC):-40 Viso(Vrms):5000 | |
| 高速光耦 | ELW137 | Dimension(mm):11.15x9x3.9 Function:High Speed IFT[mA]:5 NumberofChannels:1 封装/外壳:WDIP8 Topr(Max)(degC):85 Topr(Min)(degC):-40 Viso(Vrms):5000 | |
| 高速光耦 | EL4503 | CMR(V/us):15000 CTR(%):19~50 Dimension(mm):9.76x6.6x3.5 Function:High Speed NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP8 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-55 Viso(Vrms):5000 | |
| 高速光耦 | EL2630 | CMR(V/us):5000 Dimension(mm):9.76x6.6x3.5 Function:High Speed IFT[mA]:5 NumberofChannels:2 封装/外壳:DIP8 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-40 Viso(Vrms):5000 | |
| 高速光耦 | EL2531 | CMR(V/us):1000 CTR(%):19~50 Dimension(mm):9.76x6.6x3.5 Function:High Speed NumberofChannels:2 封装/外壳:DIP8 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-40 Viso(Vrms):5000 | |
| 高速光耦 | EL2530 | CMR(V/us):1000 CTR(%):7~50 Dimension(mm):9.76x6.6x3.5 Function:High Speed NumberofChannels:2 封装/外壳:DIP8 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-40 Viso(Vrms):5000 | |
| 高速光耦 | EL2200 | CMR(V/us):1000 Dimension(mm):9.76x6.6x3.5 Function:High Speed IFT[mA]:1.6 NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP8 Topr(Max)(degC):85 Topr(Min)(degC):-40 Viso(Vrms):5000 | |
| 高速光耦 | TLP7820(TL,E | ||
| 高速光耦 | TLP2704(TP,E(T | 数据速率:1Mb/s 系列:TLP2704 绝缘电压:5000Vrms 输出类型:OpenCollector 通道数量:1Channel 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| 高速光耦 | TLP2704(E(T | 数据速率:1Mb/s 通道数量:1Channel 输出类型:OpenCollector 绝缘电压:5000Vrms 系列:TLP2704 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| 高速光耦 | TLP2362(TPL,E(T | 系列:TLP | |
| 高速光耦 | PC354NJ0000F | ||
| 高速光耦 | 6N137-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:1KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:75ns,75ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:20mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD 通道数量:1Channel 输出类型:OpenCollector 绝缘电压:5300Vrms Vf - 正向电压:1.4V If - 正向电流:10mA Vr - 反向电压:5V 功率:0.085W 电流传递比:1600% 高度:3.81mm 长度:9.91mm 输出电流:50mA 宽度:6.81mm 下降时间:7ns 最大集电极电流:50mA 上升时间:23ns |
| 高速光耦 | SFH6345-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:300ns,300ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:25V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.33V Current-DCForward(If)(Max):25mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 高速光耦 | 6N136M-L | Lite-On(光宝) | |
| 高速光耦 | LTV-M501 | Lite-On(光宝) | 封装/外壳:5-SOP 封装/外壳:6-SOIC(0.173",4.40mm 宽),5 引线 电压:5V |
| 高速光耦 | TLP2362(V4-TPL,E(T | Toshiba(东芝) | |
| 高速光耦 | SFH6345-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:300ns,300ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:25V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.33V Current-DCForward(If)(Max):25mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 高速光耦 | SFH6345-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:300ns,300ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:25V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.33V Current-DCForward(If)(Max):25mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 高速光耦 | 6N137-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:1KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:75ns,75ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:20mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD 通道数量:1Channel 输出类型:OpenCollector 绝缘电压:5300Vrms Vf - 正向电压:1.4V If - 正向电流:10mA Vr - 反向电压:5V 功率:0.085W 电流传递比:1600% 高度:3.81mm 长度:9.91mm 输出电流:50mA 宽度:6.81mm 下降时间:7ns 最大集电极电流:50mA 上升时间:23ns |
| 高速光耦 | 6N136-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:200ns,200ns 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:15V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.33V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD 数据速率:1MBd 通道数量:1Channel 输出类型:Phototransistor 绝缘电压:5300Vrms Vf - 正向电压:1.33V If - 正向电流:16mA Vr - 反向电压:5V 功率:1/10W 电流传递比:35% 高度:3.81mm 长度:9.91mm 输出电流:8mA 宽度:6.81mm 下降时间:5ns 最大集电极电流:8mA 上升时间:5ns |
| 高速光耦 | 6N137-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:1KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:75ns,75ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:20mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD 通道数量:1Channel 输出类型:OpenCollector 绝缘电压:5300Vrms Vf - 正向电压:1.4V If - 正向电流:10mA Vr - 反向电压:5V 功率:0.085W 电流传递比:1600% 高度:3.81mm 长度:9.91mm 输出电流:50mA 宽度:6.81mm 下降时间:7ns 最大集电极电流:50mA 上升时间:23ns |
| 高速光耦 | 6N136-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:200ns,200ns 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:15V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.33V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD 数据速率:1MBd 通道数量:1Channel 输出类型:Phototransistor 绝缘电压:5300Vrms Vf - 正向电压:1.33V If - 正向电流:16mA Vr - 反向电压:5V 功率:1/10W 电流传递比:35% 高度:3.81mm 长度:9.91mm 输出电流:8mA 宽度:6.81mm 下降时间:5ns 最大集电极电流:8mA 上升时间:5ns |
| 高速光耦 | CT354(T1) | CT-MICRO(兆龙) | |
| 高速光耦 | 6N136 | CT-MICRO(兆龙) | 封装/外壳:PDIP-8 数据速率:1 Mb/s 通道数量:1 Channel 输出类型:Phototransistor 绝缘电压:3750 Vrms Vf - 正向电压:1.5 V If - 正向电流:16 mA Vr - 反向电压:5 V 功率:1/10W 电流传递比:24 % 系列:6N136 工作温度:0°C ~ 70°C |
| 高速光耦 | TLP2704(D4-TP,E(T | Toshiba(东芝) | |
| 高速光耦 | TLP2662(D4-TP1,F) | Toshiba(东芝) | 通道数:2 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:2/0 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:20KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路集电极 电流 - 输出/通道:25mA 数据速率:10MBd 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:75ns,75ns 上升/下降时间（典型值）:12ns,3ns 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.55V 电流 - DC 正向（If）:20mA 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 封装/外壳:8-SMD,鸥翼 |
| 高速光耦 | TLP291(V4GB-TP,SE(T | Toshiba(东芝) | |
| 高速光耦 | LTV-244-GB-G | Lite-On(光宝) | |
| 高速光耦 | 6N136-LS | Lite-On(光宝) | |
| 高速光耦 | LTV-1006-TP1-G | Lite-On(光宝) | |
| 高速光耦 | LTV-3023 | Lite-On(光宝) | 封装/外壳:9.68*7.62 电压:6V |
| 高速光耦 | CT1017(V)(T2)-W | CT-MICRO(兆龙) | 封装/外壳:1019 电压:5V |
| 高速光耦 | 6N136-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:200ns,200ns 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:15V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.33V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD 数据速率:1MBd 通道数量:1Channel 输出类型:Phototransistor 绝缘电压:5300Vrms Vf - 正向电压:1.33V If - 正向电流:16mA Vr - 反向电压:5V 功率:1/10W 电流传递比:35% 高度:3.81mm 长度:9.91mm 输出电流:8mA 宽度:6.81mm 下降时间:5ns 最大集电极电流:8mA 上升时间:5ns |
| 高速光耦 | CT1013(V)(T1)-W | CT-MICRO(兆龙) | 封装/外壳:1013 电压:5V |
| 高速光耦 | CT1017(V)(T1)-W | CT-MICRO(兆龙) | 封装/外壳:1019 电压:5V |
| 高速光耦 | 6N136-L | Lite-On(光宝) | 封装/外壳:9.68*7.62 电压:5V |
| 高速光耦 | CT1019(V)(T1)-W | CT-MICRO(兆龙) | 封装/外壳:1019 电压:5V |
| 高速光耦 | CT1018(V)(T1)-W | CT-MICRO(兆龙) | 封装/外壳:1018 电压:5V |
| 高速光耦 | 6N136-L | Lite-On(光宝) | 封装/外壳:9.68*7.62 电压:5V |
| 高速光耦 | LTV-M501 | Lite-On(光宝) | 封装/外壳:5-SOP 封装/外壳:6-SOIC(0.173",4.40mm 宽),5 引线 电压:5V |
| 高速光耦 | LTV-M501 | Lite-On(光宝) | 封装/外壳:5-SOP 封装/外壳:6-SOIC(0.173",4.40mm 宽),5 引线 电压:5V |
| 高速光耦 | LTV-M501 | Lite-On(光宝) | 封装/外壳:5-SOP 封装/外壳:6-SOIC(0.173",4.40mm 宽),5 引线 电压:5V |
| 高速光耦 | 6N137-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:1KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:75ns,75ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:20mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD 通道数量:1Channel 输出类型:OpenCollector 绝缘电压:5300Vrms Vf - 正向电压:1.4V If - 正向电流:10mA Vr - 反向电压:5V 功率:0.085W 电流传递比:1600% 高度:3.81mm 长度:9.91mm 输出电流:50mA 宽度:6.81mm 下降时间:7ns 最大集电极电流:50mA 上升时间:23ns |
| 高速光耦 | SFH6345-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:300ns,300ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:25V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.33V Current-DCForward(If)(Max):25mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 高速光耦 | SFH6345-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:300ns,300ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:25V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.33V Current-DCForward(If)(Max):25mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 高速光耦 | 6N136-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:200ns,200ns 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:15V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.33V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD 数据速率:1MBd 通道数量:1Channel 输出类型:Phototransistor 绝缘电压:5300Vrms Vf - 正向电压:1.33V If - 正向电流:16mA Vr - 反向电压:5V 功率:1/10W 电流传递比:35% 高度:3.81mm 长度:9.91mm 输出电流:8mA 宽度:6.81mm 下降时间:5ns 最大集电极电流:8mA 上升时间:5ns |
| 高速光耦 | SFH6345-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:300ns,300ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:25V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.33V Current-DCForward(If)(Max):25mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 高速光耦 | 6N136-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:200ns,200ns 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:15V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.33V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD 数据速率:1MBd 通道数量:1Channel 输出类型:Phototransistor 绝缘电压:5300Vrms Vf - 正向电压:1.33V If - 正向电流:16mA Vr - 反向电压:5V 功率:1/10W 电流传递比:35% 高度:3.81mm 长度:9.91mm 输出电流:8mA 宽度:6.81mm 下降时间:5ns 最大集电极电流:8mA 上升时间:5ns |
| 高速光耦 | 6N137-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:1KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:75ns,75ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:20mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD 通道数量:1Channel 输出类型:OpenCollector 绝缘电压:5300Vrms Vf - 正向电压:1.4V If - 正向电流:10mA Vr - 反向电压:5V 功率:0.085W 电流传递比:1600% 高度:3.81mm 长度:9.91mm 输出电流:50mA 宽度:6.81mm 下降时间:7ns 最大集电极电流:50mA 上升时间:23ns |
| 高速光耦 | LTV-M501 | Lite-On(光宝) | 封装/外壳:5-SOP 封装/外壳:6-SOIC(0.173",4.40mm 宽),5 引线 电压:5V |
| 高速光耦 | TLPN137(TP1,F) | Toshiba(东芝) | 系列:TLPN |
| 高速光耦 | TLP715(TP,F) | Toshiba(东芝) | 系列:TLP |
| 高速光耦 | TLP2362(TPL,E(T | Toshiba(东芝) | 系列:TLP |
| 高速光耦 | TLP109(TPL,E(T | Toshiba(东芝) | 系列:TLP 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:800ns,800ns(最大) 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:20V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.64V 电流-DC正向（If）:20mA 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:6-SO,5引线 |