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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| TVS二极管 | P6SMB68CA-M3/52 | 钳位电压Vc:92V 封装/外壳:DO-214AA,SMB 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:64.6V 反向工作电压Vrwm:58.1V 峰值脉冲电流Ipp:6.5A | |
| 稳压(齐纳)二极管 | MMSZ4715-E3-18 | 反向漏电流Ir:10nA @ 27.3V 封装/外壳:SOD-123 功率:500mW 容差:±5% 工作温度:-55℃~150℃ 齐纳电压Vz:36V | |
| 稳压(齐纳)二极管 | ZEN056V130A24LS | 封装/外壳:3-SMD,无引线 | |
| 稳压(齐纳)二极管 | MAZ33300ML | 封装/外壳:SC-59 反向漏电流Ir:50nA @ 23V 功率:200mW 齐纳电压Vz:33V 齐纳阻抗Zzt:80 Ohms 工作温度:-55℃~150℃ | |
| RF二极管 | BAS7004E6433HTMA1 | 不同If时电压-正向(Vf):1V @ 15mA 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 50V 二极管类型:肖特基 二极管配置:1 对串联 反向恢复时间(trr):100ps 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):70V 电流-平均整流(Io)(每二极管):70mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 | |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMBZ5942B-M3/52 | 反向漏电流Ir:1uA @ 38.8V 封装/外壳:DO-214AA 功率:550mW 容差:±2% 工作温度:-55℃~150℃ 齐纳电压Vz:51V 齐纳阻抗Zzt:70 Ohms | |
| 稳压(齐纳)二极管 | MMBZ4701-HE3-18 | 反向漏电流Ir:50nA @ 10.6V 封装/外壳:SOT-23-3 功率:350mW 容差:±5% 工作温度:-55℃~150℃ 齐纳电压Vz:14V | |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMLVT3V3 | 工作温度:-25°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SMB(DO-214AA) 封装/外壳:SMB | |
| 肖特基(SBD)二极管 | VB20100C-M3/4W | 反向漏电流Ir:800uA @ 100V 反向电压Vr:100V 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 正向电压Vf:790mV @ 10A | |
| 肖特基(SBD)二极管 | VS-15CTQ045STRLPBF | 反向漏电流Ir:800uA @ 45V 反向电压Vr:45V 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 正向电压Vf:700mV @ 15A | |
| 肖特基(SBD)二极管 | VS-MBRD660CTTRPBF | 反向漏电流Ir:100uA @ 60V 反向电压Vr:60V 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 正向电压Vf:650mV @ 3A | |
| 稳压(齐纳)二极管 | JANTX1N6125A | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:轴向 封装/外壳:Case | |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZX84-A8V2,215 | 封装/外壳:SOT23 齐纳电压Vz:8.2V 功率:250mW 容差:±1% 齐纳阻抗Zzt:15 Ohms 反向漏电流Ir:700nA @ 5V 工作温度:-65℃~150℃ | |
| 稳压(齐纳)二极管 | DZ23C6V2-HE3-18 | 反向漏电流Ir:100nA @ 2V 封装/外壳:SOT-23 功率:300mW 容差:±5% 工作温度:-55℃~150℃ 齐纳电压Vz:6.2V 齐纳阻抗Zzt:10 Ohms | |
| 稳压(齐纳)二极管 | TZX3V0A-TR | 反向漏电流Ir:5uA @ 500mV 封装/外壳:DO-35 功率:500mW 工作温度:-65℃~175℃ 齐纳电压Vz:3V 齐纳阻抗Zzt:100 Ohms | |
| 光电二极管 | PNA4U62F | ||
| TVS二极管 | PTVS45VP1UTP,115 | 封装/外壳:SOD128 反向击穿电压Vbr:50V 钳位电压Vc:72.7V 反向工作电压Vrwm:45V 峰值脉冲电流Ipp:8.3A 工作温度:-55℃~185℃ | |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZG05C24TR3 | 反向漏电流Ir:500nA @ 18V 封装/外壳:DO-214AC 功率:1.25W 工作温度:-65℃~150℃ 齐纳电压Vz:24V 齐纳阻抗Zzt:600 Ohms | |
| 稳压(齐纳)二极管 | MSMBJSAC6.0E3 | 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMBJ(DO-214AA) 封装/外壳:SMBJ | |
| 通用二极管 | SCS105KGC | FET类型:碳化硅肖特基 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 结电容Cj:325pF @ 1V,1MHz 工作温度-结:175°C(最大) 正向电流If:5 A 正向浪涌电流Ifsm:21 A 反向漏电流Ir:100uA 正向电压Vf:1.5V 反向电压Vr:1.2KV 反向浪涌电压Vrrm:1.2 KV 系列:SCS105KG 配置:Single | |
| 光电二极管 | VEMD6010X01 | 二极管类型:引脚 反向电压Vr:32V 响应时间:100ns 封装/外壳:3-SMD,无引线 工作温度:-40°C ~ 110°C 波长:900nm 电流-暗(典型值):1nA 视角:60° 频谱范围:430nm ~ 1100nm | |
| 稳压(齐纳)二极管 | SZNUP4114UCLW1T2G | 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| TVS二极管 | SZNUP1105LT1G | 峰值脉冲电流Ipp:8A(8/20µs) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
| 稳压(齐纳)二极管 | SZMMSZ5231BT1G | 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:5.1V 齐纳阻抗Zzt:17 Ohms 容差:±5% 功率:500mW 工作温度:-55℃~150℃ 反向漏电流Ir:5uA @ 2V | |
| TVS二极管 | SZMMBZ33VALT1G | 峰值脉冲电流Ipp:870mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
| 稳压(齐纳)二极管 | SZESD8351P2T5G | 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:SOD-923 | |
| 稳压(齐纳)二极管 | SZESD7951ST5G | 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:SOD-923 | |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMS24CT1G | 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSOP | |
| TVS二极管 | SMBJ90CA | 反向工作电压Vrwm:90V 峰值脉冲电流Ipp:4.1A 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:DO-214AA(SMB) | |
| TVS二极管 | SMBJ64A | 反向工作电压Vrwm:64V 峰值脉冲电流Ipp:5.8A 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:DO-214AA(SMB) | |
| TVS二极管 | SMBJ150CA | 反向工作电压Vrwm:150V 峰值脉冲电流Ipp:2.5A 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:DO-214AA(SMB) | |
| TVS二极管 | SMBJ11A | 反向工作电压Vrwm:11V 峰值脉冲电流Ipp:33A 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:DO-214AA(SMB) | |
| 肖特基(SBD)二极管 | SB350 | 封装/外壳:DO-201AD,轴向 封装/外壳:DO-201AD | |
| TVS二极管 | P6KE22A | 反向工作电压Vrwm:18.8V 峰值脉冲电流Ipp:20A 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 封装/外壳:DO-15 | |
| TVS二极管 | P6KE120CA | 反向工作电压Vrwm:102V 峰值脉冲电流Ipp:3.6A 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 封装/外壳:DO-15 | |
| TVS二极管 | PTVS17VS1UTR,115 | 封装/外壳:SOD123W 反向击穿电压Vbr:18.9V 钳位电压Vc:27.6V 反向工作电压Vrwm:17V 峰值脉冲电流Ipp:14.5A 工作温度:-55℃~185℃ | |
| 肖特基(SBD)二极管 | VI20M120C-M3/4W | 反向漏电流Ir:700uA @ 120V 反向电压Vr:120V 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 正向电压Vf:910mV @ 10A | |
| 肖特基(SBD)二极管 | NRVB0540T1G | 封装/外壳:SOD-123 正向浪涌电流Ifsm:5.5A 反向峰值电压Vrrm:40V 反向电压Vr:40V 正向电流If:500mA 正向电压Vf:0.51V 反向漏电流Ir:20uA 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 稳压(齐纳)二极管 | TZMC3V9-GS18 | 反向漏电流Ir:2uA @ 1V 封装/外壳:SOD-80 功率:500mW 容差:±5% 工作温度:-65℃~175℃ 齐纳电压Vz:3.9V 齐纳阻抗Zzt:90 Ohms | |
| TVS二极管 | MMBZ16VALVL | 封装/外壳:SOT23 反向击穿电压Vbr:15.2V,16.8V 钳位电压Vc:23V 工作温度:150℃ | |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMBJ36AE3/TR13 | 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMBJ(DO-214AA) 封装/外壳:SMBJ | |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMS12CT1G | 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSOP | |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1SMB9.0AT3G | 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB | |
| 肖特基(SBD)二极管 | FSV10150V | 封装/外壳:TO-277 正向浪涌电流Ifsm:180A 反向峰值电压Vrrm:150V 反向电压Vr:150V 正向电流If:10A 正向电压Vf:0.84V 反向漏电流Ir:20uA 工作温度:-55℃~150℃ | |
| TVS二极管 | P6SMB510AHE3/52 | 封装/外壳:SMD/SMT 钳位电压Vc:698V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 反向工作电压Vrwm:434V | |
| TVS二极管 | P6KE8.2C-E3/73 | 钳位电压Vc:12.5V 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:7.38V 反向工作电压Vrwm:6.63V 峰值脉冲电流Ipp:48A | |
| TVS二极管 | P6KE400-E3/73 | 钳位电压Vc:574V 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:360V 反向工作电压Vrwm:324V 峰值脉冲电流Ipp:1A | |
| TVS二极管 | P6KE400-E3/54 | 钳位电压Vc:574V 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:360V 反向工作电压Vrwm:324V 峰值脉冲电流Ipp:1A | |
| TVS二极管 | P6KE400C-E3/73 | 钳位电压Vc:574V 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:360V 反向工作电压Vrwm:324V 峰值脉冲电流Ipp:1A | |
| 稳压(齐纳)二极管 | PTV3.9B-M3/84A | 反向漏电流Ir:20uA @ 1V 封装/外壳:DO-220AA 功率:600mW 容差:±6% 工作温度:150℃ 齐纳电压Vz:4.2V 齐纳阻抗Zzt:15 Ohms | |
| 通用二极管 | MA4E2502L-1246 | 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 正向电流If:20mA 正向电压Vf:0.3V 封装/外壳:0502 | |
| 稳压(齐纳)二极管 | ESD9M5.0ST5G | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOD-923 | |
| 稳压(齐纳)二极管 | ESD8008MUTAG | 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:14-UDFN(5.5x1.5) | |
| TVS二极管 | ESD8004MUTAG | 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 峰值脉冲电流Ipp:16A 封装/外壳:10-UDFN(2.5x1) | |
| 稳压(齐纳)二极管 | ESD7481MUT5G | 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:2-X3DFN(0.62x0.32) | |
| 稳压(齐纳)二极管 | ESD7471N2T5G | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:2-XDFN(1x0.6)(SOD-882) | |
| 稳压(齐纳)二极管 | ESD5B5.0ST5G | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOD-523 | |
| 稳压(齐纳)二极管 | ESD7008MUTAG | 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:18-UDFN(5.5x1.5) | |
| TVS二极管 | P6KA30AHE3/54 | 钳位电压Vc:41.4V 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 工作温度:-65°C~185°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:28.5V 反向工作电压Vrwm:25.6V 峰值脉冲电流Ipp:14.5A | |
| TVS二极管 | P4SMA300CA-E3/5A | 钳位电压Vc:414V 封装/外壳:DO-214AC,SMA 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:285V 反向工作电压Vrwm:256V 峰值脉冲电流Ipp:730mA | |
| 稳压(齐纳)二极管 | DZ2J390M0L | 封装/外壳:SC-90A 反向漏电流Ir:50nA @ 30V 功率:200mW 齐纳电压Vz:39V 齐纳阻抗Zzt:300 Ohms 工作温度:-55℃~150℃ | |
| TVS二极管 | SMBJ17A-M3/5B | 钳位电压Vc:27.6V 封装/外壳:DO-214AA,SMB 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:18.9V 反向工作电压Vrwm:17V 峰值脉冲电流Ipp:21.7A | |
| 稳压(齐纳)二极管 | MMSZ4703-E3-18 | 反向漏电流Ir:50nA @ 12.1V 封装/外壳:SOD-123 功率:500mW 容差:±5% 工作温度:-55℃~150℃ 齐纳电压Vz:16V | |
| TVS二极管 | PESD1LIN,135 | 封装/外壳:SOD323 反向击穿电压Vbr:17.1/25.4V 钳位电压Vc:44/70V 反向工作电压Vrwm:24/15V 峰值脉冲电流Ipp:3A 工作温度:-65℃~150℃ | |
| TVS二极管 | LCE8.0-E3/54 | 钳位电压Vc:15V 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 工作温度:-65°C~175°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:8.89V 反向工作电压Vrwm:8V 峰值脉冲电流Ipp:100A | |
| TVS二极管 | LCE6.5-E3/54 | 钳位电压Vc:12.3V 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 工作温度:-65°C~175°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:7.22V 反向工作电压Vrwm:6.5V 峰值脉冲电流Ipp:100A | |
| TVS二极管 | LCE28A-E3/54 | 钳位电压Vc:45.5V 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 工作温度:-65°C~175°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:31.1V 反向工作电压Vrwm:28V 峰值脉冲电流Ipp:33A | |
| TVS二极管 | LCE24A-E3/54 | 钳位电压Vc:38.9V 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 工作温度:-65°C~175°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:26.7V 反向工作电压Vrwm:24V 峰值脉冲电流Ipp:39A | |
| 肖特基(SBD)二极管 | PMEG3020EGWJ | 封装/外壳:SOD-123 正向浪涌电流Ifsm:9A 反向峰值电压Vrrm:30V 反向电压Vr:30V 正向电流If:2A 正向电压Vf:0.62V 反向漏电流Ir:1mA 工作温度:-55℃~150℃ | |
| TVS二极管 | LCE20A-E3/54 | 钳位电压Vc:32.4V 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 工作温度:-65°C~175°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:22.2V 反向工作电压Vrwm:20V 峰值脉冲电流Ipp:46A | |
| TVS二极管 | LCE10A-E3/54 | 钳位电压Vc:17V 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 工作温度:-65°C~175°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:11.1V 反向工作电压Vrwm:10V 峰值脉冲电流Ipp:88A | |
| 稳压(齐纳)二极管 | MAZ31500LL | 封装/外壳:SC-59 反向漏电流Ir:50nA @ 10V 功率:200mW 齐纳电压Vz:15V 齐纳阻抗Zzt:30 Ohms 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 稳压(齐纳)二极管 | MMBZ5247C-HE3-08 | 反向漏电流Ir:100nA @ 13V 封装/外壳:SOT-23-3 功率:225mW 容差:±2% 工作温度:-55℃~150℃ 齐纳电压Vz:17V 齐纳阻抗Zzt:19 Ohms | |
| TVS二极管 | P6SMB15CA-M3/52 | 钳位电压Vc:21.2V 封装/外壳:DO-214AA,SMB 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:14.3V 反向工作电压Vrwm:12.8V 峰值脉冲电流Ipp:28.3A | |
| TVS二极管 | SM6T18A-E3/52 | 钳位电压Vc:25.2V 封装/外壳:DO-214AA,SMB 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:17.1V 反向工作电压Vrwm:15.3V 峰值脉冲电流Ipp:24A | |
| TVS二极管 | SMP17-M3/84A | 钳位电压Vc:30.5V 封装/外壳:DO-220AA 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:18.9V 反向工作电压Vrwm:17V 峰值脉冲电流Ipp:13.1A | |
| 稳压(齐纳)二极管 | TDZ2V7J,115 | 封装/外壳:SOD323F 齐纳电压Vz:2.7V 功率:500mW 容差:±2% 齐纳阻抗Zzt:100 Ohms 反向漏电流Ir:20uA @ 1V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 肖特基(SBD)二极管 | RB751CS40,315 | 封装/外壳:SOD-882 正向浪涌电流Ifsm:0.2A 反向峰值电压Vrrm:40V 反向电压Vr:40V 正向电流If:120mA 正向电压Vf:0.37V 反向漏电流Ir:500nA 工作温度:-65℃~150℃ | |
| 肖特基(SBD)二极管 | RB521CS30L,315 | 封装/外壳:SOD-882 正向浪涌电流Ifsm:3A 反向峰值电压Vrrm:30V 反向电压Vr:30V 正向电流If:100mA 正向电压Vf:0.405V 反向漏电流Ir:10uA 工作温度:-65℃~150℃ | |
| 稳压(齐纳)二极管 | PZU5.1B2A,115 | 封装/外壳:SOD323 齐纳电压Vz:5.1V 功率:490mW 容差:±2% 齐纳阻抗Zzt:60 Ohms 反向漏电流Ir:2uA @ 1.5V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| TVS二极管 | PUSB3TB6AZ | 封装/外壳:SOT1358 反向击穿电压Vbr:6V 钳位电压Vc:4.8V 峰值脉冲电流Ipp:3.5A 工作温度:-40℃~85℃ | |
| TVS二极管 | PUSB3FR6Z | 封装/外壳:SOT1358 反向工作电压Vrwm:3.3V | |
| TVS二极管 | PUSB3FR4Z | 封装/外壳:SOT1176 反向击穿电压Vbr:5.5V 钳位电压Vc:3V 反向工作电压Vrwm:3.3V 峰值脉冲电流Ipp:5A 工作温度:-40℃~85℃ | |
| TVS二极管 | PUSB3F96X | 封装/外壳:SOT1176 反向工作电压Vrwm:5.5V 反向击穿电压Vbr:6V 钳位电压Vc:4.6V 峰值脉冲电流Ipp:5.2A 工作温度:-40℃~85℃ | |
| TVS二极管 | PUSB3AB6Z | 封装/外壳:SOT1358 反向工作电压Vrwm:3.3V 反向击穿电压Vbr:6V 钳位电压Vc:6V 峰值脉冲电流Ipp:5A 工作温度:-40°C~85℃ | |
| TVS二极管 | PUSB2X4YH | 封装/外壳:SOT363 反向击穿电压Vbr:6V 钳位电压Vc:3.8V 峰值脉冲电流Ipp:4.5A 工作温度:-40℃~85℃ | |
| TVS二极管 | PUSB2X4DH | 封装/外壳:SOT457 反向工作电压Vrwm:5.5V | |
| TVS二极管 | PTVS18VU1UPAZ | 封装/外壳:SOT1061 反向击穿电压Vbr:20V 钳位电压Vc:32V 反向工作电压Vrwm:18V 峰值脉冲电流Ipp:97A 工作温度:-55℃~150℃ | |
| TVS二极管 | PTVS7V5U1UPAZ | 封装/外壳:SOT1061 反向击穿电压Vbr:8.33V 钳位电压Vc:19.7V 反向工作电压Vrwm:7.5V 峰值脉冲电流Ipp:178A 工作温度:-55℃~150℃ | |
| TVS二极管 | PTVS26VU1UPAZ | 封装/外壳:SOT1061 反向击穿电压Vbr:28.9V 钳位电压Vc:43.5V 反向工作电压Vrwm:26V 峰值脉冲电流Ipp:69A 工作温度:-55℃~150℃ | |
| TVS二极管 | PTVS15VU1UPAZ | 封装/外壳:SOT1061 反向击穿电压Vbr:16.7V 钳位电压Vc:28.8V 反向工作电压Vrwm:15V 峰值脉冲电流Ipp:111A 工作温度:-55℃~150℃ | |
| TVS二极管 | PTVS12VU1UPAZ | 封装/外壳:SOT1061 反向击穿电压Vbr:13.3V 钳位电压Vc:25.2V 反向工作电压Vrwm:12V 峰值脉冲电流Ipp:131A 工作温度:-55℃~150℃ | |
| TVS二极管 | PTVS10VU1UPAZ | 封装/外壳:SOT1061 反向击穿电压Vbr:11.1V 钳位电压Vc:23V 反向工作电压Vrwm:10V 峰值脉冲电流Ipp:148A 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 肖特基(SBD)二极管 | PMEG45U10EPDZ | 封装/外壳:SOT1289 正向浪涌电流Ifsm:180A 反向峰值电压Vrrm:45V 反向电压Vr:45V 正向电流If:10A 正向电压Vf:0.49V 反向漏电流Ir:600uA 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 肖特基(SBD)二极管 | PMEG6020ELRX | 封装/外壳:SOD-123W 正向浪涌电流Ifsm:50A 反向峰值电压Vrrm:60V 反向电压Vr:60V 正向电流If:2A 正向电压Vf:0.76V 反向漏电流Ir:300nA 工作温度:-55℃~175℃ | |
| 肖特基(SBD)二极管 | PMEG6010ELRX | 封装/外壳:SOD-123W 正向浪涌电流Ifsm:50A 反向峰值电压Vrrm:60V 反向电压Vr:60V 正向电流If:1A 正向电压Vf:0.66V 反向漏电流Ir:300nA 工作温度:-55℃~175℃ | |
| 肖特基(SBD)二极管 | PMEG4005ESFYL | 封装/外壳:SOD-962 正向浪涌电流Ifsm:3.5A 反向峰值电压Vrrm:40V 反向电压Vr:40V 正向电流If:500mA 正向电压Vf:0.88V 反向漏电流Ir:6.5uA 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 肖特基(SBD)二极管 | PMEG4005AESFYL | 封装/外壳:SOD-962 正向浪涌电流Ifsm:3.5A 反向峰值电压Vrrm:40V 反向电压Vr:40V 正向电流If:500mA 正向电压Vf:0.82V 反向漏电流Ir:80uA 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 肖特基(SBD)二极管 | PMEG4002ESFYL | 封装/外壳:SOD-962 正向浪涌电流Ifsm:3.5A 反向峰值电压Vrrm:40V 反向电压Vr:40V 正向电流If:200mA 正向电压Vf:0.6V 反向漏电流Ir:6.5uA 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 肖特基(SBD)二极管 | PMEG4002AESFYL | 封装/外壳:SOD-962 正向浪涌电流Ifsm:3.5A 反向峰值电压Vrrm:40V 反向电压Vr:40V 正向电流If:200mA 正向电压Vf:0.525V 反向漏电流Ir:80uA 工作温度:-55℃~150℃ |