参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	TPH4R606NH,L1Q
说明	通用MOSFET   8-SOPAdvance(5x5)
起订量	5
最小包	5
现货	453 [库存更新时间：2025-11-20]
FET类型	N-Channel
Pd-功率耗散(Max)	1.6W(Ta),63W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs	4.6 毫欧 @ 16A,10V
Vgs(th)	4V @ 500uA
Vgs(最大值)	±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	3965 pF @ 30 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值)	49 nC @ 10 V
产品状态	在售
封装/外壳	8-SOP Advance(5x5)
工作温度	150°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds	60 V
连续漏极电流Id	32A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	6.5V,10V