参数	值
产品	未分类
型号编码	TPC8125
说明	未分类   SOP 4.9mm 4.9x3.9x1.52mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	117 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	10 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	17 m0hms
栅极电压Vgs	2V
栅极电压Vgs	-25 V,+20 V
封装/外壳	SOP
引脚数目	8
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	1.9 W
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	4.9mm
高度	1.52mm
系列	TPC
宽度	3.9mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	2580 pF @ -10 V
典型关断延迟时间	245 ns
典型接通延迟时间	16 ns
封装/外壳	4.9 x 3.9 x 1.52mm