参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	TK65S04N1L,LQn:
说明	通用MOSFET   DPAK+
起订量	2
最小包	2
现货	398 [库存更新时间：2025-04-05]
FET类型	N-Channel
Pd-功率耗散(Max)	107W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs	4.3 毫欧 @ 32.5A,10V
Vgs(th)	2.5V @ 300uA
Vgs(最大值)	±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	2550 pF @ 10 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值)	39 nC @ 10 V
产品状态	在售
封装/外壳	DPAK+
工作温度	175°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds	40 V
连续漏极电流Id	65A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	10V