参数	值
产品	未分类
型号编码	TK5A60W,S4VX(M
说明	未分类   TO-220SIS 10mm 10x4.5x15mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	115 [库存更新时间：2025-04-14]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	5.4 A
漏源极电压Vds	600V
Rds On(Max)@Id,Vgs	900 m0hms
栅极电压Vgs	3.7V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220SIS
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
功率	30W
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	380 pF @ 300 V
典型关断延迟时间	50 ns
典型接通延迟时间	40 ns
系列	DTMOSIV
宽度	4.5mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
最高工作温度	+150 °C
长度	10mm
高度	15mm
封装/外壳	10 x 4.5 x 15mm