参数	值
产品	未分类
型号编码	TK7P60W,RVQ(S
说明	未分类   DPAK(TO-252) 6.6mm 6.6x6.1x2.3mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	115 [库存更新时间：2025-04-09]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	7 A
漏源极电压Vds	600V
Rds On(Max)@Id,Vgs	600 m0hms
栅极电压Vgs	3.7V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	60W
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	6.6mm
高度	2.3mm
系列	TK
宽度	6.1mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	490 pF @ 300 V
典型关断延迟时间	55 ns
典型接通延迟时间	40 ns
封装/外壳	6.6 x 6.1 x 2.3mm