| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | TK20E60W,S1VXn: |
| 说明 | 通用MOSFET TO-220 |
| 起订量 | 50 |
| 最小包 | 50 |
| 现货 | 494 [库存更新时间：2025-04-07] |
| FET类型 | N-Channel |
| Pd-功率耗散(Max) | 165W(Tc) |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 155 毫欧 @ 10A,10V |
| Vgs(th) | 3.7V @ 1mA |
| Vgs(最大值) | ±30V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1680 pF @ 300 V |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 48 nC @ 10 V |
| 产品状态 | 在售 |
| 封装/外壳 | TO-220 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 600 V |
| 连续漏极电流Id | 20A(Ta) |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V |
IC普拉斯 元器件现货
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