参数	值
产品	未分类
型号编码	TJ60S04M3L
说明	未分类   DPAK 6.5mm 6.5x7x2.3mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	115 [库存更新时间：2025-04-11]
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	60 A
漏源极电压Vds	40 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	9.4 m0hms
栅极电压Vgs	3V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+10 V
封装/外壳	DPAK
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
功率	90W
典型接通延迟时间	126 ns
典型关断延迟时间	730 ns
漏源极电压Vds	6510 pF @ -10 V
每片芯片元件数目	1 Ohms
宽度	7mm
长度	6.5mm
高度	2.3mm
正向二极管电压	1.2V
封装/外壳	6.5 x 7 x 2.3mm
汽车标准	AEC-Q101
最高工作温度	+175 °C