参数	值
产品	未分类
型号编码	SVD5867NLT4G
说明	未分类   TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63
品牌	ON(安森美)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5625 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	22A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	15nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	675pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
功率	3.3W(Ta),43W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	39 毫欧 @ 11A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63