参数	值
产品	未分类
型号编码	STP8N65M5
说明	未分类   TO-220-3 TO-220-3
品牌	ST(意法半导体)
起订量	0
最小包	0
现货	533 [库存更新时间：2025-04-05]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	7A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	15nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	690pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	100V
功率	70W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	600 毫欧 @ 3.5A,10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220-3
封装/外壳	TO-220-3