产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | STI6N80K5 |
说明 | 通用MOSFET TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA I2PAK |
起订量 | 1 |
最小包 | 1 |
现货 | 474 [库存更新时间:2025-04-16] |
系列 | SuperMESH5™ |
FET类型 | N-Channel |
连续漏极电流Id | 4.5A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 7.5nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 255pF @ 100V |
栅极电压Vgs | 30V |
Pd-功率耗散(Max) | 85W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.6 Ohms@2A,10V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
封装/外壳 | I2PAK |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 800V |
连续漏极电流Id | 4.5A |
Ciss - 输入电容 | 255 pF |
连续漏极电流Id | 4.5A |
FET类型 | N-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
最高工作温度 | + 150 C |
配置 | Single |
Pd - 功率消耗 | 110 W |
Qg - 闸极充电 | 7.5 nC |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.6Ω |
漏源极电压Vds | 800V |
栅极电压Vgs | ±30V |
栅极电压Vgs | 4V |