参数	值
产品	未分类
型号编码	STF8NM60ND
说明	未分类   TO-220-3整包 TO-220FP
品牌	ST(意法半导体)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2487 [库存更新时间：2025-12-10]
功率	25W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	700 毫欧 @ 3.5A,10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220-3 整包
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	7A(Tc)
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	560pF @ 50V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220FP