参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | STE48NM50 |
说明 | 通用MOSFET ISOTOP® ISOTOP |
起订量 | 10 |
最小包 | 10 |
现货 | 458 [库存更新时间:2025-04-12] |
系列 | MDmesh™ |
漏源极电压Vds | 550V |
连续漏极电流Id | 48A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 117nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3700pF @ 25V |
栅极电压Vgs | ±30V |
Pd-功率耗散(Max) | 450W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 100m Ohms@24A,10V |
工作温度 | 150°C(TJ) |
封装/外壳 | ISOTOP® |
封装/外壳 | ISOTOP |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 500V |
连续漏极电流Id | 48A |